在沉积<span style='color:red'>多晶硅</span>时，如何控制晶粒尺寸和结构
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在沉积多晶硅时，如何控制晶粒尺寸和结构

　　多晶硅(Polycrystalline Silicon，简称poly-Si)是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电器件等领域。在多晶硅的制备过程中，控制晶粒尺寸和结构对其性能至关重要。本文将探讨在沉积多晶硅时，如何有效地控制晶粒尺寸和结构的方法。　　1.沉积多晶硅及晶粒生长机制　　1. 多晶硅的制备：多晶硅通常通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PECVD)等技术制备，其中主要前驱体为硅源气体(如硅烷气体)。　　2. 晶粒生长机制：在沉积过程中，硅原子会沉积在基底表面并形成晶核，随后晶核逐渐增长形成多晶硅薄膜，晶粒的尺寸和结构取决于沉积条件和影响因素。　　2.控制晶粒尺寸和结构的策略　　1. 温度控制：适当选择反应温度可以影响晶粒生长速率和晶粒尺寸，通常较高温度会促进晶粒长大，但过高的温度可能导致晶粒聚集和过大晶粒产生。　　2. 气氛调节：调节反应气氛中的气体流量和比例，以控制气相中的硅浓度和扩散速率，从而影响晶粒的成核和生长速率。　　3. 压力优化：合适的反应压力有助于维持稳定的气相传输速率，避免非均匀的沉积和晶粒不规则生长，提高晶粒尺寸均匀性。　　4. 添加掺杂物：通过向多晶硅中掺入适量的掺杂物(如磷、硼等)，可以调节晶格结构，限制晶粒长大，抑制异质晶界的形成，改善多晶硅的电学性能。　　5. 表面处理：在多晶硅生长之前对基底表面进行预处理，如氢气退火等，可改善表面平整度、去除杂质层，促进晶核的均匀分布和生长。
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发布时间：2024-08-23 11:41 阅读量：325 继续阅读>>
全球第二大<span style='color:red'>多晶硅</span>生产商美国工厂因技术故障发生爆炸
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全球第二大多晶硅生产商美国工厂因技术故障发生爆炸

全球第二大多晶硅生产商——瓦克集团证实，该集团位于美国田纳西州的生产基地近日因技术故障发生一起物质泄漏和爆炸事故，管道也因此遭受损坏。期间有少量氯硅烷发生泄漏，但被生产基地的消防人员立即用水浇灭。由此产生的水蒸汽中残留有氯化氢。此外，一条水蒸汽管道受损也产生了额外的水蒸汽。 厂区外的检测数据显示，排放值并没有因此升高。为安全起见，瓦克这座为太阳能行业生产多晶硅的工厂暂时停止生产。瓦克目前正在调查这起事故的原因。 据悉，该新项目是瓦克最大的单笔投资，总计投资25亿美元，年产能为2万吨多晶硅。 从业内了解到，瓦克集团在美国生产的多晶硅并不直接供应中国国内，但这部分产能停产后预计仍会对全球的多晶硅供应产生冲击。 来自硅业分会的数据显示，上周国内多晶硅价格持稳微涨，太阳能一级致密料报价区间在14.2-15.0万元/吨，均价14.79万元/吨，周环比上涨0.48%。一级致密料成交价区间在14.2-15.0万元/吨，均价为14.71万元/吨，周环比上涨0.55%。进口多晶硅主流报价12.50-19.57美元/千克，均价16.71美元/千克，环比上涨3.15%。 据分析，多晶硅价格上涨的原因主要是目前供应仍然偏紧。目前赛维LDK和盾安光伏检修尚未结束，新特能源和新疆大全则计划在不久后检修。 目前，瓦克多晶硅排名全球第三，另两大公司分别为江苏中能、韩国OCI。2017年上半年时，全球多晶硅产量高达21.2万吨，前五大生产商的总产量则为12万吨，占全球总产量的56.6%，集中度持续提升。 目前，瓦克正在配合当地劳动安全部门---田纳西职业安全与健康管理局调查故障的原因，瓦克称，公司把员工和周边居民的安全和福祉置于首位，所有的行动始终受到这一义务的牵制与决定。
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发布时间：2017-09-14 00:00 阅读量：1349 继续阅读>>

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