5G基站雷击老翻车？<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>蓝宝宝TVS单器件搞定48V电源防护！
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5G基站雷击老翻车？上海雷卯电子蓝宝宝TVS单器件搞定48V电源防护！

　　在 5G 时代，基站高密度部署已成常态，户外雷雨、高温、高湿等恶劣环境却给 48V 电源系统埋下了 “隐形炸弹”—— 雷击浪涌带来的过电压冲击，轻则导致设备宕机，重则直接烧毁核心部件，严重影响通信网络连续性，还让运维成本居高不下。作为基站稳定运行的 “生命线”，电源防雷防护早已成为行业核心技术难题。　　传统防雷方案大多采用 “GDT+MOV+退耦元件+小功率TVS” 的多级组合设计，但这套方案的弊端日益凸显：MOV等器件老化不可逆，防护能力会随使用时间衰减，需要频繁更换;多级器件的动作时序协调复杂，稍有偏差就可能导致防护失效;同时，过多元件会占用大量PCB空间，与5G基站小型化、高密度的设计趋势相悖，还会带来额外能耗和散热压力，在多雷雨地区的基站雷击故障率始终居高不下。　　针对这些行业痛点，深耕通信防雷技术研发多年的上海雷卯电子，推出了蓝宝宝大功率 TVS 系列产品。该系列不仅完全契合 GB 50689-2011等通讯行业防雷核心标准，更以 “单器件替代多级组合” 的创新设计，打破了传统方案的技术局限，为 48V 基站电源提供了高效、可靠、合规的专业化防雷解决方案。　　一、专为基站电源而生　　核心性能精准适配需求　　蓝宝宝 AK20 系列大功率 TVS，是雷卯电子针对 AC/DC 线路(尤其是基站 48V 直流电源系统)严苛浪涌测试环境量身打造的防护器件，每一项性能都精准匹配通信设备的高可靠性要求：　　极低钳位电压，防护更精准：很多人可能不清楚 “钳位电压”的作用 —— 简单说，它就是TVS限制瞬态过电压的 “安全阈值”。蓝宝宝系列的钳位电压(Vc)≤80V(如上48V专用型号)，相较传统MOV方案，能更快速、精准地将雷击产生的过电压 “压” 在安全范围内，避免后端设备被过电压击穿。　　响应速度毫秒级，雷击无死角：雷击浪涌的冲击时间以纳秒计算，防护器件的响应速度直接决定防护效果。蓝宝宝 TVS 的响应时间低至 0.5ns，相当于 “闪电般” 泄放浪涌能量，不给过电压伤害设备的机会。　　双向防护 + 串并联灵活部署：采用双向防护设计，无论浪涌电压从哪个方向袭来，都能有效抵御;支持串并联组合部署，可快速构建超高浪涌电流防护方案，轻松应对户外基站的极端雷击冲击。　　二、参数硬核，兼顾防护力与实用性　　在电气参数设计上，蓝宝宝系列充分考虑了基站的复杂使用场景，做到 “防护力拉满，适配性拉满”：　　峰值脉冲电流(IPP)覆盖10-20kA，可选 1KA、3KA、6KA、10KA、15KA、20KA 等多个系列，从普通雷雨地区到强雷击区域，都能找到适配型号;　　峰值功率(Pppm)≥3000W，能快速吸收并泄放雷击产生的巨大能量，避免自身损坏;　　工作温度范围宽至 - 55℃~+150℃，存储温度同样覆盖 - 55℃~+150℃，无论在严寒的北方还是炎热的南方，都能稳定工作，还符合高温焊接豁免要求(参考 EU Directive Annex Notes7)。　　更关键的是，蓝宝宝系列实现了 “单器件集成泄能与钳位功能”—— 无需额外搭配退耦元件和末级防护器件，彻底解决了传统多级方案的能量协调难题。这一设计不仅简化了电路设计流程，还让 PCB 空间占用率较传统方案降低 60% 以上，完美适配 5G 基站小型化、高密度的布局需求。　　三、多场景抗干扰，合规性拉满　　基站电源面临的干扰不止雷击浪涌，静电、电快速瞬变脉冲群(EFT)等也会影响设备稳定性。蓝宝宝系列 TVS 不仅专注防雷，还能 “一器多防”：　　满足 IEC 61000-4-2(ESD)标准，可抵御空气放电 15kV、接触放电 8kV 的静电干扰，避免设备因静电导致的信号紊乱、部件损坏;　　符合 IEC 61000-4-4(EFT)标准，能有效抵御电快速瞬变脉冲群的冲击，保障电源系统持续稳定输出。　　对于通信行业而言，合规性是选型的重要前提，蓝宝宝系列完全满足行业核心标准，让基站运维无需担心合规风险。　　四、国产化创新，推动行业降本增效　　雷卯EMC小哥强调，基站电源防雷防护的核心在于“低阻抗、短路径、精准适配”。蓝宝宝大功率TVS的创新之处，正是用单器件替代了传统的多级堆砌设计 —— 既满足了 48V电源系统的浪涌防护需求，又大幅降低了方案实施难度和综合成本(减少元件采购、简化装配、降低运维频率)。　　作为国产化大功率TVS的代表，上海雷卯电子蓝宝宝系列的推出不仅突破了传统防雷方案的技术局限，更推动了国产化器件在通信行业的规模化应用。对于基站建设方和运维方来说，选择蓝宝宝，意味着选择了 “高效防护+空间适配+成本优化+合规保障” 的一站式解决方案，为5G基站的稳定运行筑牢防雷 “安全盾”。
