支持数字/模拟输出，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出车规级CMOS集成式温度传感器
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支持数字/模拟输出，纳芯微推出车规级CMOS集成式温度传感器

　　今日，纳芯微宣布推出车规级数字输出温度传感器NST175-Q1和模拟输出温度传感器NST235-Q1、NST86-Q1、NST60-Q1。这些温度传感器采用高性能、高可靠性的CMOS测温技术，具备全温区高精度、高线性度、低功耗和高集成度等特点，无需额外电路，且能有效替代无源热敏电阻，是极具性价比的系列产品。　　汽车电子对温度传感器的性能要求　　在汽车电子系统中，温度传感器是汽车电子中必不可少的组成部分，可以帮助系统有效地管理热量，通过实时监测系统总成中的温度状况，及时调整冷却策略，防止过热并优化性能，确保设备持久耐用。　　通常，汽车系统中电子设备的寿命与其工作的温度直接相关，为了确保车辆持久耐用，如功率级场效应晶体管等组件能够长时间正常运行，温度传感器必须保证极高可靠性且最小漂移量。而传感器材料会影响漂移量，比如基于硅的温度传感器几乎无时漂现象，而电阻式温度传感器的漂移范围大概为每年±0.1°C ~±0.5°C，传统的负温度系数(NTC)热敏电阻的温漂通常会随时间而超过5%(不包括外部组件的漂移)。同时，随着系统的老化，温度传感器误差的增加，会限制系统效率并迫使其提前关闭或导致组件的热损坏。　　因此，在对长期性能有高可靠性要求的汽车电子系统中，全温区内能提供准确温度值的CMOS集成式温度传感器是十分优质的选择，纳芯微的车规级数字温度传感器优势明显，此次推出的车规级数字输出温度传感器NST175-Q1以及车规级模拟输出温度传感器NST235-Q1，NST86-Q1，NST60-Q1，均采用纳芯微高性能、高可靠性CMOS测温技术，具有全温区高精度、高线性度、低功耗以及高集成度等特性，无需额外电路，可有效降低整体方案成本，是无源热敏电阻的有效替代方案。　　该系列产品从设计、制造到封装测试全部采用行业前沿工艺与技术，确保了供应的安全与可靠，降低客户供应链风险，另外产品也能够很好地兼容国内外主流产品，实现在车规温度传感器品类的领先。　　温度传感器在汽车电子中的应用　　温度传感器可满足动力系统对高效率的要求，提升智能座舱的舒适性，还具备预警的作用，可以被广泛应用在汽车动力系统、智能座舱等汽车电子应用。　　高效率：　　汽车动力系统(包括燃油车引擎控制单元和新能源车的电动动力总成)对功率密度的要求日益提升，不断变小的空间导致温度快速升高，加大了热失控的风险，这时，精准的温度传感器和主动冷却系统就显得尤为重要。高精度的温度传感器可在提高效率的同时控制热损伤带来的风险，且能有效助力电动车实现更高的效率和更长的续航里程。　　舒适性：　　在智能座舱系统中，温度传感器同样发挥着重要作用。它们不仅可以帮助空调系统精准控制座舱温度，提升驾乘人员的舒适度，还能用于实时监测主控面板和音响模块等系统中的温度状态来提高系统可靠性。　　预警性：　　此外，温度传感器还具有故障预警和预防的功能，能够及时地检测到系统中潜在的故障或过热情况，并触发警报或采取其他预防措施，以避免设备损坏或停机。这种预见性的维护方式不仅提高了系统的可靠性，还降低了维修成本。
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发布时间：2024-05-17 11:13 阅读量：232 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>发布2024产品选型指南及汽车、可再生能源与电源、工控应用手册
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纳芯微发布2024产品选型指南及汽车、可再生能源与电源、工控应用手册

　　纳芯微作为一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司，经过十余年的发展，在传感器、信号链、电源管理三大产品方向累积了丰富的核心技术。目前可提供1,800余款可供销售的产品型号，被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。　　纳芯微正式发布2024产品选型指南及汽车电子、可再生能源与电源、工业控制应用手册!　　1) 丰富产品品类，持续加强模拟及混合信号芯片能力　　在传感器领域，纳芯微推出了符合汽车电子应用的磁线性电流传感器，已广泛应用于汽车主驱电机电流检测场景;推出了0.27mohm低导通阻抗、抗浪涌电流20kA的大电流集成式电流传感器，已大规模发货;车规级的磁开关、磁轮速传感器等方向研发进展顺利，客户端已完成送样测试。在温湿度传感器方向，相继推出的工规、车规单片集成数字输出高精度的温湿度传感器，均已实现量产。　　在信号链领域，纳芯微陆续推出了隔离式比较器、集成LVDS接口的隔离ADC、电容隔离式固态继电器等新品，其中作为国内首款全集成式隔离比较器，已正式量产，获得众多汽车和工业客户的认可;同时，对数字隔离器和隔离采样芯片进行更新迭代，推出了性价比更高的新品，进一步提升了隔离类产品的竞争力。