<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比
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上海雷卯电子：TOSHIBA的SSM3K37FS国产替代型号LM1012T参数对比

　　上海雷卯NMOS型号LM1012T完全替代TOSHIBA型号SSM3K37FS，LM1012T是一颗带ESD功能的NMOS，封装SOT-523 .已经有很多客户选用 LM1012T替代SSM3K37FS，客户可以获得更好的价格和更快的交期。特别是在一些受空间所限的小电子设备很受青睐，因为封装仅仅是SOT-523。　　性能特点：　　栅极带ESD保护　　高速开关　　内阻低至0.4Ω　　低阈值：0.8V(典型值)　　开关速度10ns　　应用于：高速开关和模拟开关　　LM1012T性能参数如下：　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2024-12-24 13:10 阅读量：262 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：USB3.0 /TYPE-C接口静电保护六路器件
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上海雷卯电子：USB3.0 /TYPE-C接口静电保护六路器件

　　Leiditech ULC0568K为一款集成式USB3.0静电保护二极管，USB3.0放一颗ULC0568K即可完成ESD保护。ULC0568K可以做为以下品牌国产替代理想选择：Amazing(AZ1065-06F，AZ1165-06F)，Bourns(CDDFN10-0506N)，AOS(AOZ8936DI，AOZ8937DI)等品牌，ULC0568K与这些型号完全PIN TO PIN。　　一. ULC0568K管脚定义及封装　　封装是DFN4120 (4.1×2.0×0.55mm), DFN封装有助于减小结电容，并很好的与数据线连接，减少引线电感。　　管脚定义也是考虑到PCB布线的方便，可以参考下图做差分布线，走线比较流畅。　　二、应用　　·USB3.0接口ESD保护　　·HDMI1.4 /2.0 接口ESD保护　　·各种高速数据接口保护(SATA,DVI ,PCI,DVI )　　三、性能参数　　·低结电容：典型值0.3PF　　·地漏电流，实测电流nA　　·Vrwm=5V　　·– IEC 61000-4-2 (ESD): 空气±25kV， 接触 ±20kV　　·– IEC61000-4-5 (8/20μs) ：4A　　四、USB3.0方案应用　　方案优点：USB3.0提供5.0Gbps的传输速度，本方案采用单颗器件防护,节约空间， 保证信号完整性，配置共模电感，可滤除共模干扰，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电25kV，空气放电20kV　　方案配置元件型号如下图：
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发布时间：2024-11-11 16:56 阅读量：514 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：制定车载广播系统国家标准，应对行业变革与未来挑战
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上海雷卯：制定车载广播系统国家标准，应对行业变革与未来挑战

　　引言　　2023 年 9 月 14 日，我国广播电视总局、工业和信息化部、国家市场监督管理总局联合发布《关于进一步加强车载音视频管理的通知》，明确指出车载广播系统的重要性，并部署推动无线广播接收系统在汽车领域的安装。　　2024年9月18日，美国众议院能源与商务委员会通过了《2024车载调幅广播法案》，要求所有在美国制造和销售的车辆中保留AM(调幅广播)功能。　　这些举措引发了我们对车载广播系统标准化必要性的深入思考。在行业不断变革、未来充满挑战的当下，制定车载广播系统国家标准究竟有着怎样的意义和价值?　　一、提升车载广播质量，国家标准迫在眉睫　　背景案例：2021年7月20日，河南郑州遭遇特大暴雨，导致城市内涝、交通中断、电力和网络瘫痪。在这种极端情况下，无线广播成为了唯一的通讯手段之一，车载广播系统发挥了重要作用，但部分车主反映车载广播信号不稳定。这一事件凸显了车载广播系统质量和可靠性的重要性。　　重要性：车载广播系统不仅是驾乘人员获取信息的重要渠道，也是公共安全体系的关键组成部分。制定国家标准可以确保车载广播系统的技术指标达标，提升产品质量，确保其在紧急情况下能够可靠工作，有效传递信息，维护公共安全。　　二、推动国际合作，增强国际竞争力　　现状分析：2020年，中国汽车出口额首次突破千亿美元，但标准差异仍然是进入某些市场的障碍。