SI1035X-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 180MA SOT563F

制造商 Vishay 制造商零件编号 SI1035X-T1-E3 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	SOT-563, SOT-666
-Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
-Standard Package	1
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25掳C	180mA, 145mA
-FET Type	N and P-Channel
-Family	FETs - Arrays
-Mounting Type	Surface Mount
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 4.5V
-Power - Max	250mW
-Supplier Device Package	SC-89-6
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
-Packaging	Cut Tape (CT)
-Series	TrenchFET庐
-Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 250碌A (Min)