ROHM面向高端ADAS开发出业界超稳定运行的DC-DC转换器IC“BD9S402MUF-C”

Release time:2022-09-01
author:Ameya360
source:网络
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    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向包括车载传感器和摄像头等在内的ADAS(高级驾驶辅助系统)、信息娱乐系统等日益复杂的车载应用,开发出一款降压型DC-DC转换器IC*1“BD9S402MUF-C”。

    近年来,在汽车领域,随着事故防止和自动驾驶技术的创新,对安全性能的要求也越来越高。与此同时,控制包括车载传感器和摄像头在内的ADAS系统的SoC和微控制器也日益复杂(为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压),这就要求向它们供电的电源IC,要在负载电流波动的严苛条件下,也能更稳定地运行。为了满足对这些电源IC的特性要求,ROHM在2017年针对低电压输出确立了超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”,在2021年针对稳定工作确立了高速负载响应技术“QuiCur™”。此次,通过首次将QuiCur™技术融入ROHM新产品中,在同等性能的车载二次侧DC-DC转换器IC中,实现了业界先进的超稳定运行。

    新产品满足性能日益提升的SoC(System on a Chip)和微控制器的二次侧*2电源应用所需求的小尺寸、4A输出电流、开关工作频率2MHz以上以及0.6V低压输出。而且,通过搭载ROHM自有的高速负载响应*3技术“QuiCur™”,与同等功能的普通产品相比,输出电压波动降低25%,仅为30mV,实现超稳定运行(测试条件:输出电压1.2V,输出电容容量44µF,负载电流波动0→2A/2µ秒),这使其非常适用于电源条件严苛(在低电压输出条件下也要确保在±5%以内稳定运行)的高端ADAS应用。

    此外,作为新功能还内置了响应性能选择功能,可通过引脚设置在“电压波动量优先(业内超稳定运行)”、“削减电容优先(22μF小容量稳定运行)”之间轻松切换。不仅在初步设计时,而且在规格或型号变更时,都可以轻松实现预期的稳定运行,因此,有助于显著减少电源电路设计工时。

    新产品已于2022年6月开始出售样品(样品价格 500日元/个,不含税),计划于2023年4月起暂以月产10万个的规模投入量产。另外,也已开始电商销售,从Ameya360平台即可购买。

    ROHM计划在今后继续扩大搭载QuiCur技术的各种电源IC的产品阵容,旨在为解决应用中的更多问题做出贡献。

ROHM面向高端ADAS开发出业界超稳定运行的DC-DC转换器IC“BD9S402MUF-C”

    <关于QuiCur技术>

    QuiCur的命名源自实现了高速负载响应的ROHM自有电路技术“Quick Current”,使用该技术后,电源IC的反馈电路能够在稳定工作的前提下更大程度地实现目标负载响应特性(响应性能)。不仅可用更小的输出电容容量实现电源IC的稳定运行,而且还可对容量和输出电压波动进行线性调整,便于因规格变更而改变电容量时轻松实现预期的稳定运行,因此,无论是从稳定运行方面还是从减少元器件数量方面来看,都有助于显著减少电源电路的设计工时。

    <新产品详情>

    新产品“BD9S402MUF-C”不仅满足ADAS用二次侧DC-DC转换器IC需要具备的开关工作频率2MHz、输出电流4A等基本要求,而且通过采用ROHM自有的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”,还可满足下一代SoC和微控制器要求的0.6V低电压输出(优于当前要求的1.0V输出)。

    另外,还采用新确立的高速负载响应技术“QuiCur”,实现了非常出色的稳定运行(负载响应特性)。即使在1.0V以下的低电压输出条件下或负载电流波动时,也可以将电压波动抑制在±5%以内,因此非常适用于高端ADAS的二次侧电源。

