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纳芯微参与车身域控<span style='color:red'>制器</span>测试方法团体标准审定，助力汽车电子行业技术创新

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纳芯微参与车身域控制器测试方法团体标准审定，助力汽车电子行业技术创新

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发布时间：2024-11-21 13:44 阅读量：163 继续阅读>>

上海贝岭功率器件助力电摩控<span style='color:red'>制器</span>高效发展

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上海贝岭功率器件助力电摩控制器高效发展

　　一、概述　　在中国电动两轮车已经成为人们日常生活中必不可少的交通工具。随着电动自行车国家标准的不断改进，电动自行车向着低速、高安全性和长续航里程等方向逐渐演进。与此同时，市场对于高速、智能和长续航的电动轻便摩托车及电动摩托车的热情也不断上升。　　功率MOSFET作为电动两轮车控制器的核心器件，其性能决定了控制器系统的整体效率。上海贝岭作为功率MOSFET市场的主要供应商之一，现推出针对电动轻便摩托车控制器的新产品BLP04N11，该器件针对电摩控制器应用特点，优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗，助力客户产品迸发更高峰值性能。　　二、电动轻便摩托车控制器应用解析　　电动轻便摩托车通常使用锂电池供电，使用电池电压挡位可分为48V、60V及72V，配备的电机额定功率范围在400W~3000W。电动轻便摩托车控制器的核心组成部分之一为功率MOSFET组成的三相全桥逆变电路。逆变电路受MCU的PWM调制及对应的栅极驱动器控制，实现直流到交流的变换，从而驱动无刷电机运转。　　图1 电动轻便摩托车控制器拓扑图　　三、贝岭SGT技术平台及BLP04N11器件特点　　上海贝岭基于上海积塔最新SGT Gen2平台，研发110V SGT MOSFET器件系列产品，在SGT Gen1平台的基础上，进一步优化屏蔽栅结构，加强终端结构，使得器件具有较低的导通电阻和较高的击穿电压。针对电动轻型摩托车控制器应用中高效开关转换和低导通损耗的应用需求，贝岭BLP04N11对应优化效果如下：　　1、低导通电阻Rds(on)　　提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的一个方式是降低器件导通损耗。导通电阻Rds(on) 决定了功率MOSFET在导通器期间内的损耗。在使用相同封装的情况下，贝岭器件相较于市场主流同规格产品，具有更低的导通电阻Rds(on) ，导通损耗的降幅可达5%。　　2、低FOM值　　提高电动轻型摩托车控制器的能效水平的另一个方式是降低开关损耗。对于相同的驱动电路，较低的栅极电荷使得开关速度加快，以降低开关损耗。性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on) × Qg，Rds(on) 导通电阻，Qg栅极总电荷)，简称FOM值，是MOSFET的一个重要指标，用于评估性能的优劣。在使用相同封装的情况下，贝岭器件相较于市场主流同规格产品，具有相对较低的FOM值。6.5%的降幅可以提高轻型电摩控制器的整体能效和减少器件的负载，可提高控制器的使用寿命。　　3、板级温升表现　　得益于贝岭BLP04N11产品较低的导通电阻Rds(on)和电荷参数，在轻便电摩控制器额定功率1500 W的稳态带载测试中，与市场主流产品相比整体可减少来4~6%的损耗。若在相同输出功率的情况下，贝岭器件低损耗的特点可以提高电动轻型摩托车的续航里程。若在过温保护点不变的情况下，贝岭器件可以允许客户控制器输出更高功率。　　4、抗短路能力　　贝岭BLP04N11产品为应对控制器应用中的极端工况，加强器件抗短路能力，可以满足72V锂电电池满电、馈电等不同工作电压下的轻型电摩控制器相间短路的可靠性要求。　　四、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率针对电动自行车、电动轻便摩托车、电动摩托车、电动叉车和轻型低速四轮车控制器应用设计有多条SGT产品线，包含70V、85V、100V、110V和150V等电压等级器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。　

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上海贝岭

发布时间：2024-11-12 09:31 阅读量：279 继续阅读>>

上海永铭电容器：高速电摩电机控<span style='color:red'>制器</span>实现高效能与超强稳定性的双重保障—液态铝电解电容的选用方案

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上海永铭电容器：高速电摩电机控制器实现高效能与超强稳定性的双重保障—液态铝电解电容的选用方案