建立与国际接轨的国家标准，有助于提升中国汽车产品的国际竞争力。　　战略意义：通过参与国际标准的制定，中国不仅可以促进技术交流与合作，还能提高中国汽车工业在全球市场的认可度。　　以下是主要国家和地区车载无线广播接收系统的标准制定进程：　　中国：目前处于《车载无线广播接收系统》强制性国家标准制修订计划项目的公开征集意见阶段，技术内容包括终端和天线的功能、性能、车规环境可靠性、电磁兼容等。　　欧盟：2014年发布2014/53/EU无线电设备指令，要求车载广播收音机等设备符合CE标志要求。2018年发布的《欧盟电子通信法规》要求新车集成数字音频广播(DAB)功能。　　日本：由汽车工业协会制定ARIB-STD-B3标准，指导行业设计开发。　　中东地区：阿联酋和沙特阿拉伯分别发布了各自的车载广播接收机技术标准。　　美国：正在推进《AM每辆车法案》，要求新车强制安装AM广播接收模块。　　三、顺应行业变革，迎接未来挑战　　技术趋势：随着自动驾驶技术的发展，车载广播系统将集成更多智能互联功能。例如，2021年谷歌与沃尔沃合作开发的车载信息娱乐系统，集成了语音助手、地图导航等多项功能。国家标准的制定不仅能够确保这些新功能的顺利实现，还能促进不同品牌之间的互操作性，提升用户体验。　　未来展望：车载无线广播接收系统国家标准的制定，对于提升产品质量、推动技术创新、加强安全保障以及促进国际合作具有深远的意义。这是对技术进步的认可，更是对公共安全重视的具体体现。　　四、雷卯助力车载广播系统，为其保驾护航　　上海雷卯将在车载广播系统的标准化工作中贡献专业技术，特别是在防护器件的设计、测试及应用方面可以提供专业的意见和支持，确保系统在复杂的电磁环境中依然能够稳定运行。　　以下是雷卯针对汽车无线电调谐器不同接口提供典型保护案例。　　汽车无线电调谐器原理图　　上海雷卯针对汽车无线电调谐器所带有的USB、RS232，CAN、以太网、模拟音频、扬声器等接口提供了典型的保护案例，综合列表如下，可以直接应用于实际场景。　　上海雷卯专业研发销售 ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。　　结语：　　在科技飞速发展的时代，车载广播系统看似有些 “复古”，但在关键时刻却能发挥不可替代的作用。制定车载广播系统国家标准，不仅是对传统广播技术的传承与发展，更是为了在未来的不确定中为人们筑牢一道信息安全的防线。它将引领汽车行业在创新与稳定之间找到平衡，为我们的出行生活增添一份可靠的保障。让我们共同期待这一标准的落地实施，为应对行业变革与未来挑战贡献力量。
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发布时间：2024-10-11 11:34 阅读量：615 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：怎样选择合适的MOSFET
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上海雷卯：怎样选择合适的MOSFET

　　一、确定应用需求　　1、电路类型　　- 开关电路：如果应用于开关电路，如电源开关、电机驱动等，需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗，提高效率;低导通电阻能降低导通时的能量损耗;而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。　　- 放大电路：用于放大电路时，要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的准确放大，低噪声则可以减少对信号的干扰。　　2. 工作电压和电流　　- 工作电压：确定电路的工作电压范围，选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压，并留有一定的余量(建议至少 1.5 倍余量)，以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。　　- 工作电流：根据负载的电流需求，选择能够承受相应电流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的额定电流(连续电流)和最大漏极脉冲电流等参数，额定电流应满足负载在正常工作状态下的电流需求，而最大漏极脉冲电流则要考虑在瞬态或脉冲电流情况下的承受能力。　　3. 工作温度　　了解应用环境的温度范围，确保所选 MOSFET 的工作温度范围能够覆盖该范围。如果工作环境温度较高，需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数，选择热阻较小、结温较高的器件，以保证在高温环境下的可靠性。　　二、选择MOSFET类型(P沟道或N沟道)　　- P 沟道 MOSFET：P 沟道 MOSFET 的栅极电压为负时导通，适用于源极接电源正极的电路。