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发布时间：2026-01-30 15:09 阅读量：263 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：汽车抛负载（Load dump）深度解析与保护方案
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上海雷卯电子：汽车抛负载（Load dump）深度解析与保护方案

　　一.抛负载的定义与分类　　抛负载(英文：Load dump)，指的是电源与负载断开的瞬间，因负载突变引发电源电压急剧波动的现象。在汽车电子领域，具体是指蓄电池充电过程中，发电机与蓄电池突然断开连接，导致发电机输出产生大幅电压尖峰，进而对其他连接在发电机电源上的电子设备构成损坏威胁。　　汽车抛负载主要分为三类：仅切断发电机向负载供电，称为“发电机单抛”;仅切断蓄电池，称为 “蓄电池单抛”;同时切断发电机与蓄电池，则称为 “双抛”。考虑到汽车运行对可靠性的严苛要求，国际标准化组织(ISO)制定的抛负载试验，具备充分的科学性与必要性，该试验属于破坏性极强的严苛测试项目。　　二.抛负载测试标准　　7637-5A/5B 详解　　汽车抛负载的影响程度主要取决于三个核心因素：最大电压、电源内阻及电压尖峰持续时间，因此，精准控制这三者的综合作用，是汽车抛负载保护设计的关键所在。　　ISO7637 标准明确规定了 12V和24V电气系统道路车辆沿电源线的电传导骚扰及其抗扰度的试验等级与测量方法，其中脉冲波形 5A和5B 对应的测试是该标准中最具破坏性、通过难度最高的项目。两者的核心区别在于：7637-5A为未经抑制的原始脉冲波形，能量冲击更强;7637-5B为发电机前端配备电压抑制装置后的脉冲波形，能量相对温和。在相同内阻条件下，脉冲波形的面积直接反映了其携带能量的大小。　　　上海雷卯电子拥有专业的电磁兼容实验室，可为客户提供抛负载摸底测试服务，下图为实验室开展 7637-5B 测试的现场场景。　　　三.7637-5A/5B 能量抑制设计　　核心要求　　7637-5A 测试模拟了最恶劣的抛负载工况：对于12V系统，其尖峰电压 Us区间为 79-101V，内阻范围 0.5-4Ω，浪涌电压持续时间 40-400ms。若针对该场景设计的抛负载保护方案，能在规定脉冲条件下通过 10 次连续测试，则表明该保护方案具备合格的防护能力。　　上海雷卯电子作为专业的电磁兼容方案设计与器件制造商，已针对7637-5A/5B 测试验证了多种保护方案，以下将逐一呈现，供工程师根据实际需求选择。　　四.结构简化的TVS管保护方案　　上海雷卯电子推出一款结构极简的抛负载保护方案，仅需一颗TVS 管(瞬态抑制二极管)即可实现核心防护，电路结构如下：　　　　(1)针对 7637-5A 的保护方案及测试数据　　(2)针对 7637-5B 的保护方案　　多数汽车原厂已配备电压限位装置，可确保抛负载时的输出浪涌电压不超过7637-5B标准设定值，大幅降低了风险等级。针对此类场景，可选用高性价比保护方案，推荐上海雷卯电子的 SM5S24CA 系列车用 TVS 管或 6.6SMDJ24CA 型号 TVS 管，其测试波形如下：　　五.DC-DC模块的设计考量　　由于TVS管本身的特性，其箝位电压与工作电压存在一定波动区间，为确保 DC-DC 模块在抛负载场景下的稳定运行，需遵循以下耐压选型原则：12V系统的 DC-DC 模块耐压值应不低于 40V，24V系统的 DC-DC 模块耐压值应不低于 60V。　　若实际应用中需要更低箝位电压的TVS管，上海雷卯电子可提供专用低箝位 TVS 物料，满足个性化防护需求。　　以上关于抛负载的技术解析及电路设计相关疑问，可咨询上海雷卯电磁兼容专业工程师(EMC 小哥)。Leiditech雷卯电子致力于成为全球领先的电磁兼容解决方案与元器件供应品牌，主营 ESD(静电放电)保护器件、TVS 管、TSS(晶闸管浪涌抑制器)、GDT(气体放电管)、MOV(压敏电阻)、MOSFET(场效应管)、Zener(齐纳二极管)、电感等产品。公司拥有一支经验丰富的研发团队，可根据客户具体需求提供定制化服务，打造最优电磁兼容解决方案。
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发布时间：2026-01-28 09:41 阅读量：333 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：汽车BMS电池管理——菊花链通讯保护方案