　　高速电摩电机控制器的发展方向　　高速电摩电机控制器作为整车核心，负责电能转化和电机控制，直接影响车辆的能效、稳定性和驾驶体验。当前，电机控制器的发展主要聚焦于高能效、稳定性和可靠性，以提升续航和耐用性，增强市场竞争力。　　高速电摩电机控制器的主要技术挑战　　尽管技术不断进步，高速电摩电机控制器仍面临以下主要问题：　　✦ 能效与续航不足：电能管理不佳，导致续航下降，电流波动影响系统稳定性。　　✦ 可靠性与寿命问题：在长期高负荷下，元件易老化、故障频发，影响车辆稳定性。　　✦ 抗震抗冲击不足：在颠簸和震动条件下，电机控制器元件易损坏，影响正常工作。　　这些问题严重制约了高速电摩的性能和用户体验，亟需改进。　　永铭液态引线型铝电解电容器解决方案　　针对上述问题，永铭液态引线型铝电解电容器凭借三大核心优势，可以显著提升高速电摩电机控制器的性能与可靠性：　　✦ 耐大纹波电流：电机控制器电流波动较大时，保持稳定电压输出，优化电能管理，提高能效，间接延长续航。　　✦ 抗冲击力强：在电流瞬时冲击情况下保持稳定输出，增强电机控制器的耐用性，确保系统可靠运行。　　✦ 抗震性能强：在颠簸和震动环境中，减少因震动引发的性能波动，保障电机控制器正常运作。　　这些优势有效解决了电机控制器在能效管理、抗冲击、抗震性能方面的问题，显著提升了整车性能和可靠性。　　选型推荐　　市面上主流电摩电池模组适用电压说明　　(1)48V电池模组：采用63V电容器，提供足够的电压裕量，以应对48V电池模组的电压波动，确保稳定性和可靠性。　　(2)72V电池模组：采用100V电容器，为72V电池模组提供更高的电压裕量，增强安全性和延长使用寿命，确保稳定运行。　　总结展望　　在高速电摩市场迅猛发展的今天，电机控制器作为其核心，其稳定性至关重要。永铭的液态引线型铝电解电容器不仅满足高速电摩电机控制器的稳定性要求，还有效解决了能效管理等关键问题，为工程师提供高效、可靠的解决方案。这款电容器广泛应用于高速电摩、割草机、高尔夫球车、观光车和电动叉车等设备。　　选择永铭，拥抱一个更智能、更安全的未来。

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永铭电容器

发布时间：2024-11-08 11:44 阅读量：287 继续阅读>>

航顺芯片HK32MCU荣获2024年BLDC电机控<span style='color:red'>制器</span>行业年度领创大奖

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航顺芯片HK32MCU荣获2024年BLDC电机控制器行业年度领创大奖