在一些需要低电压控制或逻辑电平转换的场合比较适用，例如电池供电的设备中，可用于防反接保护电路。其优点是在电路设计上可以简化驱动电路，但缺点是导通电阻相对较大，电流驱动能力相对较弱。　　- N 沟道 MOSFET：N 沟道 MOSFET 的栅极电压为正时导通，通常用于源极接地的电路。具有较低的导通电阻和较高的电流驱动能力，适用于对功率要求较高、需要大电流输出的场合，如功率放大器、电源转换电路等。但其驱动电路相对复杂，需要较高的栅极电压来控制导通。　　三、关注关键参数　　-导通电阻(Rds(on))：导通电阻越低，MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小，效率越高。对于对效率要求较高或工作电流较大的应用，应选择导通电阻较小的 MOSFET。但导通电阻较低的器件价格可能相对较高，需要在性能和成本之间进行权衡。　　- 栅极电荷(Qg)：栅极电荷决定了 MOSFET 的开关速度和驱动电路的功耗。栅极电荷越小，开关速度越快，驱动电路的功耗越低。在高频开关应用中，应选择栅极电荷较小的 MOSFET 以提高系统的效率和性能。　　- 漏源击穿电压(V(BR)DSS)：漏源击穿电压是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压，选择时应确保该参数大于电路中的最大电压应力，以防止器件击穿损坏。　　- 热阻(Rθ)：热阻反映了 MOSFET 散热的能力，热阻越小，器件在工作时产生的热量越容易散发出去，结温越低，可靠性越高。在高功率应用或散热条件较差的环境中，应选择热阻较小的 MOSFET，热阻的具体参数可以参考另外一篇　　《MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥》。　　四、封装选择　　- 封装类型：上海雷卯提供多种封装类型的 MOSFET，如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封装类型具有不同的尺寸、引脚排列和散热性能。例如，　　SOT-23 封装体积小，适用于空间受限的应用;　　SOP-8 封装引脚较多，可提供更好的电气连接和散热性能;　　DFN 封装具有较低的寄生电感和电容，适合高频应用。　　- 封装质量：检查封装的质量和可靠性，确保引脚焊接牢固，封装材料能够承受高温和机械应力。良好的封装可以保证 MOSFET 在长期使用过程中的稳定性和可靠性。　　五. 参考数据手册和应用案例　　- 数据手册：仔细阅读上海雷卯 MOSFET 的数据手册，了解器件的详细参数、性能曲线、工作条件和应用注意事项等信息。数据手册是选型的重要依据，能够帮助您准确地选择适合的 MOSFET。　　- 应用案例：参考上海雷卯提供的应用案例或其他客户的成功经验，了解不同型号的 MOSFET 在类似应用中的表现和可靠性。这可以为您的选型提供参考，避免在实际应用中出现问题。　　六 、应用案例分享　　1. LM3D40P02　　- 特点：这是一款 P 沟道沟槽技术的 MOSFET，专为电子烟等小型设备优化设计。具有低阈值电压(Vgs(th)=-0.65V(type))，可使设备快速启动;强大的电流承载能力(Id=-40A)，能在高负载条件下稳定工作;较低的导通电阻(Rds(on)=5mΩ)，能有效减少能量损耗，延长电池续航;低门极电荷(Qg=38nc)，加快了开关速度，提高了整体效率;采用 DFN3.3*3.3 的紧凑型封装，易于集成到小型设备中。　　- 应用场景：非常适合电子烟、小型智能设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。　　2. LM8S16P03　　- 特点：属于 PMOS 类型的 MOSFET。漏源电压(Vdss)为-30V，漏极电流(Id)为-16A，漏源导通电阻(Rdson)为 6.5mΩ，栅源电压(Vgs)为±20V，栅极电荷(Qg)为 62.5。工作温度范围为-55℃~150℃，可适应较为恶劣的工作环境。　　- 应用场景：适用于新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居等多种领域。
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发布时间：2024-09-30 10:12 阅读量：475 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：车端EVCC静电浪涌保护
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上海雷卯电子：车端EVCC静电浪涌保护

