SIR166DP-T1-GE3
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产品描述:
SiR166DP Series N-Channel 30 V 0.0040 Ohm 48 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 77nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
FET 功能 标准
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3340pF @ 15V
功率 - 最大值 48W
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