　　[中国，深圳，2024年11月1日] 今日，由哔哥哔特商务网主办，《半导体器件应用》杂志承办的第24届(深圳)电机驱动与控制技术研讨会圆满举办，期间2024年BLDC电机控制器优秀企业年度颁奖典礼盛大召开。深圳市航顺芯片技术研发有限公司(以下简称“航顺芯片”)以卓越的品牌影响力和持续的技术创新行业竞争优势，斩获“年度领创大奖”。　　作为国内32位MCU先驱，航顺芯片拥有强大的研发团队，确保HK32MCU过硬的市场竞争力、丰富的产品矩阵覆盖M0/M3/M4/M7、高质量的客户群体长期信赖和选择，已经在数十个细分市场建立了绝对竞争优势，并形成稳健的生态链。　　2024年航顺芯片成绩单颇为亮眼——成功发布高性能迭代HK32F4系列MCU产品和新世代指纹传感新品HK32S0192，车规SoC：HK32AUTO39A、HK32A040和HK32A470(Cortex-M4)等系列产品成功量产并进入车规级微控制器市场。　　在工业自动化、新能源汽车、机器人、无人机、电动工具等多个领域，BLDC电机都扮演着越来越重要的角色。航顺芯片坚持聚焦高性能和高可靠的BLDC控制专用MCU研发，产品线分为无预驱、低压预驱和中压预驱三大类，均有量产产品，目前已广泛应用于工业控制、家用电器、电动工具和交通运输等领域，凭借创新的技术和可靠的产品，赢得了众多客户的认可和支持，为国内高性能电机控制专用新品的国产替代贡献了一份力量。　　HK32M060产品功能丰富，内部集成了具有航顺特色的电机控制功能：高级定时器带3路互补PWM、高精度ADC、6MHz带宽轨到轨运放、比较器、32位针对霍尔传感器的捕获时钟、硬件除法器以及电机算法加速引擎等功能。同时发布的两款SOC产品，HK32M063和HK32M064内部更是集成了40V和70V PN预驱、NN预驱、LDO等，使得应用者可以大幅度精简板级器件、节省BOM成本。　　HK32M050极具性价比，产品内部集成了具有航顺特色的电机控制功能：高级定时器带3路互补PWM、高精度ADC、6MHz带宽轨到轨运放、比较器、32位针对霍尔传感器的捕获时钟、硬件除法器以及电机算法加速引擎等功能。 HK32M053和HK32M054内部更是集成了40V和70V PN预驱、NN预驱、LDO等，使得应用者可以大幅度精简板级器件、节省BOM成本。　　未来，航顺芯片继续坚持明确的战略方向，在车规级SoC和高端32位MCU产品及技术上引领创新，以应对未来可能出现的技术挑战。同时，携手各行业合作伙伴，不断推动技术革新，致力于为全球客户带来更高品质的产品与服务，成为全球芯片行业的先锋。

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航顺芯片

发布时间：2024-11-04 15:13 阅读量：287 继续阅读>>

ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控<span style='color:red'>制器</span>IC

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ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器IC