　　EVCC全称Electric Vehicle Communication Controller，中文名称：电动汽车充电通信控制器，是国标电动汽车出口必备汽车配件之一。如下图一所示。　　一、为什么国标电动汽车出口要配备EVCC　　全球电动汽车市场存在多种充电标准，如中国的GB/T 27930、欧洲的DIN 70121和ISO 15118、美国的SAE J1772以及日本的CHAdeMO等。这些标准在通信协议、电压等级、充电接口等方面存在差异，这会导致国标电动汽车出口后无法直接在海外充电桩上充电，图二所示各国充电标准。　　二、EVCC 功能　　因国标电动汽车无法直接出口到国外，需配备上EVCC才能与国外充电桩建立通信。EVCC是电动汽车充电过程中的重要控制器，是电动汽车与充电桩之间的通信桥梁，其主要功能是将电动汽车的通信协议转换为充电桩所能理解的协议。实现电动汽车与充电系统之间的通信、电力传输控制和数据交换。并且EVCC可以监测电动汽车的电池容量，控制充电功率和充电时间，并记录数据以供后续分析和管理。如图三所示。　　三、国标电动汽车如何通过EVCC转换成欧标和美标　　如图三所示 ，需要从硬件和软件两部分做工作.　　(1)硬件部分　　第一更换为欧标或美标的充电座　　第二增加EVCC充电通信控制器　　(2)软件部分　　需要EVCC与BMS交互，由EVCC将国标CAN通信转换成符合海外标准的PLC通信。　　这样中国电动汽车出口到欧洲、美洲等市场时，通过安装EVCC，电动汽车能够与当地的充电桩进行有效通信，这不仅降低了成本，也加快了电动汽车的国际化进程。　　四、EVCC硬件组成部分　　简单说有五大模块组成：包括微处理器、电源模块、通信模块、传感器、安全保护电路等。　　(1)微处理器是 EVCC 的核心，负责控制整个系统的运行。　　微控制器接收和处理信息，控制充电过程中的各个参数。并通过传感器实时监测充电过程中的各种参数，如果发现异常情况，立即采取保护措施，以确保充电过程的安全。　　(2)电源模块　　主要给整改EVCC提供安全稳定的电源供应。　　(3)通信模块　　通信模块负责 EVCC 与充电桩和车辆其他系统之间的通信。主要包括以下几个方面：协议解析，数据传输，信号调制和解调。　　(4)传感器模块　　传感器用于监测充电过程中的各种参数，为微处理器提供实时的状态信息，包括电流传感器，电压传感器，温度传感器等。　　(5)安全保护电路　　安全保护电路用于确保充电过程的安全，防止过流、过压、过热等异常情况对车辆和充电设备造成损坏。　　五、EVCC需要静电浪涌保护吗　　需要，原因如下：　　(1)静电危害：EVCC 可能会受到静电放电的影响。静电放电可能会损坏电子元件，导致设备故障。　　(2)浪涌风险：电气系统中可能会出现浪涌现象，如雷击、电网波动等。这些浪涌可能会对 EVCC 造成严重损坏。　　为了保护 EVCC，我们需要采取以下措施：　　(1)使用静电保护器件：如 TVS 二极管、压敏电阻等，可以有效地吸收静电放电和浪涌能量。　　(2)良好的接地设计：确保 EVCC 有良好的接地，以便将静电和浪涌电流引导到大地。　　六、如何选择合适的EVCC静电浪涌保护器件　　上海雷卯EMC小哥建议在选择合适的静电浪涌保护器件方面建议考虑以下几个方面：　　1、了解保护需求　　(1) 确定保护对象：明确需要保护的是 EVCC中的哪些部分，如微处理器、通信接口、电源电路等。不同的保护对象对静电浪涌保护器件的要求可能会有所不同。　　(2)分析潜在威胁：考虑可能面临的静电和浪涌来源，例如人体静电放电、电源波动、雷击等。了解这些潜在威胁的特性，包括电压幅度、电流大小、上升时间等，以便选择能够有效应对这些威胁的保护器件。　　(3)确定保护等级：根据相关认证标准和规范，确定所需的静电浪涌保护等级。对于EVCC 一般会参考ISO16750-2 5B 和ISO7637-2 5B 做测试 。下面是测试波形和设置参数表格。　　2、选择合适的器件保护类型　　从信号线和电源两个角度来做分析　　(1)信号保护静电放电(ESD)保护器件选择需考虑：　　ESD二极管需要低电容、低漏电流等特点，适用于高速通信接口的静电保护。例如，在 CAN 接口可以选用上海雷卯SMC24。　　聚合物 ESD 抑制器：具有体积小、重量轻、低结电容等优点，适用于空间受限的应用场合，封装参照下图。　　(2)电源浪涌保护器件　　传统方案一般会选择 MOV,GDT ,TVS 进行浪涌保护。缺点是MOV,GDT 器件容易损耗，残压高。　　上海雷卯新型的适合车用的大功率带回扫防浪涌保护TVS ，其残压低，能很好的保护后级电路。如下表所列，为上海雷卯新型大功率低残压常规几颗TVS。　　1，3，5行为新型低残压 TVS, 2，4，6 行为同Vrwm电压同功率的普通TVS。　　从以上参数对比VC要比普通的低很多。　　3、考虑关键参数　　(1) 工作电压：选择保护器件的工作电压应高于被保护电路的正常工作电压，但不能过高，以免影响保护效果。　　(2)钳位电压：钳位电压是指在浪涌发生时，保护器件将电压钳位到的水平。钳位电压越低，对被保护电路的保护效果越好。但钳位电压也不能过低，以免影响正常工作。　　(3)通流容量：通流容量是指保护器件能够承受的最大电流。应根据可能面临的浪涌电流大小选择具有足够通流容量的保护器件，以确保在浪涌发生时能够有效地保护被保护电路。　　(4)响应时间：响应时间是指保护器件从检测到浪涌到开始发挥保护作用的时间。