    此外,利用搭载QuiCur技术所带来的特性优势,新产品还具备一项新功能——响应性能选择功能,只需将GAIN引脚设置为High/Low即可轻松在“电压波动量优先(业内超稳定运行)”、“削减电容优先(22μF小容量稳定运行)”之间进行切换。例如,当需要作为高性能的SoC电源来高速处理负载电流波动(出色的负载响应特性)时,只需要将GAIN引脚设置为High;当需要作为简单的微控制器电源使用而无需太担心负载电流波动时,只需要将GAIN引脚设置为Low,即可轻松在性能和成本之间获得良好平衡。不仅在初步设计时,而且在规格或型号变更时,都可以轻松实现预期的稳定运行,因此,可以帮助应用设计工程师大大减少电源电路的设计工时。

ROHM面向高端ADAS开发出业界超稳定运行的DC-DC转换器IC“BD9S402MUF-C”

    <应用示例>

    非常适用于

    ◇传感器、摄像头、雷达等ADAS系统相关

    ◇无线通信模块、网关等通信系统相关

    ◇仪表盘、抬头显示器(HUD)等信息娱乐系统相关等

    采用了高性能SoC、微控制器和DDR存储器的车载应用中的二次侧电源应用。

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罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能
  随着向无碳社会的推进以及能源的短缺,全球对可再生能源寄予厚望,对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术(节能的关键)提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC,可以进一步提高逆变器的功率转换效率,降低工业设备的功耗,从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件和模拟IC的特性及特点。  什么是具有节能效果的逆变器?  逆变器是用来将直流电(DC)转换为交流电(AC)并有效地提供所需电力的设备。使用效率高的逆变器,可以更大程度地提高设施和设备的性能并降低能耗。  提到逆变器,很多人通常可能会认为它是在FA应用中用来控制电机的技术,或者用来使电泵、风门、风扇、鼓风机、空调等平稳运行的技术。其实,有效地转换电能也是逆变器的一个主要用途,是使工业设备更节能的关键技术。特别是在追求无碳社会和碳中和的进程中,太阳能发电设施中使用的光伏逆变器市场和充电桩市场不断增长,从而对具有出色能量转换效率的逆变器的需求也日益高涨。接下来将围绕逆变器的功率转换进行具体说明。  逆变器及其相关的功率元器件解决方案在促进包括太阳能发电系统在内的各种工业设施和设备的节能和效率提升方面发挥着核心作用。另外,逆变器的高效运作高度依赖于半导体技术的进步。通过使用先进的半导体,可以使逆变器更高效、更稳定地工作。此外,还可以延长设备的使用寿命,先进半导体产品能够带来诸多好处。  为什么必须要使逆变器更加节能?  逆变器本身已经不是一项新技术,大家所用的设施和电气设备中都有可能配有逆变器。然而,如今对使用中的设施和设备中的逆变器进行改进的需求越来越多。  其主要原因之一是制造现场的用电量增加。目前,很多生产设施的自动化和智能化程度都越来越高。尽管单台设备都更加节能,但从设施整体看,用电量却在增加,这种情况屡见不鲜。要想更大程度地发挥出设施的节能性能,逆变器也需要具备相应的性能。  另一个主要原因是设备电压提升以及对设备小型化、轻量化的要求提高。例如,在太阳能发电设施中,电压越来越高,功率调节器却越来越小、越来越轻,这就要求作为功率转换设备的逆变器能够满足这些需求。  功率元器件是提高逆变器节能效果的关键所在  使用逆变器进行功率转换时,大约有90%的功率损耗是由功率元器件造成的。  因此,可以毫不夸张地说,功率元器件的性能决定了逆变器的性能。  在工业设备领域,以往主流的Si功率元器件正在被SiC功率元器件和GaN功率器件快速取代。在逆变器领域也呈现同样的趋势。  那么,应该如何为逆变器选择合适的功率元器件呢?  事实上,并不是仅仅更换为新的SiC元器件或GaN器件即可解决问题。这是因为设施的规模和需求不同,相应的解决方案也会不同。根据设施需求和用途选择合适的功率元器件解决方案,就可以实现性价比更高和能量转换效率更出色的逆变器,从而通过逆变器实现节能。  