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C54FJ-LB”、IGBT驱动用的“BD28C57LFJ-LB”以及SiC MOSFET驱动用的“BD28C57HFJ-LB”。　　尽管全球半导体产品短缺的问题已逐步得到缓解，但工业设备等所用的电源产品仍然处于供不应求的状态。尤其是AC-DC控制器IC，由于制造商较少，半导体短缺已成为长期问题，产品开发的需求不断增加。在这种背景下，ROHM通过推出可满足工业设备应用中需求较大的封装和性能要求的PWM控制方式AC-DC控制器IC，助力解决供应短缺问题。　　此次新产品的输入电压范围为6.9V～28.0V，最大电路电流为2.0mA，最大启动电流为75μA，最大占空比*2为50%，采用标准的SOP-J8(相当于JEDEC标准的SOIC8)封装形式。引脚排列与工业设备电源中常用的通用产品相同，有助于缩短电路变更和新设计的设计周期。新产品的所有型号都支持具有电压滞回的自恢复型低电压误动作防止功能（UVLO）*3。与普通产品±10%左右的阈值电压误差相比，新产品的阈值电压误差更小，仅为±5%，实现了高精度的自恢复启动，有助于提高应用产品的可靠性。　　不仅如此，新产品还属于长期供货对象产品，可长期稳定供应，有助于寿命长的工业设备持续运行。　　新产品已于2024年7月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格180日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市)，后道工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。另外，相应的产品也已开始电商销售，在电商平台Ameya360处可购买。　　未来，ROHM将在产品阵容中逐步新增支持高耐压MOSFET和GaN器件的产品。另外还计划推出支持100%最大占空比的产品。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　工业设备：AC-DC电源、电机驱动用的逆变器以及其他通过电源插座供电的应用　　<电商销售信息>　　开始销售时间：2024年7月起　　电商平台：Ameya360　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　・产品信息　　产品型号：BD28C54FJ-LB、BD28C55FJ-LB、BD28C57HFJ-LB、BD28C57LFJ-LB　　<术语解说>　　*1) PWM控制方式　　PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)是一种使用了半导体的功率控制方式。通过改变一定周期内的导通时间和关断时间比例来控制输出功率。　　*2) 占空比　　一定周期内连续脉冲波处于导通状态或关断状态的时间比率。导通状态的比例称为“导通占空比”，关断状态的比例称为“关断占空比”。通常占空比是指处于导通状态的时间比例。　　占空比(%)=脉冲宽度(t) ÷ 周期 (T)　　*3) 具有滞回特性的自恢复型欠压保护功能(UVLO)　　UVLO是“Under Voltage Lock Out”的首字母缩写。当输入电压下降到阈值范围之外时，在IC内部电路出现异常之前安全停止IC工作的功能。自恢复型欠压保护功能由于电压接近阈值电压时，IC会反复停止和重启，变得不稳定，因此通过采用具有滞回特性的保护电路，在IC停止时和重启提供一定范围的电压。