在通用接口方向，公司围绕汽车应用量产了车规级的CAN FD接口、LIN接口、PWM Buffer、I²C I/O扩展等芯片，其中CAN FD接口芯片、LIN接口芯片已正式量产，并已在部分汽车客户实现定点。在信号调理芯片方向，我们推出的新一代硅麦ASIC已实现量产，该产品在功耗、电源抑制、抗射频能力方面达到业内先进水平;在通用信号链方向，也推出了电压基准新品，完善了通用信号链产品品类，满足市场更广泛的应用需求。　　在电源管理领域，纳芯微已完成工业和车用隔离驱动产品的升级，并在汽车主驱功能安全栅极驱动领域取得了突破性进展，系国内首家完成该产品工程送样的企业。在电机驱动产品方向，直流有刷电机驱动、多路半桥驱动、继电器/螺线管产品系列，已大规模发货;推出的多路预驱马达驱动、步进马达驱动新品，已取得多家域控及车身控制Tier-1的定点。在LED驱动方向，纳芯微完成了应用于贯穿尾灯的LED驱动产品的量产;在供电电源方向，推出了应用于光伏的100V降压型DC-DC;在功率路径保护方向，公司第一颗高边开关产品已导入头部汽车客户。　　2) 围绕应用创新，提供基于客户系统的整体解决方案　　在汽车电子领域：得益于汽车的电动化、智能化、网联化，模拟芯片在汽车里的应用进一步扩大。根据中国电动汽车百人会数据预测，到2027年，单车模拟芯片价值量将达到300美元。纳芯微全面布局汽车电子应用，产品已广泛应用于汽车三电系统、车身控制、智能驾舱等领域，同时，在车身电子、汽车智慧照明、新能源汽车热管理等领域也取得了市场突破，推出的LED驱动、马达电机驱动获得了汽车头部客户的项目定点。2023年，纳芯微汽车电子领域出货量已达1.64亿颗，汽车电子领域收入占比为30.95%。　　在可再生能源领域：根据中国光伏行业协会数据，2023年，全球光伏新增装机超过390GW，创历史新高，国内光伏新增装机216.88GW，继续领跑全球，光伏行业进入快车道。在逆变器方面，2022年中国逆变器出口额激增75%，达到89.5亿美元，2023年上半年大增95%，达到61.6亿美元。　　在工业应用领域，工业自动化是一个增长迅速的细分市场。工业自动化系统通过应用自动化技术实现生产过程的智能化和精确控制，包含传感器、执行器、控制器、计算机及通信网络等组件。2022年中国工业自动化市场规模达到2,963亿元，同比增长1.37%，2017-2022年年均复合增速4.99%。2024年，随着经济形势的改善、新技术的变革以及国内设备更新政策的支持，MIR预计中国整体自动化市场未来将小幅上行，并有望在2026年突破3,000亿元大关。　　2023年，纳芯微在光伏、储能、工业等为主的泛能源市场收入占比约60%
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发布时间：2024-05-14 10:37 阅读量：365 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列，支持客户多样化灵活设计
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纳芯微推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列，支持客户多样化灵活设计

　　纳芯微今日宣布推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用;以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。　　高性价比的NSIP605x系列专为对占板尺寸无特别要求的成本敏感性系统而设计，相比内部集成了变压器的同类器件，NSIP605x可在提供相似系统性能的前提下，具有更高的性价比。NSIP605x系列是对纳芯微现有产品组合的有力补充，通过灵活轻量化的配置可支持客户多样化的系统设计需要，广泛适用于工业、汽车和可再生能源等领域。　　出色的EMI和ESD性能助力缩短系统设计时间　　得益于纳芯微久经验证的EMI优化技术，NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟(SSC)可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。　　通过纳芯微丰富的产品布局满足不同设计需要　　NSIP605x系列推挽变压器驱动是纳芯微推出的高性价比产品系列的新成员。纳芯微亦提供其他高性能、高集成度的产品选择，包括集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列;以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。纳芯微全面的产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。　　封装和选型　　NSIP6051支持SOT23- 5L封装，NSIP6055支持SOT23- 6L封装。NSIP605x系列提供工规和车规版本，工规版本已于近期量产，车规版本将于2024年7月量产。