例如,ROHM的功率元器件产品群具有以下特点:  解决不同课题和困扰的各种半导体产品的特点及优势  理想的功率元器件解决方案会因逆变器的用途和需要解决的问题和困扰而有所不同。那么,具体而言,哪些需求更多呢?如果分得太细,涵盖的范围将非常广,所以在这里仅介绍具有代表性的需求以及相应的理想功率元器件解决方案。  1. 希望优先提高转换效率  当希望优先提高转换效率、提高发电量时,建议采用SiC MOSFET和SiC SBD等SiC器件。SiC器件具有耐压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性,因此用SiC器件替代Si器件可以提升转换效率,有助于提高发电量。  例如,当要通过家用光伏逆变器提高平均照度下的发电量时,用SiC器件替代Si器件可将发电量提高3.4%左右,即1kW~2kW时的发电能力预计可改善约45W(全年210kWh)*。另外,对于支持高电压和大电流的逆变器的需求也与日俱增。  *发电5kW时约为130W(全年570kWh)。  2. 希望既能提高转换效率,又能降低成本  既希望提高转换效率,又希望降低成本。Hybrid-IGBT可以满足这样的需求。Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗SiC SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,可以大大降低导通时的开关损耗。  该系列产品非常适用于诸如电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能发电系统中的光伏逆变器等处理大功率的工业设备和汽车电子设备,具有功率损耗低于Si器件、成本效益优于SiC器件的优点。  另外,对于太阳能发电设施中使用的逆变电路、图腾柱PFC电路和LLC电路,建议使用融入了Super Junction技术的PrestoMOS™。PrestoMOS™通过采用ROHM专利技术,同时实现了业界超快反向恢复时间和原本难以同时实现的低导通电阻,与同等的普通产品相比,更有助于逆变器节能。  * PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  3. 希望有助于设备的小型化和轻量化  不仅要求设备的节能性能出色,还希望设备的体积更小。尤其是在太阳能发电设施中,分布式系统的普及要求减轻设备重量以降低安装成本,因此相应的产品呈现小型化趋势。针对此类需求,建议采用GaN器件,这种器件在现有的集中式光伏逆变器中作为替代品已经开始普及,是非常适用于微型逆变器的器件。  GaN器件具有出色的开关特性和高频特性,因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,在助力众多应用实现更低功耗和小型化方面被寄予厚望。  在太阳能发电设施所用的光伏逆变器中,在其MPPT(Maximum Power Point Tracking)和蓄电单元采用GaN器件,与采用SiC器件时相比,可以进一步降低构成电路的线圈部件的电感值(L),从而能够减少绕线匝数、或使用尺寸更细的芯材,因此有助于大大缩小线圈的体积。另外,还可以减少电解电容器的数量,与Si器件(IGBT)相比,所需安装面积更小。ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并一直致力于进一步提高器件的性能。  * EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  另一种推荐方法是利用上述第1节中介绍的SiC MOSFET在高温环境下优异的工作特性优势。由于这种器件的容许损耗低,发热量少,因此可通过与合适的外围元器件相结合来减小散热器件的数量和尺寸,从而减轻逆变器的重量。  模拟IC  与功率元器件一样,电源IC和栅极驱动器等模拟IC对逆变器的性能影响也很大。电源IC可以控制设备运行所需的电压,是相当于电气设备心脏的重要器件,起到将电压转换为合适的电压并稳定供电的作用。栅极驱动器可以控制MOSFET和IGBT的驱动,通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在开关过程中,因此栅极驱动器对于提高节能性能而言是非常重要的器件。栅极驱动器不仅适用于使用大电流的工业设备,还适用于要求高耐压的应用。  电源IC  对于逆变器用的电源IC,推荐采用内置SiC MOSFET的电源IC。