响应时间越短，对被保护电路的保护效果越好。对于高速通信接口和对电压敏感的电子设备，应选择响应时间极短的保护器件。　　(5)电容：对于高速通信接口，保护器件的电容应尽可能小，以免影响信号传输质量。　　4、参考可靠性和品牌因素　　(1) 可靠性：选择具有高可靠性的保护器件，以确保在长期使用过程中能够稳定地发挥保护作用。可以参考保护器件的质量认证、厂家的信誉度、产品的故障率等因素。　　(2). 品牌和供应商：选择知名品牌和可靠的供应商，以保证产品的质量和售后服务。可以通过查阅产品评测、咨询行业专家、参考其他用户的经验等方式来选择合适的品牌和供应商。　　上海雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。　　5、进行实际测试和验证　　在实际应用环境中进行测试：在选择保护器件后，应在实际应用环境中进行测试，以验证其保护效果。可以通过模拟静电放电和浪涌情况，观察保护器件是否能够有效地保护被保护电路。　　综上所述，选择合适的静电浪涌保护器件需要综合考虑保护需求、保护器件类型、关键参数、可靠性和品牌因素等，并进行实际测试和验证，以确保能够为 EVCC 提供有效的保护。　　其实对于其它电子产品我们也可以按照同样的方法步骤选择适合的静电浪涌保护器件。
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发布时间：2024-09-26 10:47 阅读量：843 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：快充手机vbus防护案例---SMD12CA SMD15CA SMD24CA
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上海雷卯：快充手机vbus防护案例---SMD12CA SMD15CA SMD24CA

　　智能手机越来越追求快充，功率越来越高，不仅对充电适配器要求高，对type-c接口也是挑战，所以快充手机的充电浪涌测试越来越严格。　　一、SMD12CA SMD15CA SMD24CA三颗防静电　　二极管性能优势　　这三颗料是作为USB接口Vbus电源接口静电浪涌保护常用料。推荐这三款的原因是如下：　　功率高，能抗大浪涌，这样频繁的热插拔也能保护内部电路。上海雷卯这几款做到5500W-6000W(8/20us),相对Nexperia semtech litttefuse 品牌的DFN2020系列参数一致，单成本只有一半。　　Flat-Clamp 技术，提供平坦和与温度无关的箝位电压，将受保护系统的残余电压降至最低，这样能更好的保护后级电路，VC超低。　　抗静电能力强：接触和空气都在30KV　　下表列出了主要参数：　　依靠以上优势性能目前手机充电口印度非洲都非常适合这几款大功率TVS。　　SMD12CA/15CA/24CA V/I 特性图如下：　　二、为什么手机USB接口要放TVS　　二极管　　首先一点 ，手机USB接口我们插拔的次数比较多，第二，日常使用中因摩擦、触碰容易接触到，所以这一接口在出厂之前必定要做ESD测试认证，即 IEC 61000-4-2 测试。　　我们知道静电和浪涌可能会对手机 USB 口及内部电路造成严重损害。静电产生时瞬间的高电压可能会击穿 USB 口的电路元件。我们插拔USB接口容易产生EOS这都会对内部元件造成浪涌，强大的电流冲击可能损坏手机的芯片和其他电子元件。 所以我们需要对手机USB接口做静电保护，延长手机使用寿命，确保数据安全，稳定性能。　　三、常见的保护措施　　1. 内置保护电路：许多手机在设计时已经内置了一定程度的静电浪涌保护电路，例如使用瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件来吸收过高的电压和电流。　　2. 使用保护配件：如带有静电浪涌保护功能的数据线、充电器等，可以在外部提供额外的保护。　　四、上海雷卯针对手机USB接口静电浪涌保护方案　　手机USB接口静电浪涌保护示意图如下：　　USB接口静电保护元件参数列表：
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发布时间：2024-09-19 09:31 阅读量：800 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案
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上海雷卯：Cyberchuck汽车电子48V系统浪涌保护方案