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发布时间：2024-05-14 10:13 阅读量：171 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出全新固态继电器：支持1700V耐压， 满足CISPR25 Class 5要求
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纳芯微推出全新固态继电器：支持1700V耐压， 满足CISPR25 Class 5要求

　　凭借在隔离技术领域的长期耕耘，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列，该系列提供工规和车规版本。NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。　　集成SiC MOSFET，支持1700V耐压　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压;在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。　　满足各类安规要求，降低系统验证时间　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的专利技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关认证，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。　　EMI显著优化，加速光耦继电器替换　　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表现和更高的可靠性支持客户在系统中同时采用多颗器件而不受影响，显著降低了设计难度，助力客户在系统设计中加速光耦替换。　　封装和选型　　NSI7258提供SOW12封装，兼容市场主流的光耦继电器。工规版本的NSI7258将于近期量产，车规版本的NSI7258-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，将于2024年7月量产。
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发布时间：2024-05-14 09:56 阅读量：257 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！
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纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

　　纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。　　纳芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。　　NPC060N120A产品特性　　更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)　　支持+15V，+18V驱动模式(可实现IGBT兼容：+18 V)　　+18V模式对下，RDSon可降低20%　　更好的RDSon温度稳定性出色的阈值电压一致性　　Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间　　体二极管正向压降非常低且稳健性高　　100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强　　此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：　　以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。　　NPC060N120A产品选型表　　纳芯微SiC MOSFET命名规则　　未来，纳芯微将持续扩大产品阵容，推出更多规格产品供客户选择。
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发布时间：2024-04-17 13:08 阅读量：6235 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>通用运放系列再添新品：低压NSOPA8xxx为汽车与工业应用注入新动力
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纳芯微通用运放系列再添新品：低压NSOPA8xxx为汽车与工业应用注入新动力

