SCT2120AFCU
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产品描述:
FETs Single
标准包装:1000
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安装类型 通孔
FET 功能 碳化硅 (SiC)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 156 毫欧 @ 10A,18V
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 61nC @ 18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 500V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 3.3mA
功率 - 最大值 165W
漏源极电压(Vdss) 650V
FET 功能 碳化硅 (SiC)
电流 - 连续漏极(Id) (25°C 时)
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 175°C(TJ)
供应商器件封装 TO-220AB
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