　　1.Cyberchuck汽车电子48V系统背景：　　自20世纪50年代起，主流乘用车的低压电路都是12伏架构，这实际上是七八十年前的标准，一直沿用到了现在，目前各种雷达、摄像头等感知硬件，更高的算力需求，更高功率的音响，更多的屏幕。再加上各种的电动调节以及加热等的用电设备，给传统的12伏汽车配电总线增加了很多的额外负担，线束越来越粗，重量、成本、空间布置等要求也越来越高，所以提高电压是必然。48伏是一个公认的方向，早期混合动力车曾将电压提升到48V，不过直到特斯拉Cybertruck推出，48V系统才得到更广泛应用。　　2.Cyberchuck汽车电子48V系统优势：　　(1)提高电力负载：48V系统能提供更高电力负载，使汽车实现更多、更耗电的功能，如自动辅助驾驶感知系统、计算系统、4G/5G传输、线控转向和线控刹车等都需要更高的功率支持。在相同电流条件下，48V系统比12V系统能输出更高功率;相同输出功率时，48V系统能实现更低电流，进而降低功率损耗。　　(2)提升工作效率：与传统系统相比，48V系统工作效率更高，降低了功率损耗，并且耐用性和安全性更好。Cybertruck的48V系统让电压提高4倍，所需电流减少到原来的1/4，损失的能量更少，线束产生的热量也会降低，可增加线束使用寿命和安全性，同时允许电气组件响应更快。　　(3)优化成本与空间：更低的电流意味着可以使用更轻的线缆，减少了线缆的尺寸和重量，能够节省成本，还能为车辆提供更大的驾乘空间，并且可以装备更多的电池。由于电流与铜材料成本相关，减少电流还能节省大量铜材料。例如，Cybertruck使用48V架构帮助将布线减少了77%，铜需求减少了50%，从而降低整体重量，提高效率收益，每年能为特斯拉节省大约100亿美元的成本　　(4)简化整车结构：48V系统可以使整车结构变得更加简洁。比如特斯拉Cybertruck用高速数据总线(以太网)替代了CAN总线，可以用菊花链式方式，连接遗留系统中需要点对点布线运行的大多数组件。　　3.上海雷卯向48V系统保护方案迈进　　转换到48V系统，对于整个车辆供应链是个庞大的工程，它需要各个厂家的配合执行。在这个电压等级上，各种的车规及元器件都需要重新开发，包括电容、功率器件、线束、线组、马达等等，安全性、可靠性就要持续的来验证。上海雷卯是一家车辆EMC安全保护方案公司，根据这一需求迅速做出反应，将在48V电压系统浪涌保护方案上给予支持。　　4.为什么48V电压系统需要做浪涌保护　　主要基于以下几个重要原因：　　首先，汽车电气系统在运行中会面临各种动态变化。例如，引擎启动瞬间，电池会释放出大电流，这可能引发电压的急剧波动，产生浪涌。　　其次，车辆中的电气负载突然切换，如大功率电器的启动或停止，也会导致电流和　　电压的瞬间变化，从而引发浪涌现象。　　再者，汽车在行驶过程中可能会遭遇外部的电磁干扰，例如雷电、静电放电等，这些都可能在电路中引入高能量的浪涌电压。　　另外，现代汽车中的电子设备和控制系统越来越复杂和精密，对电压的稳定性要求极高。48V 电压系统中的敏感电子元件，如各种传感器、控制模块等，如果受到浪涌电压的冲击，可能会出现性能下降、故障甚至永久性损坏，进而影响整个汽车的性能、安全性和可靠性。　　最后，随着汽车智能化和电动化的发展，48V 电压系统的应用越来越广泛，其承载的功能也越来越重要，因此更需要有效的浪涌保护措施来确保系统的稳定运行和长寿命　　因此，为了保障汽车 48V 电压系统的正常工作，避免电子设备受损，提高汽车的安全性和可靠性，浪涌保护是必不可少的。　　5.汽车DC 48V电压系统浪涌保护方案　　(1)传统保护方案：采用了MOV+GDT+电感+ TVS　　(2) 上海雷卯推荐简化方案: 采用低残压大功率TVS　　所用TVS列表　　肖特基和PPTC 列表　　相比传统方案优势：　　(1) 成本低：传统方案用了7颗元件，雷卯简化方案用了3颗元件，降低了成本。　　(2) 更耐用：传统方案GDT和MOV 使用次数有限，容易衰损，小更换，增加了维修成本。　　(3) 简化方案优势：LM1K58CLV浪涌可以通过 IEC61000-4-5，GB/T17626.5 8/20μs 2KV标准。SM8S58CA用于满足ISO7637-25A/5B测试
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发布时间：2024-08-28 14:49 阅读量：540 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？
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上海雷卯：MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？