　　自年初成功推出高压通用运算放大器NSOPA9xxx系列后，纳芯微NSOPA系列再添新品，推出低压5.5V通用运算放大器NSOPA8xxx系列。这一产品发布，不仅丰富了纳芯微在汽车电子和泛能源(工业新能源)领域的产品组合，更为广大客户提供更广泛和灵活的选择。　　低压通用运算放大器产品凭借其出色的性能，在汽车和工业系统中发挥着至关重要的作用。它能够精准地调理电压、电流、温度等信号，确保系统稳定、高效运行。在汽车领域，该产品广泛应用于三电系统(OBC/DC-DC/PDU)、主驱逆变器、电池管理系统BMS、热管理、车身控制BCM等关键环节;在工业领域，它同样展现出卓越的性能，适用于工业自动化、光伏逆变器、电机驱动器、数字电源、充电桩等核心应用场景。　　此次全新发布的NSOPA8xxx产品系列承袭了NSOPA系列一贯出色的抗干扰性能与高共模抑制等关键特性，更针对5.5V低压供电环境进行优化，将能效与节能提升到了新的高度，同时保持了卓越的性能和可靠性。NSOPA8xxx产品系列提供了沿带宽1.5M/5M/10M及1/2/4通道组合的多种产品型号选择，每种型号均有工规与车规两个版本，以满足不同市场客户的多样化需求。产品命名规则清晰明了，如下图所示，方便客户快速识别与选择。　　其中，OPA代表其功能“运算放大器”，第一个数字8代表低压5.5V，中间的两位数字代表带宽，末尾数字代表其通道数，例如NSOPA8012，意为5.5V耐压1.5M带宽2通道运算放大器，以便让客户能简单识别其作用、带宽及通道数。　　NSOPA8xxx产品系列的车规级别满足AEC-Q100 Grade 1的可靠性要求，可在-40~125℃的严苛环境下胜任工作。不同的封装版本以满足客户不同需求，对应单通道有SOT23-5, SC70封装，双通道版本有MSOP8，SOP8封装，四通道版本有TSSOP14，SOP14封装。　　下面表格以NSOPA801x为例展开料号：　　抗干扰性能提升　　高PSRR 、高EMI抑制比、具ESD防护　　NSOPA801x系列产品以其卓越的抗干扰性能脱颖而出，其高PSRR(电源抑制比)特性确保了电源干扰的有效抑制，无论是在DC还是AC环境下，都能展现出优异的性能。在4V以上供电时，其DC PSRR典型值高达104dB，而在1kHz和10kHz频率下，AC PSRR分别能达到74dB和54dB以上，这一表现在市场同类产品中名列前茅。　　在汽车电子与泛能源应用中，尤其是在开关电源中电流电压信号的采样调理链路中，高PSRR对于提升性能稳定性至关重要。它能够有效地抑制干扰信号通过电源路径耦合到采集回路，从而确保信号调理的准确性和可靠性。　　此外，NSOPA801x系列还具备高EMI抑制比和ESD防护功能，进一步增强了其抗干扰能力。这使得它在应对系统及现场各种开关信号干扰时，能够保持出色的稳定性和可靠性。　　因此，无论是在汽车电子还是泛能源应用中，NSOPA801x系列都能为客户提供一个高效、稳定的信号调理解决方案，帮助客户在研发过程中轻松应对模拟干扰测试，确保系统的整体性能达到最佳状态。　　NSOPA8xxx系列不仅有效应对电源引入的干扰，更对空间辐射干扰给予充分重视。通过内置EMI/RFI滤波器，该系列显著增强了对空间辐射干扰的抑制能力，确保在实际应用环境中展现卓越的抗干扰性和鲁棒性，为稳定可靠的运行提供了坚实保障。　　除了对干扰信号进行高效处理外， ESD防护同样重要，NSOPA8xxx在抗ESD方面亦下足了功夫。以NSOPA801x为例，其HBM可支持高达5kV，而 CDM能在2kV的静电冲击下保持稳健。　　轨到轨输入输出、高共模抑制　　NSOPA8xxx系列为客户提供输入输出轨到轨性能，输入的共模范围为 V--0.2到 V++0.2。输出轨到轨性能在5.5V供电和2k负载下，最大输出信号与电源之差可做到35mV。　　直流共模抑制比(DC CMRR)在5.5V供电条件下表现出色，主输入对区间的典型值99dB以上，CMRR对高频共模变化的抑制作用也尤为显著。　　低失调，低温漂　　NSOPA8xxx系列实现了低失调与低温漂性能，以NSOPA801x性能举例，其失调电压为550μV，温漂为0.7μV/℃。能充分满足泛能源和汽车的信号调理和采样应用中对于直流精度及温漂的要求。　　多种带宽，高压摆率, 低噪声　　NSOPA8xxx系列同样有不俗的交流参数表现，首先带宽上提供NSOPA801x，NSOPA805x，NSOPA810x三个版本可选，分别对应1.5M、5M、10M版本以满足不同带宽需求。内置对大信号的处理电路，能支持2V/μs的压摆率，轻松应用突如其来的脉冲信号，例如实际系统安全相关的过流、过压，该压摆率能支持及时地触发保护门限，为系统保护赢得时间。　　噪声性能方面，NSOPA系列采用低噪声工艺平台设计：
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发布时间：2024-04-15 11:47 阅读量：320 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>电子：集成式电流传感器NSM211x：从工业到汽车，应用广泛，性能卓越
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纳芯微电子：集成式电流传感器NSM211x：从工业到汽车，应用广泛，性能卓越