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上海雷卯电子：汽车BMS电池管理——菊花链通讯保护方案

　　汽车BMS电池管理已从CAN通讯向菊花链桥接通讯的方式转变，在菊花链的环体系结构中，即使在一端通讯电缆断开的情况下,也可以通过反向通讯保证所有电池模组的通讯，从而增强通讯的稳定性。　　上海雷卯EMC小哥以NXP的MC33664与MC3377X应用为例，制作了菊花链通信电路的静电与浪涌保护方案图:　　菊花链通信电路的静电与浪涌保护方案推荐料号如下：　　以上器件都满足IEC 61000-4-2/ IEC 61000-4-5/AECQ- 101标准。　　在BMS控制板上其它接口，雷卯电子也有针对性的防护方案：　　电源防反接与浪涌保护方案：　　上海雷卯针对BMS系统电源端防反接浪涌保护料号：　　CAN FD通讯接口防护方案：　　RS485串口通讯接口防护方案：　　上海雷卯针对BMS系统各个接口静电防护推荐的ESD料号如下：　　雷卯EMC小哥建议在高压侧开关控制、低压侧供电，以及电压、电流、绝缘电阻检测环节加入合适的TVS二极管等保护元件防止过压或过流，具体参数需根据实际情况来确定。
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发布时间：2025-12-24 14:21 阅读量：474 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>丨电子制造人必看：从MSL1到MSL6，如何避免湿气导致的焊接缺陷？
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上海雷卯电子丨电子制造人必看：从MSL1到MSL6，如何避免湿气导致的焊接缺陷？

　　在电子制造领域，MSL等级是看似不起眼却至关重要的参数，直接关系到电子元件在SMT回流焊过程中的可靠性。上海雷卯电子的雷卯EMC小哥经常接到客户关于MSL等级的咨询，今天就带大家系统拆解这一电子元件可靠性核心指标。　　MSL(Moisture Sensitivity Level)等级是JEDEC制定的湿敏等级标准，用于表征电子元器件对潮湿环境的敏感程度，防止在回流焊接过程中因内部水分汽化膨胀导致"爆米花"效应。上海雷卯电子作为深耕半导体元件16年的领军企业，深知正确理解和应用MSL等级，对保障产品质量、提升生产效率的关键意义。　　一、MSL等级的分类标准　　根据JEDEC J-STD-020D标准，MSL等级共分为8级，不同等级的元件防潮要求差异显著：　　雷卯EMC小哥提醒，MSL等级数字越大，元件对湿气的敏感度越高，允许暴露在开放环境的时间越短。MSL等级的划分主要基于元件封装材料的吸湿性和耐热性，等级越高，封装材料越容易吸收水分且在高温下越容易失效。　　二、湿气对电子元件的影响及"爆米花"效应　　湿气对电子元件的影响主要体现在物理损伤和化学腐蚀两方面：　　物理损伤上，湿敏元件暴露在潮湿环境中时，水分会渗入封装内部。在SMT回流焊230-260℃高温下，水分急剧汽化膨胀，引发"爆米花"效应，导致封装脱层、金线焊点损伤、芯片微裂纹，严重时甚至元件鼓胀爆裂。上海雷卯电子在实际测试中发现，无铅焊接工艺因温度远高于传统有铅工艺，对湿气更敏感，这也是MSL等级在无铅时代愈发重要的原因。　　化学腐蚀方面，湿气中的钾、钠、氯等离子会引发电化学腐蚀，生成水合氧化物会削弱封装树脂与金属的粘结力，导致分层后潮气更易侵入，大幅降低元件可靠性。　　三、MSL等级的测试方法和验证流程　　元件制造商需按标准流程验证MSL 等级，上海雷卯电子也遵循这一规范保障产品品质：　　初始检测：用扫描声学显微镜(SAT)检测元件，确认封装无缺陷或分层现象。　　烘烤除湿：在125℃±5℃、湿度<5%　　RH的环境中烘烤1-2小时，去除内部水分。　　吸湿处理：将烘烤后的元件在30℃/60%RH条件下暴露192小时，模拟元件在车间环境中吸湿的情况。　　回流焊模拟：对吸湿后的元件进行三次标准峰值温度260℃回流焊测试，模拟元件在生产、维修和再次生产过程中的受热情况。　　终检测：再次使用SAT和X-RAY检测封装结构完整性，并进行电气功能测试。若元件通过三次回流焊测试且无任何分层或功能失效，则确定其MSL等级。如果元件出现封装开裂、分层面积超过封装总面积的5%或关键电气参数超出允许范围，则需要降低MSL等级重新测试。　　四、不同MSL等级元件的防潮处理建议　　结合上海雷卯电子的实践经验，雷卯EMC小哥给出各等级元件防潮方案：　　MSL1级元件：这类元件对湿气抵抗力最强，在≤30°C/85%　　RH环境下可无限期存放，建议使用铝制包装与卷盘干燥剂一起密封存储，延长元件寿命。ESD/TVS二极管因具体型号、封装差异，常见的湿敏等级包括MSL1、MSL3等。　　