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发布时间：2024-08-26 13:11 阅读量：507 继续阅读>>

恩智浦：基于DSC控<span style='color:red'>制器</span>的逐波限流实现

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恩智浦：基于DSC控制器的逐波限流实现

　　逐波(CBC, Cycle-By-Cycle)限流功能常用于限制逆变器输出电流，防止逆变器加载过程中输出过流从而损坏硬件电路。本文简要介绍基于DSC片上外设实现逐波限流的具体策略。　　DSC外设简介　　实现逐波限流功能，需要使用DSC片上的PWM，CMP，XBAR模块。　　PWM模块用于产生开关电源控制所需的PWM信号。PWM内部集成故障保护功能，每个PWM模块共包含8个故障信号输入端口。PWM故障端口既可连接至DSC片外故障信号，也可通过XBAR连接至DSC片上信号。任意一个故障信号均可用于关闭指定通道的PWM信号输出，从而实现硬件保护或限流功能。　　PWM故障恢复模式共有以下几种：　　自动故障清除模式(FCTRL[FAUTOx=1])　　故障消失后，PWM信号在下半个/一个PWM周期起始处自动恢复输出，配置FSTS[FHALFx]和FSTS[FFULLx]位设置恢复时刻。　　手动故障清除模式(FCTRL[FAUTOx=0])　　使能安全模式(FCTRL[FSAFEx=1])：软件清除故障标志位FSTS[FFLAGx]，若故障端口上故障信号消失，PWM信号在下半个/一个PWM周期起始处自动恢复输出，配置FSTS[FHALFx]和FSTS[FFULLx]位设置恢复时刻。　　禁用安全模式(FCTRL[FSAFEx=0])：软件清除故障标志位FSTS[FFLAGx]，PWM信号在下半个/一个PWM周期起始处自动恢复输出，配置FSTS[FHALFx]和FSTS[FFULLx]位设置恢复时刻。PWM恢复输出不受故障端口上信号状态的影响。　　CMP为DSC片上比较器模块，其内部集成8位DAC，DAC输出可配置为比较器同相端或反相端的输入信号，用户可通过配置寄存器调整DAC输出电压。CMP同相/反相输入端口信号均可通过配置8选1多路复用器选择。　　XBAR为内部外设互联模块，便于用户使用多个外设进行配合，实现复杂功能。　　逐波限流原理　　下面结合示意图，简要介绍逐波限流的实现原理。当电流iL小于电流门限值(Threshold)时，PWM信号正常输出;当iL超过Threshold时，比较器CMP输出翻转至高电平，PWM输出快速翻转至低电平，随后iL逐渐降低。进入下一个PWM周期后，如果此时iL低于Threshold，那么PWM恢复输出高电平;如果iL仍大于Threshold，那么PWM信号依然保持为低电平。以上就是逐波限流功能的基本逻辑，在该模式下，通过硬件关断PWM输出信号，电流始终被限制在允许范围内。　　逐波限流实现　　下图为基于DSC片上CMP和PWM模块实现逐波限流的系统配置框图。iL为交流电流，因此需要两个CMP模块，分别用于限制交流正负半周期的电流最大值。限流门限值可通过配置CMP内部集成的DAC的相关寄存器进行设置。两个CMP的输出信号通过配置XBAR连接至PWM模块的故障信号输入端口。PWM故障恢复模式配置为自动故障清除模式。当FSTS[FHALFx]配置为1时，PWM输出信号在半周期起始处恢复，半周期时刻由PWM[SMxVAL0]决定，用户可根据需要将半周期时刻配置为PWM周期内的任意时刻;当FSTS[FFULLx]配置为1时，PWM输出信号在PWM周期起始处恢复。　　如果用户希望使用外部CMP，可按照如下框图进行配置。外部CMP的输出信号可直接连接至PWM的故障输入端口，或者通过XBAR连接至PWM的故障输入端口。PWM故障恢复模式仍配置为自动故障清除模式。　　如果用户希望使用DSC片上CMP，同时比较器门限(iL_th+, iL_th-)由外部硬件电路产生，那么可按照下图进行配置。外部硬件电路产生的门限信号连接至带CMP输入功能的引脚，并将门限信号配置为片上CMP的同相/反相输入信号。PWM故障功能配置与上述方案类似。　　逐波限流计数　　在设定时段内，触发逐波限流的次数可作为判断变换器过载/短路的依据。当触发逐波限流的次数超过上限值时，那么变换器将由逐波限流状态切换至过流保护状态。　　具体实现的程序流程如下图所示。Ctrl_ISR()为执行变换器控制算法的定频中断服务函数。CBC_ISR()为PWM故障事件触发的中断服务函数，每触发一次硬件限流，执行该中断函数一次。TimeDuration用于设置一段固定时间，OcpCnt用于计算触发限流次数。每隔一段设定时间，程序便会判断触发限流的次数，如果限流触发次数大于最大允许的限流触发次数OcpMax，变换器进入过流保护状态。　　结语以上简要介绍了基于DSC片上外设的逐波限流实现策略。得益于灵活的PWM，CMP，XBAR模块，逐波限流功能可方便实现。逐波限流次数计数借助PWM故障中断实现，根据限流次数判断变换器是否过载。有关逐波限流的具体实现，请参考恩智浦双向AC/DC参考设计方案。