　　纳芯微宣布推出全新的车规级高带宽集成式电流传感器NSM211x系列，该系列是完全集成的高隔离电流传感器解决方案，无需任何外部隔离元件，即可实现精准的电流测量。　　NSM211x系列产品凭借其优越的性能，已在工业领域交流或直流电流检测中得到广泛应用。而此次推出的车规级产品系列满足AEC-Q100 Grade 0的可靠性标准要求，能在更为严苛的工作温度范围(-40~150℃)内稳定运行，展现出高精度、高隔离耐压、强通流能力、高可靠性等特性，满足汽车应用中交流或直流电流检测的需求。　　集成式电流传感器在汽车中应用广泛，NSM211x系列的主要应用场景包括：OBC/DC-DC、PTC、车载电机控制及充电桩电流检测等。在这些关键应用中，电流传感器对电源、转换器和电机绕组中电流数据的精准捕捉，对保持汽车控制系统的稳定和安全至关重要。此外，NSM211x系列还可用于车载燃料电池系统，实现低温启动、高温运行及其切换过程中的多目标优化控制，为汽车的智能化和高效运行提供有力支持。　　纳芯微车规级高带宽集成式电流传感器NSM211x系列　　NSM211x系列覆盖三种封装形式：SOW10(0.27mΩ原边阻抗)、SOW16(0.85mΩ/1mΩ原边阻抗)、SOP8(1.2mΩ原边阻抗)，每种封装包含多个产品型号。通过可选的不同封装形式、直流输入/交流输入、比例输出/固定输出、是否带参考电压、是否带过流保护以及阈值是否可调等多种选项，NSM211x系列能够满足不同的系统应用需求。　　高带宽 快速响应　　依托独特的电路设计，NSM211x系列实现了高达1MHz的-3dB带宽，响应时间低至400ns，有助于控制系统实现快速的环路控制与过流保护，为电源等应用场景提供了更加紧凑、更加可靠的解决方案，可使系统BOM更简单、性价比更高。　　高隔离耐压 强通流能力　　NSM211x系列实现了高达8.2mm的爬电距离与满足UL标准的5000Vrms 的耐受隔离耐压、1618Vpk最大工作隔离耐压能力。同时实现了业内领先的低至0.27mΩ的原边阻抗，持续通流能力高达100A，进一步降低了紧凑系统中散热设计的难度。　　高精度标准 无需二次编程　　得益于芯片内部精确的温度补偿算法以及下线校准，NSM211x系列在全工作温度范围都可以保持较高的测量精度，用户无需二次编程，在全温度范围内可实现<±2%的灵敏度误差以及<±10mV的零点误差。　　选型灵活　　NSM211x系列支持3.3V或5V 供电电压( 不同供电版本 )，以满足不同电源系统的需求;支持直流电流或交流电流测量，电流量程覆盖5~200A;支持参考电压输出、过流保护输出以及过流保护阈值配置等选项。
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发布时间：2024-04-08 13:08 阅读量：459 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>模拟IC解决方案，助力多联机中央空调节能降噪
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纳芯微模拟IC解决方案，助力多联机中央空调节能降噪

　　据行业报告显示，2023年全年中国中央空调的市场实现了4.6%的增长，继2022年市场下滑后重新迎来了一波增长。其中工程项目占总市场的70%，市场占有率有小幅增长，增长率为5.7%;而家装零售市场占比仅为30%，增长率也仅有2.1%，增长相对比较缓慢。　　2023年中国中央空调市场占比前三的产品类别分别为：多联机组，单元机组和离心机组。其中多联机的使用占比最高，高达48.7%，位居第一;其次为单元机组，占比为18.8%。　　(数据来源：艾肯网)　　多联机组中央空调得到高速增长主要原因是其安装成本便宜、使用灵活、能效高，因此得到了市场的广泛欢迎，尤其是新兴行业的火热助推了工程项目市场的增长，成为其快速增长的主要推动力。　　多联机组中央空调采用“一拖多”的架构，即由一个室外机带动多个室内机，室内机可以单独安装在不同房间里，每个室内机都会对应一个线控器，通过反馈的温度、湿度等信息，可以自动调节出风口、风量以及制冷、制热功率等，以保持舒适的室内温度。多联机的技术趋势主要为两个方向，一是节能降噪，即需要室外机甚至室内机都有变频能力;二个是高舒适度和节能环保，即对空调的风量和温湿度进行更加精准的控制，同时减少空调制冷介质冷媒的泄露。　　纳芯微具有丰富的传感器产品组合，能够满足人们提高舒适度的要求，并符合绿色环保的趋势。　　点击查看纳芯微应用于中央空调的传感器解决方案　　此外，纳芯微还能够提供丰富的模拟IC解决方案。如下图所示，为多联机组的室外机和室内机系统框图，上半部分为室外机，下半部分为室内机。室外机中用到大量的模拟IC，根据其电路拓扑所示，市电交流电输入经过PFC整理转换为高压直流电，然后供电给两个电机的母线。电机的驱动采用IGBT或IPM直接控制。由于MCU通常位于低压端，而IGBT位于高压端，因此需要隔离驱动器来控制这些功率管;同时，室外机和室内机之间需要通过RS485或CAN总线进行通信;由于这两套系统通常不共地，因此需要隔离接口。　　多联机系统框图　　一、纳芯微隔离类产品　　纳芯微隔离技术　　目前，市场上的主流隔离技术有三种：光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。比起光耦隔离技术，容隔隔离技术采用耐压500V/μm的二氧化硅作隔离介质，耐压高且使用寿命长，可靠性和绝缘度很高，同时相较与磁耦隔离成本更低。纳芯微的隔离产品均基于容耦隔离技术进行开发，产品包括数字隔离器、隔离驱动、隔离接口、隔离运放等产品。　　此外，纳芯微的产品采用双边高压电容隔离技术，由两部分组成，左右各有一个Die，两者之间都有隔离电容，是一种双电容隔离方式，也叫增强型隔离。