FDS8870
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产品描述:
Single N-Channel 30 V 2.5 W 112 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 112nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta)
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 8-SOIC N
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 18A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4615pF @ 15V
功率 - 最大值 2.5W
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