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恩智浦

发布时间：2024-08-14 11:26 阅读量：583 继续阅读>>

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基于恩智浦DSC数字控制器的隔离双向DCDC参考设计方案

　　在典型的电池充放电应用场景中，隔离双向DCDC变换器用于实现电池充电曲线控制和电池母线间的双向电能变换，同时实现电网和电池间的电气隔离。　　本文简要介绍基于DSC的隔离双向DCDC变换器参考设计。该方案拓扑为CLLC谐振变换器，可在全负载范围实现软开关。主控芯片采用DSC MC56F83783数字信号控制器，帮助实现灵活高效的数字电源控制。　　方案概括　　基于CLLC谐振变换器实现高效的双向电能变换　　高压端口电压：370-390V，低压端口电压：40-60V，额定功率800W　　充电模式峰值效率高于96%，放电模式峰值效率高于97%　　开关频率范围：100-180kHz，谐振频率：150kHz　　高精度PWM帮助实现精准的开关电源控制　　基于DSC特色外设的有源同步整流控制策略　　变频+移相+打嗝模式的混合调制策略，优化变换器在宽电压范围应用场景中的效率　　基于RTCESL实现2P2Z控制器，在帮助变换器实现更佳动态特性的同时，提高代码运行效率　　在充电模式下，实现变换器的恒压/恒流输出控制　　模块化的功率母板和控制子卡，便于客户评估不同系列DSC　　基于FreeMASTER实现变换器的工作模式控制和工作状态观测　　过流、过欠压和过温保护功能　　同步整流策略该方案中同步整流通过检测整流管漏源极电压实现。由于电流流过整流管沟道时的压降远小于整流管体二极管压降，因此通过判断漏源极电压值大小，便可确定同步整流管的开关状态。　　同步整流主要基于DSC片上外设(CMP，EVTG，QTMR，PWM，XBAR)实现，仅需少量外部器件。CMP为DSC内部集成的带窗口功能的比较器，VR为CMP内部DAC产生的电压基准信号。CMP用于检测整流管漏源极电压，其输出用于产生同步整流驱动信号。　　该方案中应用两种策略，以提高同步整流的可靠性。一方面，同步驱动信号vS6由比较器输出vcmp和PWM输出vS2_D经过“与”运算获得，从而避免潜在震荡引起的整流桥臂直通问题;另一方面，在vcmp翻转后，QTMR将输出一段低电平信号，低电平持续时间可通过配置QTMR调节。QTMR输出信号称为“窗口信号”，通过XBAR连接至CMP。在窗口信号为低电平时，即使vB存在较大电压震荡，多次穿越VR值，vcmp不会翻转，从而避免同步驱动信号的误动作。窗口信号为低电平的时段称为消隐时间。　　在该应用中，EVTG用于实现片上信号间的逻辑运算，XBAR用于片上信号互联。　　调制策略变频调制(PFM)为谐振变换器主流调制策略，通过改变谐振腔阻抗调节变换器电压增益。但是，当开关频率大于谐振频率时，随着开关频率提高，电压增益缓慢降低。在宽电压范围应用中，仅采用变频调制将导致开关频率范围很宽，因此不利于磁性元件的设计。　　移相调制(PSM)通过改变谐振腔输入电压脉宽调节变换器增益。当变频调制无法快速调节变换器电压增益时，调制策略由变频调制切换为移相调制，可在减小开关频率范围的同时，实现宽电压范围的电能变换。　　在空载或负载很轻的工况下，打嗝模式可帮助实现变换器输出电压稳压。另外，当变换器工作在打嗝模式时，其等效开关频率降低，因此轻载效率得以优化。　　变换器当前调制策略由控制器输出值决定。DSC片上的PWM模块可方便实现PFM和PSM模式间的平滑切换。　　软起动策略CLLC谐振变换器的软起动由开环阶段和闭环阶段构成。在开环阶段，开关频率保持为软起动阶段最高开关频率。通过移相调制，等效占空比Dφ由设定初始值，按照固定的步长逐渐增大，直到Dφ等于0.5，移相调制切换为变频调制。进入变频调制后，Dφ保持为0.5，开关频率按照设定步长逐渐减小，直至输出端口电压达到开环软起动门限电压，至此开环阶段结束。进入闭环阶段后，输出端口电压值已接近电压基准，经过电压控制环路调节，输出端口电压快速稳定在电压基准值，软起动结束。　　实验结果下图为隔离双向DCDC变换器硬件平台。控制子卡HVP-56F83783和功率母板采用子母卡形式，通过金手指连接。该设计方便用户根据自身需求，评估不同系列的DSC产品。　　下图为变换器工作在充电模式和放电模式时的效率曲线，分别对应低压端口电压为40V/50V/60V三种工况。

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恩智浦

发布时间：2024-08-14 11:18 阅读量：446 继续阅读>>

思瑞浦推出高性能车规级升压控<span style='color:red'>制器</span>TPQ5055xQ、升压转换器TPQ50571Q

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思瑞浦推出高性能车规级升压控制器TPQ5055xQ、升压转换器TPQ50571Q