MSL2/2a级元件：在≤30°C/60%　　RH环境下，MSL2级元件可存放一年，MSL2a级可存放四周，开封后需严格控制车间环境湿度≤60%　　RH，温度≤30°C，并记录开封时间。如果开封后存放时间超过规定期限，建议按照125℃/5%RH条件下烘烤12-48小时。　　MSL3-5a级元件：高湿敏等级元件需要特别注意防潮　　1.烘烤参数：对于Tray盘封装的元件，烘烤温度通常为125℃±5℃，时间与元件厚度相关(如MSL3级1.2mm厚度的元件需烘烤9小时)。对于Reel盘封装的元件，由于无法直接接触热源，烘烤温度通常为40℃，湿度≤5%RH，烘烤9天。　　2.车间寿命管理：开封后必须严格记录暴露时间，并在车间寿命内完成焊接。超过车间寿命的元件必须重新烘烤处理，烘烤后的时间可重新计算。　　3.防潮包装：使用"护航三件套"——防潮袋(MBB)、干燥剂(硅胶/分子筛)和湿度指示卡(HIC)进行密封存储。当湿度指示卡上的10%RH指示点变色时，表明元件可能已受潮，需要重新烘烤处理。　　4.存储环境：未开封元件存放于温度25°C±5°C、湿度<40%　　RH的环境中。　　MSL6级元件：对湿气极为敏感，车间寿命仅12小时，使用前需在125℃/5%RH条件下烘烤24小时以上，开封后立即焊接。　　MSL等级是电子制造中的关键可靠性指标，尤其在元件小型化和无铅工艺普及后更显重要。　　雷卯EMC小哥建议：建立元件MSL数据库，记录等级、开封时间和有效期;控制车间温湿度在 25°C±5°C、湿度< 40% RH;按MSL等级和封装类型制定烘烤与存储方案;高等级元件优先生产，避免长时间暴露;定期培训员工，提升MSL等级应用能力。科学管理MSL等级元件，能有效降低湿气导致的焊接缺陷，提升产品可靠性。
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发布时间：2025-12-22 13:42 阅读量：578 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：ESD静电保护元件的结构和原理
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上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理

　　上一篇我们聊了ESD的危害和测试标准，这一篇我们聚焦 “防护主力”——ESD保护二极管(又称TVS二极管)。这个看似简单的元器件，到底是如何在瞬间将千伏级静电 “化解于无形” 的?雷卯电子的 ESD 保护二极管又有哪些独特设计?上海雷卯作为ESD行业深耕者，在防静电专用器件上积累了丰富技术沉淀，下面就为你详细拆解。　　一.从二极管基础到ESD保护专用器件　　二极管是电子电路的“老熟人”，核心特性是 “单向导电”。但ESD保护二极管和普通二极管(比如整流二极管)有本质区别 —— 它是专为 “瞬态电压抑制” 设计的 “特种部队”。 雷卯EMC小哥常说，这类专用器件的设计核心，就是要在关键时刻 “精准发力、不添干扰”。　　二极管的 “家族分类”　　P-N结二极管：由P型半导体(多空穴)和N型半导体(多电子)结合而成，正向导通、反向截止，反向电压过高会击穿。　　肖特基二极管(SBD)：金属与半导体接触形成结，导通电压低、速度快，但反向耐压较低。　　ESD 保护二极管属于 P-N 结二极管的 “升级版”，基于稳压二极管原理优化，重点强化了 “反向击穿时的快速响应” 和 “大电流承载能力”，　　这也是上海雷卯多年来重点攻关的技术方向。　　二.ESD 保护二极管的 “工作智慧”　　雷卯电子的ESD保护二极管的核心设计目标是：平时“隐身” 不干扰电路，ESD 来袭时 “瞬间出击” 分流保护。具体怎么实现?上海雷卯通过工艺优化和结构创新，让这个“攻防切换” 更精准高效。　　1. 正常工作时：像 “绝缘体” 一样安静　　当电路没有 ESD 冲击时，ESD 保护二极管(阴极接信号线，阳极接地)处于 “反向偏置” 状态 —— 两端电压低于反向击穿电压(VBR)，此时它像一个高电阻，几乎不影响信号传输。　　但有两个参数会影响信号质量，也是雷卯重点优化的方向：　　总电容(CT)：二极管截止时，P-N 结的 “耗尽区” 像一个小电容，高频信号(比如 5G、Thunderbolt)会被这个电容 “吸收”，导致信号衰减。雷卯通过特殊工艺将高频系列高分子产品的CT做到 0.1pF 以下，完美适配高速信号，这一指标也得到了雷卯 EMC 小哥在实战测试中的反复验证。　　反向漏电流(IR)：正常电压下流过的微小电流，IR 过大会增加电路功耗。雷卯产品在 VRWM(最大反向工作电压)下的 IR 通常≤0.5μA，对低功耗设备友好。　　2. ESD 冲击时：像 “安全阀” 一样快速分流　　当 ESD 脉冲来袭(比如插拔接口时)，信号线电压会瞬间飙升至数千伏。