　　作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。　　1. MOSFET温度参数的重要性　　在电力电子应用中，温度是影响MOSFET性能和寿命的关键因素。过高的温度会导致器件性能下降，甚至损坏。因此，了解和计算这些温度参数对于确保MOSFET器件的稳定运行至关重要。　　2. 温度参数定义TJ、TA、TC　　l TJ(结温)(Junction Temperature)：是指 MOSFET 芯片内部 PN 结的温度。它是 MOSFET 工作时所能承受的最高温度限制，超过这个温度可能会导致器件性能下降、损坏甚至失效。　　l TA(环境温度)(Ambient Temperature)”，指 MOSFET 所处的周围环境的温度。　　TC(外壳温度)Case Temperature)：MOSFET外壳表面的温度。 计算结温需要用到热阻参数，下面介绍热阻参数。　　3. 热阻定义及计算　　热阻(Rθ)是衡量热量传递难易程度的参数。　　l 结到壳的热阻(RθJC)：表示从 MOSFET 的结(Junction)到壳(Case)的热阻。　　l 壳到环境的热阻(RθCA)：表示从 MOSFET 的壳到周围环境的热阻。　　l 结到环境的热阻(RθJA)：RθJA = RθJC + RθCA。　　MOSFET 通常会给出结到壳(RθJC)、结到环境(RθJA)等热阻参数。热阻可以通过数据手册获取。　　4. TJ、TA、TC 三个温度参数关系　　TJ(结温)= TC(壳温)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC); 公式1　　TC(壳温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(壳到环境的热阻 RθCA);公式2　　代入公式1，综合可得：　　TJ(结温)= TA(环境温度)+ 功率损耗×(结到壳的热阻 RθJC + 壳到环境的热阻 RθCA)　　其中功率损耗(Pd)主要由导通损耗和开关损耗组成。　　导通损耗 = I² × Rds(on) (其中 I 是导通电流，Rds(on) 是导通电阻)　　开关损耗的计算较为复杂，通常需要考虑开关频率、驱动电压等因素，并且可能需要参考 MOSFET 的数据手册提供的公式或曲线。　　5.温度计算实例　　以下为您提供几个 MOSFET 温度参数计算的实际案例：　　例一：　　一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.1Ω，导通电流 Id 为 10A，结到环境的热阻 RθJA 为 50°C/W，环境温度 TA 为 25°C。首先计算功率损耗：P = Id²×RDS(on) = 10²×0.1 = 10W　　然后计算结温：TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C　　例二：　　另一个 MOSFET 的导通电阻 RDS(on) 为 0.05Ω，导通电流 Id 为 5A，结到壳的热阻 RθJC 为 2°C/W，壳到环境的热阻 RθCA 为 30°C/W，环境温度 TA 为 20°C。　　先计算导通损耗：P = Id²×RDS(on) = 5²×0.05 = 1.25W　　由于热阻是串联的，总热阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W结温 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C　　例三：　　某 MOSFET 在高频开关应用中，开关损耗为 5W，导通损耗为 3W，结到环境热阻 RθJA 为 60°C/W，环境温度 TA 为 30°C。　　总功率损耗 P = 5 + 3 = 8W　　结温 TJ = TA + P×RθJA = 30 + 8×60 = 510°C　　6.结论　　通过上述计算，我们可以看到，MOSFET的结温可能达到非常高的水平。一般来说，MOSFET 所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值，因此，设计合适的散热方案和监控温度是至关重要的。作为上海雷卯电子的工程师，我们始终致力于提供高性能的MOSFET器件，并为客户提供准确的参数计算指导，以确保器件的长期稳定运行。　　请注意，本文中的计算仅为示例，实际应用中应根据具体的器件参数和工作条件进行计算。上海雷卯电子提供的器件数据手册和技术支持将帮助您更准确地进行温度参数的计算和评估。　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。
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发布时间：2024-08-23 11:15 阅读量：504 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：防雷防静电元件之接口选型推荐
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上海雷卯电子：防雷防静电元件之接口选型推荐

　　智能设备如何防雷防静电呢?哪些型号适合相关接口呢?　　雷卯EMC代理商AMEYA360整理了各种接口可以选用的防雷防静电型号。如下表：　　需要EXCEL表格和具体规格书可以联系AMEYA360获取！　　上海雷卯专业研发销售EMC电磁兼容相关元器件，如：ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2024-08-15 09:36 阅读量：884 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：气体放电管怎样选型