即使有一个电容损坏，还有另外一个电容，可以满足产品耐高压、长寿命、宽温度范围的需求。纳芯微的产品均通过了UL、VDE、CQC等各种认证。与此同时，纳芯微的容隔产品采用自有专利的Adaptive OOK®方式进行编码传输，高电平时发出一个高频正弦波，低电平时不发，然后进行解调，差分传输可以将一些共模干扰滤掉，以提高CMTI(共模瞬态抗扰度)，同时具有更低电磁辐射和更低误码率的优点，芯片鲁棒性也更高。　　1、隔离驱动　　· 带米勒钳位的隔离单管驱动NSI6601M　　随着母线电压或开关频率提高，在开关过程中会导致很高的dv/dt;同时为了实现小型化，受限的布局也会产生寄生阻抗，给驱动环路带来一些自身电感，dv/dt的充放电可能会出现回路震荡。因此为了防止震荡并满足高频化要求，需要采用带米勒钳位的隔离驱动。　　其工作原理为：伴随上下管打开产生的dv/dt，米勒电容会产生一个电流，如果驱动回路阻抗较大，因为米勒电容产生的电流会导致较大Gate电压，导致原本关闭的管子会误打开，使上下管短路，甚至损坏管子;带米勒钳位的隔离驱动可以提供非常低阻抗的回路路径，将米勒电流释放到地，使门级值钳位到很低的电压，防止管子打开。　　因此，很多空调或电源应用都选择带米勒钳位的隔离驱动，可以满足高频化要求，提供更稳定的电流输出，同时防止管子打开。综上，带米勒钳位的隔离驱动在防止震荡、满足高频化要求、提供低阻抗回路路径以及防止管子打开等方面具有重要作用。　　纳芯微隔离单管驱动NSI6601M已大量应用于空调压缩机，主要用来驱动IGBT。该产品驱动电流为5A，集成米勒钳位功能，CMTI高达150kV/μs。该产品有两种封装可选，一种是窄体SOIC-8，另一种是宽体SOIC-8。　　· 带保护功能的隔离单管驱动NSI68515　　空调的压缩机可能会出现IGBT短路，一种情况是上下管短路，会直接烧掉IGBT;另一种情况是电机对地短路，比如上管打开对地短路后，会有很大的电流流过IGBT直到电机的地，致使管子损坏，甚至损坏电机。因而带保护功能的隔离驱动产品能够有效功率管，保护系统。　　纳芯微隔离单管驱动NSI68515带DESAT保护功能，可检测DESAT脚的隔离耐压。当发生过流时，电压会出现一些变化，通过DESAT引脚检测过流情况，而后进行软关断，即在过流之后慢慢关断释放电流，减少电压过充，防止IGBT损坏，以保证系统稳定运行。　　NSI68515采用电流型输入，集成了米勒钳位、DESAT保护以及软关断等功能。CMTI高达150kV/μs，隔离工作耐压高达2121V DC，驱动电流高达5A，米勒钳位电流为4A，支持轨到轨输出，结温为150℃，能够很好满足空调压缩机的应用场景，目前该款产品已在主流中央空调中有大量使用。　　2、数字隔离器　　· 第二代数字隔离器NSI82xx系列　　第二代数字隔离器NSI82xx系列包含一通道、两通道、三通道、四通道和六通道的产品，封装类型很多，广泛支持各种系统设计和PCB布局。考察数字隔离器性能的一个主要指标是CMTI，纳芯微NSI82xx系列数字隔离器的CMTI比业内一些产品的裕量高1.5至2倍。在ESD方面，单面和双面都比竞品同类型产品裕量更高，单面ESD可达8000V，双面可达15kV。　　3、隔离接口　　· 三合一隔离接口NSIP8308x系列　　NSIP8308x系列是集成度非常高的三合一隔离接口，将数字隔离器、RS485接口以及电源集成在一起。集成隔离电源可以减少电源轨，仅用一路电源即可为芯片隔离供电。RS485接口产品的速率非常高，可达16MHz;CMTI可达±150kV/μs。NSIP8308x系列多款产品支持全双工和半双工。　　二、纳芯微其他模拟IC　　除了传感器和隔离类产品，纳芯微的非隔离驱动也在中央空调有着广泛的应用。其非隔离5A双通道低边驱动产品NSD1026V适用于空调PFC的IGBT驱动。其输入端可以耐受高达-10V的负压，同时具有5A反向电流功能，无需进行输出保护。由于需要驱动PFC低边的IGBT，因而在控制器、MCU和驱动器布局都可能产生一些寄生电感，并产生负压，在输入端两个地之间形成一个压差，使输入侧出现负压，输入侧产生-10V的负压可以保证芯片的稳定运行。　　另外，由于驱动器内部打线以及PCB走线会造成寄生电感，驱动器会因输出过冲震荡而损坏，如果能承受5A峰值反灌电流，就为过充能量提供了释放路径，可以在一些布局要求比较高的产品中使用。
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发布时间：2024-03-20 14:17 阅读量：686 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>：8通道1Ω车载低边驱动全新发布！具备跛行模式，支持负载开路诊断功能！
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纳芯微：8通道1Ω车载低边驱动全新发布！具备跛行模式，支持负载开路诊断功能！