此时 ESD 保护二极管会：　　快速击穿导通：当电压超过 VBR 时，二极管进入 “雪崩击穿” 状态，电阻骤降(动态电阻 RDYN 低至几欧)，将大部分ESD电流导向地(GND)。　　钳位电压(VC)够低：导通时二极管两端的电压(VC)必须低于被保护芯片的耐压值(比如芯片耐压 20V，VC 需≤18V)。雷卯电子通过芯片结构优化，使VC 比行业平均水平低 15%-20%，防护更可靠，雷卯EMC小哥常把这一优势称为 “给芯片多一层安全余量”。　　双向防护设计：对跨地信号(比如音频线、差分信号)，上海雷卯的双向ESD保护二极管可同时吸收正负向 ESD 脉冲，无需额外设计。　　三.雷卯ESD保护二极管的三大核心优势　　上海雷卯凭借多年技术积累，让旗下 ESD 保护二极管具备三大核心优势，覆盖从低频到高频、从普通设备到高端终端的全场景需求：　　1.响应速度快：从截止到导通仅需亚纳秒级(<1ns)，比传统压敏电阻快100倍以上，能拦截 ESD 脉冲的 “第一峰值”，　　这也是雷卯电子适配 5G、Thunderbolt 等高速接口的关键。　　2.容值可控：覆盖 0.05pF(高频)到 100pF(低频)全系列，满足 USB 3.2、HDMI 2.1 等不同速率接口需求，雷卯EMC小哥会根据客户的信号速率，精准推荐对应容值的型号。　　3.致性高：批量生产的 VBR、VC 参数偏差≤±5%，避免因器件差异导致防护效果不稳定，上海雷卯的严格品控体系，确保每一颗器件都能达到设计标准。　　小结　　ESD 保护二极管的核心是 “平衡”—— 既要在正常工况下不干扰信号，又要在ESD来袭时快速高效分流。雷卯通过材料、结构、工艺的三重优化，上海雷卯始终坚持以实战需求为导向，让这个 “平衡” 更精准、更可靠。　　下一篇，雷卯EMC小哥进入实战环节：教你如何根据电路需求选对型号，以及电路板布局时的 “避坑指南”，让防护效果最大化～
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发布时间：2025-11-21 16:34 阅读量：539 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：这两种TVS有啥不同？
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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？

　　当我们查看TVS二极管的规格书 ,常会看到有以下两种种引脚功能标识图：　　对于初学者，看到感到疑惑，他们一样吗?他们有啥区别?为啥有的两个尖头往外 ，阳极连在一起，有的两个尖头往里，阴极连在一起?一连三问。EMC小哥根据自己经验略作分析。　　使用这两种图的规格书上都有标注 bidirectional ESD protection diode。因此可以确定这两种的功能是一样的，都是双向保护二极管。　　图1在国外品牌规格书上看到的比较多，比如Nexperia(安世)， Littelfuse(美国力特)，VISHAY(威世)等等，图2 国内品牌使用比较多，比如上海雷卯。　　我们看两种TVS二极管在电路中的应用：参看图3，图4。　　先看上图3： 静电过来后首先反向击穿通过D1连接1脚的二极管，然后再正向通过D1的下方连接2脚二极管，(减去大约0.7V )，最后导入到地。　　图4静电过来后首先正向通过D2的上方连接1脚二极管(减去大约0.7V ),然后反向击穿通过D2连接2脚的二极管，最后导入到地。所以，静电进来后两种TVS二极管都是要经过一次反向击穿和正向导通电压才导入到地，所以从电气性能上分析这两种实现的功能是一样的，从应用上是没有区别的。　　那他们本质上有区别吗?我们知道二极管是有PN结组成，如图5，电流从P极进去，N极出来，正向导通， 硅管的管压降VF为0.7V。　　对于TVS二级管，因为是反向击穿起保护作用，所以是从N极流入P极，P极到N极是正向导通。　　那么上面图1，图2两种TVS二极管功能图内部结构可以近似如下图表示：　　这就是这两种二极管内部叠层结构不同。　　因此，从电气特性角度分析，图1和图2所示均为双向TVS二极管，应用上没有区别，仅内部结构存在差异。对工程师而言，只要器件规格书中的参数相近，所实现的功能一致，二者便具备替代性。　　上海雷卯电子(Leiditech)凭借多年技术积累，其国产ESD/TVS器件可兼容替代NXP、SEMTECH、LITTELFUSE、ON、VISHAY、TI等多款国外品牌产品。公司提供包括USB接口、汽车电子、工业控制等领域的电路保护方案，并备有详细替代型号列表供参考。雷卯产品支持样品申请，助力客户实现供应链优化与国产化替代。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-09-19 15:45 阅读量：777 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：常用防反接保护电路及功耗计算