　　升压变换器是一种常用的DC-DC电源变换器，它能将低电压的直流输入升压为更高的直流输出，同时可以实现升压电源(Boost)、升降压电源(Buck-Boost)、SEPIC 电源、隔离反激电源等多种拓扑。在工业控制、汽车电子等领域得到了广泛应用。　　思瑞浦推出TPQ5055xQ和TPQ50571Q两款高效率、小尺寸、易于使用的非同步升压控制器和转换器。　　TPQ5055xQ和TPQ50571Q为非同步升压控制器和转换器，采用固定频率PWM峰值电流模式控制方式，采用思瑞浦自主知识产权的双抖频技术优化EMI性能。内部集成过温保护、固定斜坡补偿与可配置斜坡补偿功能、软启动功能和过流保护等多种保护功能。　　TPQ5055xQ为控制器，可支持宽输入电压范围，并搭配MOSFET、IGBT或SiC功率管，适用于更广泛的应用场合;TPQ50571Q集成高达5A电流能力的MOSFET，可适用于小尺寸、高功率密度应用场景。　　TPQ5055xQ产品特点　　车规AEC-Q100 等级1认证　　输入电压范围：2.9V至45V 1.5A门级驱动能力　　可调开关频率：100kHz~2.2MHz　　可调输入欠电压锁定(UVLO)　　可调软启动时间　　PowerGood输出指示　　可选Hiccup过载保护模式　　可选双抖频功能　　可选带可浸润侧翼的QFN 3mmX2mm封装　　TPQ5055xQ Boost应用12V升压至24V效率曲线图　　下图为TPQ5055xQ系列带抖频功能芯片的EMI传导特性图，其中测试条件为Boost应用，VIN=12V输入，VOUT=24V，IOUT=1A，f=440kHz，测试标准为CISPR25 class 3。　　TPQ50571Q产品特点　　车规AEC-Q100 等级1认证　　输入电压范围：2.9V~45V　　输出电压范围：从输入电压至48V　　6.2A的开关电流限制　　开关导通电阻为39mΩ　　可调开关频率：100kHz~2.2MHz　　可调输入欠电压锁定(UVLO)　　可调软启动时间　　PowerGood输出指示　　可选Hiccup过载保护模式　　可选展频功能　　可选带可浸润侧翼3mmX3mm QFN封装　　TPQ50571Q 12V升压至24V效率曲线图　　隔离辅助电源应用　　在新能源汽车、储能系统和充电基础设施等应用中，随着电压的增加，稳定可靠的隔离电源变得尤为重要。例如，在新能源汽车的电驱系统、车载充电器和车载DCDC电源中，需要从12V/24V或48V的车载系统产生多路辅助电源，以供隔离驱动使用。　　与传统的PWM控制器相比，TPQ5055xQ具有以下优势：　　提高开关频率，减小变压器体积;　　提供保护和诊断功能;　　针对电磁干扰(EMI)进行优化;　　低静态功耗，高效率。　　高压备用电源应用　　TPQ5055xQ的出色静态工作电流性能，使其适用于将高压电池包直接转换为隔离低压供电的备用电源场景。这有助于在主电源12V失效的情况下，确保系统满足系统级功能安全需求。　　TPQ50571Q正负电源输出　　在光模块、激光雷达等应用中，经常需要高压正负电源轨，TPQ50571Q可同时产生多电源轨。　　TPQ50571Q SEPIC电源应用　　SEPIC方案因其宽输入范围、输出完全关断、低EMI并且低成本、固定输出电压的优势，广泛应用于车载电源稳压、摄像头电源供电等领域。　　TPQ50571Q集成5A大电流MOSFET，可广泛适用于需要宽输入范围的SEPIC拓扑，可在宽输入范围内避免Buck-Boost拓扑的模式切换而造成的环路不稳定和纹波增大。

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思瑞浦

发布时间：2024-08-13 13:56 阅读量：446 继续阅读>>

帝奥微：具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控<span style='color:red'>制器</span>DIA89360

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帝奥微：具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360