　　针对汽车电气化与智能化涌现出越来越多的高压继电器、车身LED、单极性步进电机等负载，纳芯微推出全系列车规级低边驱动产品以满足不同通道电流，集成度与诊断的需求。如下表所示，纳芯微低边系列产品覆盖1/2/4/8通道不同阻值系列，其中NSD11/12系列为单/双通道90~300mΩ低边系列;NSD5604-Q1为最高支持55V耐压的4通道低边驱动，非常适合应用于商用车24V平台控制器应用;全新8通道低边驱动NSD56008-Q1产品具备跛行模式并支持负载开路诊断功能。　　NSD56008-Q1产品特性　　工作电压：4.5V – 28V　　8通道1Ω低边驱动，每通道典型负载电流330mA　　16位SPI通信，支持并联和菊花链模式，兼容8位SPI通信　　2个兼容CMOS的输入引脚IN0和IN1，可映射到输出端口　　全功能检测及保护：过载，过温诊断及保护，过压保护和开路诊断。　　支持跛行模式　　支持并联模式　　工作温度：Tj=-40°C~150°C　　封装形式：HTSOP24　　AEC-Q100认证　　1、输入IO映射功能(Input Mapping)　　NSD56008-Q1提供IN0和IN1两个输入控制引脚，在默认模式下分别控制输出通道OUT2和输出通道OUT3，同时也可以通过映射地址寄存器(mapping registers) MAP_IN0和MAP_IN1将IN0和IN1映射到任意一个输出通道，以实现PWM控制任意输出通道，该功能可广泛应用于散热风扇模组调速控制与LED亮度调节等场景。　　2、跛行模式(Limp Home)　　针对汽车发生故障后需要保持持续工作的要求，当芯片IDLE 引脚为“低电平”且其中一个输入引脚(IN0或者IN1)设置为“高电平”时，NSD56008-Q1进入跛行模式(Limp Home Mode)，IN0与IN1默认映射到输出通道OUT2与OUT3，可用于保持特定负载/继电器持续工作，所有其他输出通道均关闭。在跛行模式下，为防止MCU可能出现的"不可控操作"，NSD56008-Q1寄存器仅支持读取，不支持寄存器写入操作。MCU可通过输入状态寄存器(Input Status Monitor)监控 NSD56008-Q1 INx的状态是否与配置相符;同理，通过输出状态寄存器(Output Status Monitor)监控OUTx负载工作状态是否正常。　　3、有源钳位(Active Clamping)　　钳位能量是衡量低边开关在驱动感性负载以实现快速退磁功能的一项重要指标，退磁能量与感性负载电感值、负载电流、钳位电压与退磁时间相关。钳位能量衡量指标主要分为单次脉冲能量耗散(single pulse)和重复脉冲能量耗散(repetitive pulses)。单次脉冲能量耗散衡量的是低边驱动全生命周期不损伤芯片的情况下，短时间能够承受的最大能量耗散值;重复脉冲能量耗散衡量的是低边驱动在周期性关断过程中在不会因为累积效应对芯片造成损伤情况下所吸收的单次退磁能量值。　　NSD56008-Q1常用于驱动小电流感性负载例如12V继电器，25度摄氏度下，最大平均电流为300mA左右，85摄氏度条件下，最大平均电流为200mA左右。根据其实际应用负载电流并考虑充足余量的情况下，在负载电流580mA测试中，NSD56008-Q1单次脉冲测试可承受120mJ以上能量耗散(datasheet 中降额为50mj@440mA, 25℃)。重复脉冲测试中单次能量耗散为20mJ(datasheet中降额为10mj@440mA, 85℃)，其在环境温度85度情况下，完成200万次关断操作后仍然保持功能正常。　　单脉冲关断能量 - 25摄氏度　　重复多次脉冲关断能量 - 200万次反复关断 - 85摄氏度　　4、诊断和保护(Diagnosis & Protection)　　NSD56008-Q1配备丰富的保护与诊断功能，分别提供逻辑供电与功率供电欠压保护;每个通道独立设计过载与过温保护，各过温过载以及负载状态的诊断信息通道间相互独立并能够通过寄存器汇报到MCU，一个通道的错误状态不会影响其他通道正常工作。　　保护功能：　　VDD欠压保护　　VS欠压保护　　每通道独立过载　　与过温保护　　诊断功能：　　芯片工作模式监控　　输入与输出IO状态监控　　输出通道过载与过温状态监控　　输出通道开路诊断　　通信错误诊断　　纳芯微低边驱动产品系列选型表：
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发布时间：2024-03-20 14:09 阅读量：1296 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初 ​
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纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初 ​

　　纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品，凭借其卓越的性能与稳定性，不仅能满足电子设备不断增长的性能需求，更有助于客户开拓更为广阔的应用领域。　　如何选择电压基准源芯片?　　在选择一颗作为基准电压的电压基准源芯片时，首先需要从系统架构上考虑以下几个要素：电源电压、功耗预算、负载能力、温度范围和封装尺寸等。　　在满足了系统的基本要求之后，需要进一步考虑基准源芯片的性能参数是否能够满足需求。高精度、低噪声是电压基准源的基本性能要求，在不同的外界环境变化下，如温度变化、环境应力变化、时间变化等，基准源也都需保持稳定。这些外部因素都会影响电压基准源的性能，因此，有不同的性能参数用来标定基准源的性能高低，如初始精度、温度漂移、噪声、热迟滞、长期漂移、电压调整率、负载调整率、输入输出电压差等。　　