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上海雷卯电子：常用防反接保护电路及功耗计算

　　采用电池是最方便干净的电源，为电子电路提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流电源是电池。通常，所有设备都带有防反接保护电路，但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护，那么在更换电池时始终必须小心，否则它可能会炸毁设备。　　因此，在这种情况下，防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响，例如使用二极管或二极管桥，或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。　　使用二极管的极性反接保护　　使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法，但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时，小的压降可能没关系，特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下，即使是少量的压降也是不可接受的。　　众所周知，通用二极管上的压降为0.7V，因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降，因为它的压降约为0.3V至0.4V，并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意，因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏，因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。　　雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管，适合防反接使用。　　在4安培时，电路中肖特基二极管的功率损耗为：　　4x 0.4V= 1.6W　　在普通二极管中：　　4x 0.7 V=2.8W　　所以肖特基在电路中的节能效果明显，如果电路电流较大，也可以选用DO-277封装的肖特基二极管，比如雷卯电子SS10U60。　　整流桥堆防反接保护　　我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护，因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成，因此在单二极管的上述电路中，功率浪费量将是功率浪费的两倍。　　使用P 沟道MOSFET 的防反接保护　　使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠，因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs)，则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。　　现在，如果电源电压大于Vgs，则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。　　P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择　　采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理　　现在，当您按照电路图连接电池时，具有正确的极性，它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接，则晶体管关闭，我们的电路将受到保护。　　该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时，P沟道MOSFET将导通，因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为：Vgs= (Vg- Vs)　　当电池连接不正确时，栅极端子的电压将为正极，我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此，每当电池以相反方向连接时，电路都将受到MOSFET的保护。　　