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上海雷卯：气体放电管怎样选型

一、 GDT 参数选择步骤　　关于GDT的选型上海雷卯EMC小哥引用“AC 220V线路进行2kV线间和4kV线对地的过电压防护”案例来阐述GDT的选型。　　1. 续流电压　　考虑AC 220V线路工作电压远大于续弧电压15V，因此不能直接只使用GDT进行防护，需要采取其他措施(如串联电阻或使用其他类型的保护器件)来避免续弧现象。　　2. 直流击穿电压　　直流击穿电压选择多大需根据以下计算得出：线路正常运行电压峰值(交流线路需将有效值转换为峰值)故220V×1.414=311.08V,最小直流击穿电压 min(ufdc)应当大于等于线路正常运行电压峰值 (Up) 的1.8倍则1.8×311.08V=559.944V，可以选择一个接近但不低于560V的直流击穿电压。例如，选择600V的直流击穿电压的GDT。　　3. 后级器件耐压值　　GDT的脉冲击穿电压需要基于后级电路中元件的耐压能力来确定。后级保护器件的耐压应当大于GDT的脉冲击穿电压，以确保电路安全。这一部分的具体数值需要根据后级电路的设计来决定。　　4. 通流容量　　首先确认测试波形，一般是8/20us和10/700us 2种波形，通流容量大小选择：假设浪涌电压完全出现在内阻上，则通流容量为 2000V/2Ω = 1000A，为了确保GDT能承受这一级别的浪涌电流，所选GDT的通流容量至少应为1000A。　　通过上述步骤，我们可以合理地选择并配置GDT以实现有效的浪涌保护。　　二、GDT的应用　　通常电源、高速信号等都可以使用GDT浪涌防护, 低电容可以保证信号传输，微信搜索上海雷卯微信公众号内可查看全套的防护方案。摘列示意图如下。　　三、GDT的续流问题　　当过电压施加于GDT两端时，其两端电压上升至足以引发气体放电，从而导通GDT。随着通过GDT的电流增加，放电状态会从辉光放电过渡到弧光放电。这两种放电状态都需要一定的维持电压才能持续。在过电压消失之后，理想的GDT应该立即断开，以恢复正常的工作状态，然而在实际应用中，如果电路的工作电压高于GDT的续流电压(也称为维持电压)，GDT可能会继续导通，形成续流现象。GDT的持续导通会导致电路短路，进而产生较大的电流，最终可能导致GDT或其他电路元件过热甚至损坏。　　为了避免上述续流问题，上海雷卯建议采取以下措施之一或结合使用：　　1. 串联限流电阻：在GDT与电路之间串联一个适当的电阻，以限制通过GDT的电流，降低续流的可能性。　　2. 使用附加保护器件：压敏电阻可以在过电压事件发生时与GDT共同工作，而在正常工作条件下能够确保电路不受GDT续流的影响。　　3. 选择具有较高续流电压的GDT，使得在正常工作电压下不易触发续流现象。提高续弧电压，并不是不续流，工作电压足够大，还是会续流，要注意这点。　　四、上海雷卯既往客户的案例分析　　产品背景：220V AC输入，满足浪涌8/20us和1.2/50us测试标准，差模6kV,共模10kV，绝缘耐压测试1750V，3S实验，但是浪涌共模10kV时，次级电解电容异常。　　初始选型问题：初始设计中，考虑到绝缘耐压测试的要求，选择了直流击穿电压高达3600V的GDT。然而，这样的选择导致了残压过高(约5.1kV)，这与电路保护的需求产生了冲突。在浪涌测试过程中，次级电解电容器由于残压过高而受到损害。　　解决方案 更换GDT：将GDT的直流击穿电压从3600V降低至2500V，以减小残压(大约2.8kV)，同时确保它能够承受绝缘耐压测试的要求。更换后的GDT在进行10kV共模浪涌测试时，次级电解电容器未再出现异常，测试通过。　　安规测试：在安规测试中，通常要求移除过电压保护器件来进行绝缘耐压测试，以便准确评估线缆和绝缘外壳之间的耐压性能。然而，在某些行业中，如铁路行业，不允许移除保护器件，因为这种做法一般不符合现场实际情况。　　结论：在本案例中，通过调整GDT的选择，上海雷卯成功解决了次级电解电容器在共模10kV浪涌测试中出现的问题。同时也综合考虑行业实践与安规标准之间的平衡。通过合理选择保护器件，并根据实际情况进行适当的调整，可以确保电路既符合安全标准又能在实际应用中提供有效的保护。　　五、常见场景的浪涌防护GDT用料推荐　　上海雷卯专业研发销售ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯致力于为客户提供高品质产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2024-08-01 10:46 阅读量：592 继续阅读>>

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