电压基准源的选择要素　　NSREF30/31xx系列的产品优势　　纳芯微的电压基准源NSREF30/31xx产品具有高精度、低温漂、低噪声、低功耗特性，该系列包含NSREF30xx和NSREF31xx两个子系列，每个子系列有6个不同型号，分别对应6个输出电压选项。每款产品均有车规和工规型号，其中车规级产品满足AEC-Q100 Grade1的可靠性要求，可在-40～125℃的严苛环境下工作。　　温度漂移是电压基准源最重要的参数之一，它是由电路缺陷和非线性引起的漂移，往往是非线性的。纳芯微电压基准源采用了黑盒法(Box method)对温度漂移进行测量和标定。　　事实上，温度漂移计算只是基于有限的温度测量点来测量电压的最大值和最小值，并没有考虑这些极值发生在哪一个温度点。因此，对于一个非线性的温漂器件来说，其温度漂移指标并不能用来说明该器件在较窄的温度范围内，其温度漂移指标会比标定的更好。　　NSREF30xx系列的温漂典型值为10ppm/℃，最大值35ppm/℃。NSREF31xx系列的性能更高，温漂典型值为5ppm/℃，最大值15ppm/℃，能够保证在全温度范围内实现高精度ADC采样。在其他性能参数方面，两个系列的基准源产品表现同样卓越。　　NSREF30xx和NSREF31xx的温漂性能表现　　低噪声是NSREF30/31xx系列的另一特色。电压基准源输出电压噪声一般表现为低频1/f噪声和宽带白噪声。在实际应用中，宽带噪声可通过压缩带宽的手段来抑制;而低频1/f噪声在应用中很难去除，是高精度测量的主要误差之一。　　NSREF30/31xx采用先进的工艺及专门的低噪声设计，2.5V输出电压时的1/f噪声典型值仅为20μVpp(峰峰值)，且噪声分布相对收敛;1sigma值小于2μVpp，大大降低了低频噪声对ADC采样误差的影响。在保证低噪声的前提下，NSREF30/31xx仅消耗140μA(典型值)电流，因此适合工业现场变送器、电力、便携式测量设备等应用。　　对比表明，在近似的静态功耗和温漂性能下，NSREF30/31xx系列产品的低频1/f噪声远低于市面上主流产品。　　NSREF30xx和NSREF31xx的低频噪声性能表现　　得益于良好的环路设计，在输入电压仅比输出电压高1mV(典型值)时，NSREF30/31xx即可正常输出工作电压(NSREF3012/3112需要最低1.8V工作电压)，对电源(如电池供电)电压可能出现降低的应用场景非常友好。　　此外，NSREF30/31xx具有源电流和吸电流能力(典型值±10mA), 输出端不接输出电容也可以稳定输出电压，不会因所接电容发生故障或失效而导致器件工作不正常，且能够支持很宽的环路稳定电容值范围，从而适应不同应用电路和场景，拓展了其应用范围。　　在实际应用中，为了减小电压基准源长期漂移对系统精度的影响，通常需要进行定期校准，但这样会导致生产率降低等方面的问题。因此，引入长期漂移的性能指标对精密系统的设计尤为重要。　　长期漂移是指电压基准源输出电压随时间变化的漂移量，基准源的长期漂移主要是机械应力和老化所致，早期漂移主要由机械应力引入，通常会造成基准源电压出现较大的漂移。随着时间的推移，封装、焊接和芯片材料越来越稳定，漂移量会越来越小。需要注意的是产品手册标定的长期漂移，是指基准源输出电压在前1000小时漂移量而非每1000小时漂移量。　　NSREF30/31xx系列在35℃下前1000小时漂移量为100ppm(典型值)，前2000小时漂移量为130ppm(典型值)。在估算更长时间的漂移量时，可使用归一化到1000小时漂移量的平方根公式LTD(h)来计算。　　基准源的长期漂移性能表现　　基准源性能对ADC采集系统影响的分析　　结合上述介绍的性能指标，以NSREF3130为例，分析其性能对ADC采集系统的影响。系统误差通常使用统计公差分析的平方根(RSS)法来计算。表格统计了NSREF3130的误差项及误差大小，方程式展示了使用平方根法计算的总误差，并将基准源总误差转换为LSB。本例省略了线性调整率、负载调整率等误差。由方程式得出，对于12位ADC， NSREF3130的误差贡献为13LSB。　　通过系统校准，可以消除初始精度带来的误差，同时温度漂移和长期漂移改善80%。由计算可得，校准后的系统中NSREF3130带来的总误差仅为2LSB。　　进一步拓展应用边界　　纳芯微电压基准源产品NSREF30/31xx系列，凭借其高精度、低温漂、低噪声、低功耗等诸多优势，赢得了客户的高度认可与好评。　　该系列产品得益于先进的制程工艺和独到的设计理念，不仅实现了高初始精度，更在低温漂特性上超越了同类市场产品，确保在全温度范围内都能保持卓越的采样精度。　　NSREF30/31xx系列电压基准源拥有广泛的应用前景，可被应用于光伏、工业自动化、数字电源、充电桩等多个领域。它为客户提供稳定可靠的性能输出，助力实现更高效、更精确的数据采集和处理，从而帮助客户进一步拓展其应用边界，探索更多可能。
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发布时间：2024-03-15 14:46 阅读量：364 继续阅读>>

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