这种产品已经将SiC MOSFET内置于电源IC中,应用产品无需进行SiC MOSFET驱动电路设计,因此可以大大减少元器件数量,并且可以利用保护电路实现安全的栅极驱动。  栅极驱动器IC  虽然SiC MOSFET和GaN器件的性能很高,但它们的开关控制较难,因此离不开高性能的栅极驱动器IC。ROHM拥有可以更好地驱动上述各种功率器件的丰富的栅极驱动器IC产品群。例如,ROHM开发的GaN用栅极驱动器IC,可以更大程度地激发出GaN的高速开关性能,助力应用产品实现节能和小型化。  分流电阻器  在电流检测用途中使用的分流电阻器也是有助于大功率应用产品小型化的重要元件。随着应用产品的功率越来越高,对于能够处理大功率且阻值低的分流电阻器的需求也不断增长。  分流电阻器的亮点在于其优异的散热性能和出色的温度特性。ROHM的产品阵容中包括支持高达4W~10W级额定功率的低阻值分流电阻器GMR系列,使用该系列产品,即使在大功率条件下工作也能实现高精度的电流检测,有助于设备的安全运行以及节能和小型化。  总结  为提高能源利用率,逆变器技术正在突飞猛进地发展,并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术,可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电,来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外,通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案,可以进一步提高逆变器的功率转换效率。ROHM通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用,来促进各种设备的节能,从而为实现可持续发展社会贡献力量。
2024-05-17 09:28 reading:364
罗姆寻求与东芝深化功率半导体领域业务整合
  日本罗姆半导体集团正在寻求与最近退市的东芝公司合作,在功率半导体方面寻求业务整合。罗姆副总裁Isao Matsumoto在近期财报电话会议上透露,将于6月启动与东芝公司的谈判,落实整合功率半导体业务,预计一年左右的时间才能达成协议。  东芝于2023年12月正式从东京证券交易所退市,以JIP(日本产业合作伙伴)为首的企业财团通过要约收购的方式将东芝私有化。这一过程中罗姆总共投资3000亿日元,为与东芝在功率半导体领域的整合铺平道路。  东芝退市不久之后,罗姆与东芝便宣布相互替代生产的合作方式,罗姆位于日本宫崎县的碳化硅(SiC)新工厂与东芝位于日本石川县的全新硅基功率半导体工厂,相互合作生产功率半导体。  根据这项计划,罗姆投资2892亿日元,东芝计划投资991亿日元,此外日本经济产业省还宣布将提供最多1294亿日元的补贴,以促进功率半导体企业整合。  罗姆积极寻求进一步整合,已向东芝的大股东JIP提出,希望深化整合,几乎涵盖所有运营层面,包括功率半导体研发、生产、销售供应和物流。  罗姆正在加大对功率半导体的投资,目标是在2021财年至2027财年期间,使该领域的复合年均增长率(CAGR)达到24.7%,远远超过整个市场8.1%的数值。值得注意的是,该公司SiC功率半导体的收入份额预计将稳步上升,超过硅基功率半导体。此外,罗姆8英寸晶圆SiC功率半导体生产计划于2025年开始。  业界表示,罗姆的巨额投资使其盈利能力造成压力,该公司折旧费用增加、研发成本增长,使其利润减少300亿日元。  罗姆认为,电动汽车、工业机械等领域,对于功率半导体的中长期需求将大幅增长,因此有必要尽快投入,在该领域建立国际竞争力。
2024-05-14 13:10 reading:279
罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同