现在，让我们来谈谈电路中的功率损耗，当晶体管导通时，漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计，但为了更准确，您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此，我们可以计算电路中的功率损耗。　　如下所示：功率损耗=I*I*R　　假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是　　功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W　　因此，功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点，但它使保护电路更安全，更高效。　　我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器，以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管，我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V，因此晶体管保持安全。　　当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路，截断的就是负极电路，我们一般的理念还是开关正极，就像家里电灯开关一样，是装在火线上，而不是零线上。
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发布时间：2025-08-29 16:24 阅读量：828 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：ROBOT之鼻金属氧化物半导体气体传感器静电浪涌防护技术
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上海雷卯电子：ROBOT之鼻金属氧化物半导体气体传感器静电浪涌防护技术

　　一、 解密 “电子鼻”　　1.电子鼻的工作原理　　金属氧化物半导体(MOS)气体传感器构成的 “电子鼻”，核心原理是利用金属氧化物(如 SnO₂、ZnO 等)表面对气体的吸附 - 脱附特性。当目标气体与金属氧化物表面接触时，会发生化学吸附反应，导致材料的电导率发生变化。传感器通过检测这种电导率的变化，经过信号放大、模数转换等处理，最终实现对气体种类和浓度的识别。例如，在检测一氧化碳时，一氧化碳分子与 SnO₂表面的氧离子结合，释放出电子，使 SnO₂的电导率升高，通过电路将这一变化转化为可识别的电信号，从而完成对一氧化碳的检测。　　02.电子鼻的应用领域　　工业安全：在化工、石油等行业，“电子鼻” 可实时监测车间内的易燃易爆气体(如甲烷、丙烷)和有毒气体(如硫化氢、氯气)，一旦浓度超标，立即发出警报并联动设备停机，保障生产安全。　　环境监测：用于大气质量监测站、污水处理厂等场景，检测空气中的挥发性有机物(VOCs)、二氧化硫、氮氧化物等污染物，为环境治理提供数据支持。　　智能家居：集成在空调、空气净化器等设备中，感知室内甲醛、苯等有害气体浓度，自动调节设备运行状态，改善室内空气质量。　　医疗健康：通过检测人体呼出气体中的特殊成分(如丙酮可反映糖尿病状况)，辅助疾病的早期诊断和监测。　　农业：农业种植中在大棚、大田场景，监测作物释放的乙烯、萜类气体，为植保措施提供数据支撑。农产品仓储中，识别粮库霉菌挥发物(如苯甲醛)、坚果仓虫害代谢 VOCs，预警霉变、虫害风险。　　汽车行业：在车内座舱，监测甲醛、TVOC 等挥发物，浓度超标自动启动净化系统。在油路、气路周边，检测汽油蒸气、甲烷泄漏，触发声光报警。　　03.核心结构　　半导体气体传感器通常集成多种关键功能模块，核心结构包括：　　加热单元(heater/hotplate)：为传感器提供高温工作环境，确保金属氧化物敏感材料处于活性状态，维持表面氧化还原反应的持续进行;　　金属氧化物敏感层(MOx material)：作为气体检测的核心，其电阻率随与目标气体的接触发生显著变化，是实现气体浓度转化的关键载体;　　信号处理模块：包含模拟信号采集与数字信号处理单元，可对传感器输出的电阻变化信号进行放大、滤波等处理，并集成湿度补偿功能，减少环境湿度对检测精度的干扰;　　控制与接口组件：配备控制器(controllers)及数字/模拟接口(如 SDA、SCL)，实现对加热单元的温度调控、传感器工作状态的监测以及检测数据的传输。　　在智能制造与物联网深度融合的今天，气体传感器作为设备的 “嗅觉神经”，其稳定运行离不开可靠的防护方案。雷卯电子基于十余年技术积累，为金属氧化物半导体(MOS)气体传感器量身定制全链路防护方案，从信号到电源构建立体屏障，确保 “电子鼻” 在复杂电磁环境中精准感知。　　