　　当前，汽车前照灯正朝着小型化和高效节能的趋势不断发展。随着灯具尺寸逐渐减小，LED驱动需要具备更大的功率，以确保在有限空间内实现高亮度的照明效果。同时，为了降低整车电耗，缓解电动车续航焦虑，高效率也成为LED驱动产品不可或缺的特性。帝奥微最新推出的LED驱动DIA89360完美契合了这一发展趋势，将小型化和高效节能融为一体，为汽车前照灯的未来发展提供了完美的解决方案。　　DIA89360是国内首款具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器，该架构能以最高的系统效率和最少的外部组件数量驱动大功率LED，特别适用于需要高效率且电路板空间有限的高电流近光灯，远光灯或组合远近光灯应用。调光方式灵活，支持模拟和数字(内部&外部)调光;提供完整的故障诊断和保护功能，集成输入和输出的电流检测功能;开关频率可调并支持展频功能，来确保出色的EMC性能;内置高侧PMOS驱动，可以驱动外部PMOS拓展高调光比应用。得益于恒流和恒压模式的灵活调节，DIA89360也可以为USB等非LED应用供电。　　产品特性　　• 宽输入电压范围：4.5V - 55V　　• 宽输出电压范围：0V - 55V　　• 开关频率范围：200kHz - 700kHz　　• 高达97%的超高效率　　• LED电流精度，±3%　　• 支持恒流 & 恒压模式　　• 集成轨到轨电流感测放大器，支持高侧 & 低侧LED电流检测　　• 优越的EMC性能:　　支持展频功能　　支持外接同步时钟　　• 灵活的调光方式：　　外部PWM调光　　内部PWM调光　　模拟调光　　• 完整的诊断和保护功能:　　输入/输出过压，输入欠压，输出开路，输出短路，过温　　输入/输出电流检测，带专用的检测输出引脚　　输入电流限流　　独立的短路/开路报错引脚　　• 可调软启动　　• 符合AEC-Q100标准　　• 封装：QFN-48，7mm*7mm　　产品优势　　超高效率，高达97%　　内部集成高侧PMOS驱动拓展高调光比应用。LED电流路径中串联调光FET是实现高调光比所必需的;当PWM信号为低时，串联的调光FET断开可以防止输出电容放电，确保了LED电流能够实现快速的上升和下降，以此来响应高调光比的PWM输入，如DIA89360波形;在没有任何调光FET的情况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。　　2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动允许单根线束连接到LED灯串，灯串阴极接地，通过地回路与控制板相连，节省线束。　　高精度调光　　调光方式灵活，支持模拟调光，外部PWM调光和内部PWM调光。内部PWM的调光频率为280Hz，调光占空比可通过改变PWMI引脚的电压DC值来调节，不需要MCU的参与，节省MCU资源。　　不同工作状态的平稳切换　　DIA89360能够在降压、四开关升降压、和升压工作区之间平稳地转换。单芯片驱动多个输出　　在系统电路板空间有限或系统成本预算不高的情况下，可以考虑将远光灯，近光灯以及日行灯“包裹”在一起。因为日行灯仅在远光灯和近光灯关闭时才会需要，故可使用单个 LED 驱动器给远光和近光 LED 或日行灯供电。相对于传统单通道驱动方案具有外围元器件少、BOM成本低、效率高、EMC性能好等优点。

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帝奥微

发布时间：2024-07-18 09:03 阅读量：380 继续阅读>>

思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控<span style='color:red'>制器</span>TPS65R01Q

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思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q

　　聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)发布汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q。　　TPS65R01Q拥有20mV正向调节功能，降低系统损耗。快速反向关断(Typ：0.39μs)，在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。　　TPS65R01Q可广泛应用于工业控制、企业电源、汽车主机、ADAS、仪表盘、HUD等多个终端场景。　　TPS65R01Q产品优势　　电池反向保护、快速关断、零直流反向电流电源系统设计中，直接使用电池供电的模块或子系统，在感性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。　　TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效保护与电池相连接的模块和子系统。　　降低正向功耗　　传统的串联肖特基二极管虽然能够提供反向电压保护，但当负载电流增加时，二极管的结温会显著升高，这不仅会加剧热问题，还可能因高温导致反向漏电流上升，进而影响整个系统的稳定性。因此，热管理在系统设计中显得尤为重要。　　TPS65R01Q具备20mV正向调节功能，相比于肖特基二极管的VF值(0.3V左右@1A)，TPS65R01Q的正向电压更低，这意味着在相同条件下，热损耗显著减少。这种改进不仅提升了系统的可靠性，还有助于降低系统设计和运行的成本。　　低静态功耗　　TPS65R01Q常温下正常工作电流典型值60μA，全温度范围内不超过100μA。　　更好的冷启动性能　　在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS(P型金属氧化物半导体)方案可能会导致PMOS的沟道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。　　TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V(仍高于3.2V)时，也能确保外部NMOS保持完全增强状态。　　ORing电源平滑切换　　下图展示了在双电源配置中，当 VIN1 固定在12V，而 VIN2 在4V至60V之间进行动态切换时，系统能够实现从 VIN1 到 VIN2 的平滑切换，确保输出在切换过程中保持稳定。　　TPS65R01Q典型应用　　TPS65R01Q产品特性　　宽输入电压：3.2V-60V　　最大-65V的反向电压承受能力　　正向调制电压：20mV　　反向关断电压：-11mV　　最大关断电流：2.3A　　反向关断延时：390ns　　正向恢复延时：1.5μs　　支持多颗NMOS并联　　温度范围：-40℃ to 125℃　　封装：SOT23-6

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思瑞浦

发布时间：2024-07-17 13:50 阅读量：501 继续阅读>>

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TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

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ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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