  全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体(以下简称“ST”)宣布,罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。  扩大后的合同约定未来数年向意法半导体供应在德国纽伦堡生产的SiC晶圆,预计合同期间的交易额将超过2.3亿美元。  ST执行副总裁兼首席采购官 Geoff West表示:“通过扩大与SiCrystal的SiC晶圆长期供应合同,我们得以确保150mm SiC晶圆的新增需求量。这将有助于扩大相应产品的产能,确保向全球汽车和工业设备领域客户供货。另外,很好地保持各地区的内部产能和外部产能的平衡,将有助于提升供应链的弹性,促进未来的长效发展。”  罗姆集团SiCrystal总裁兼CEO Robert Eckstein(博士)表示:“SiCrystal是SiC的领军企业罗姆集团旗下的公司,具有多年的SiC晶圆生产经验。我们很高兴能够与我们的老客户ST扩大了这项供应合同。未来,我们将通过继续增加150mm SiC晶圆的供应量并始终提供高可靠性的产品,来支持我们的合作伙伴扩大SiC业务。”  SiC功率半导体以其出色的能效著称,能够以更可持续的方式促进汽车和工业设备的电子化发展。通过促进高效的能源发电、分配和存储,在向更清洁的出行解决方案和废物排放更少的工业工艺转型过程中,SiC可提供强有力的支持。同样,还有助于为AI应用的数据中心等资源密集型基础设施提供更可靠的电力供应。  关于ST  ST是一家拥有5万余名员工、并拥有完善的供应链和先进制造设备的全球综合半导体制造商。目前已与超过20万家客户和数千家合作伙伴企业开展合作,致力于通过开发半导体解决方案和构建生态系统,为客户的业务发展和可持续发展社会添砖加瓦。ST的技术可实现智能出行、高效的电源与能源管理、以及云连接自主化设备的普及。此外,ST还致力于到2027年实现碳中和(范围1、2 、3的一部分)。如欲进一步了解详情,请访问ST的官网(http://www.st.com)。  关于SiCrystal  罗姆集团旗下的SiCrystal公司是单晶碳化硅(SiC)晶圆的全球市场领导者。在电动汽车、快速充电站、可再生能源以及工业应用等众多领域中,SiCrystal的高级半导体PCB是用来提高功率转换效率的基石。如欲进一步了解详情,请访问SiCrystal的官网(https://www.sicrystal.de/)
2024-04-23 16:08 reading:173
罗姆ROHM热设计专题研讨会 | 点击报名
  如今,在功率电子领域,热设计技术已成为确保产品使用寿命、可靠性和性能的极其重要的因素之一。而工程师在工作中也绕不开电生热的问题。如何在有限的成本和特定的环境中将热量降到预期的状态,是一个非常棘手的问题。  而本次研讨会就会围绕这些棘手问题,重点讨论在使用以碳化硅(SiC)为代表的功率器件,稳压器等电源管理IC时,以及在电路设计时必须要了解掌握的热设计的相关知识。演讲涵盖热设计的基础知识、仿真和实用案例等,相信一定可以让各位工程师有所收获。  扫描下方海报,报名本次研讨会,深入了解热设计的相关知识,并有机会获得精美礼品!  研讨会主题  热设计专题  研讨会提纲  1. 热阻和热特性参数  2. 热设计前应该了解的关键要点  3. 罗姆官网上与热相关的内容  研讨会时间  2024年4月24日 上午10:00  研讨会讲师  陆昀宏 经理  2010年加入ROHM。现任HighPowerSolution经理,负责面向包括车载,工业等各领域的SiC产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验,为客户进行选型指导和技术支持。  研讨会报名  热设计学习进阶必备  ✦热设计基础知识  https://techclass.rohm.com.cn/knowledge/category/thermal-design  ✦白皮书资料下载  1、关于热阻和热特性参数  https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/ic/common/thermal_resistance_appli-c.pdf  2、PCB布局时的热设计指南  https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/common/pcb_layout_thermal_design_guide_an-c.pdf  ✦ROHM Solution Simulator-内含多种仿真工具,免费使用!  https://www.rohm.com.cn/solution-simulator  更多内容,请访问下方链接:  https://techclass.rohm.com.cn/downloads
2024-04-07 10:55 reading:226
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