钽电容全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,因而得名。钽电容是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,它的性能优异,是一种电容器中体积小而又能达到较大电容量的被动型元器件。钽电容器外形多种多样,并制成适于表面贴装的小型和片型元件。钽电容器不仅在军事通讯,航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制,影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。
钽电容器可以非常方便地获得较大的电容量,在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手;其具有单向导电性,即所谓有“极性”,应用时应按电源的正、负方向接入电流,电容器的阳极(正极)接电源“+”极,阴极(负极)接电源的“-”极。如果接错不仅电容器发挥不了作用,而且漏电流很大,短时间内芯子就会发热,破坏氧化膜随即失效,造成不良的后果。
钽电容器工作电压有一定的上限平值,但这方面的缺点对配合晶体管或集成电路电源,是不重要的。
钽电容器具有储藏电量、进行充放电等性能。
钽电容的性能稳定,精确度高,滤除高频极好,但由于钽电容造价高,所以一般用在比较高端的产品上,比如电脑主板上和显卡上或者手机中都用到了大量的钽电容,所以钽电容一般都是用在对电容的稳定性要求比较高的电路中,适用于尖端军事、电脑、汽车、通讯、高档家用电器等领域。
固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积效率优异,具有其独特的特征:
优点:
①比容量高,适于小型化;
②自愈能力强;
③能很方便地获得较大的电容量;
④温度稳定性良好。
不足:
①耐压较低;
②具有正负极性,不可接错;
③价格较贵。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注