二、金属氧化物半导体气体传感器的防护方案　　1.BOSCH的气体传感器BME688开发套件：　　　　3.3V防护：雷卯采用SD03C(SOD-323封装)/　　ESDA33CP30(DFN1006封装)，IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV，箝位电压≤13V，低于 MOS 栅极耐压阈值(<30V)，避免静电击穿。　　IO信号保护：雷卯采用ESDA33CP30(DFN1006)针对传感器信号静电防护，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30KV，空气放电30KV。　　SD卡静电防护方案: 雷卯采用集成器件SR33-04A/USRV05-4保护，结电容小于1PF，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kv.　　2.通信与电源防护：多维度筑牢安全防线　　通信接口：UART 接口采用 ESDA33CP30(3.3V)，结电容≤3pF 兼容 115200bps 速率;CAN 总线选用 SMC24，±30kV 空气放电防护满足工业级需求。　　电源系统：12V电源入口增加TVS器件，抵御静电浪涌，满足 IEC 61000-4-5 浪涌测试(1.2/50μs)。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-08-01 10:39 阅读量：887 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：近场通信NFC接口防静电ESD
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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。
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发布时间：2025-07-23 11:01 阅读量：764 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯电子</span>：如何选择合适电容值的ESD二极管
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上海雷卯电子：如何选择合适电容值的ESD二极管

　　作为一名关注通信接口和电子元器件的专业人士，你一定对ESD(Electrostatic Discharge)二极管非常感兴趣。让上海雷卯电子和AMEYA360带你来了解一下ESD二极管是什么，以及如何选择合适电容值的ESD二级管吧。　　ESD二极管，也被称为静电保护二极管，是一种用于保护电子元器件免受静电放电(ESD)损害的器件。静电放电是一种常见的电磁干扰源，可能对通信接口和其他电子设备造成严重的损坏。ESD二极管能够迅速响应并吸收静电放电，将其引导到地线，保护接口和其他电路免受损害。　　在选择合适的电容值ESD管时，需要考虑以下几个因素：　　1. 通信接口的速率和带宽：不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。较高速率的接口可能需要更低的电容值，以确保快速的信号传输和响应。　　2. 接口的电气特性：了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等，有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟，可以确定最佳的电容值范围。　　3. ESD保护需求：根据应用场景和系统对ESD保护的需求，选择适当的电容值。一般情况下，较高的电容值可能增加对信号传输的影响。　　上图这颗是低容值ESD ，可以用在高速通讯接口上。　　通过综合考虑以上因素，可以选择适合特定通信接口的合适电容值的ESD管。此外，与供应商和技术专家的交流也是非常重要的，他们能够提供更具体的建议和指导。　　保护通信接口免受ESD损害是确保系统稳定性和可靠性的关键。通过选择合适电容值的ESD管，我们能够提供可靠的ESD保护，确保通信接口的正常工作，同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。
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发布时间：2025-07-18 11:34 阅读量：613 继续阅读>>

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