海凌科：两位数的ACDC<span style='color:red'>氮化镓</span>电源模块 转化效率92%以上
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海凌科：两位数的ACDC氮化镓电源模块 转化效率92%以上

　　电源是一个产品的生命之源，一直默默无闻的为各种电器设备提供其所需的稳定电压。而采用氮化镓材料研发的电源模块，比用传统的蛙基材料研发的电源模块，拥有更高的转换效率、更低的开关损耗。　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx是采用氮化镓芯片研发的两款高性价比AC-DC系列电源模块，输出功率30W和40W，内置EMC电路，稳压单路输出。　　01　　GaN电池模组系列　　30W/40W产品概述　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块，外观相同，体积小巧可爱，大小都只有57.5*33.6*22.5mm。　　这两款电源模块均属于AC-DC隔离电源，使用氮化镓GaN芯片。功率密度大，效率高，转化效率高达92%以上。全球通用输入电压90-265Vac，输入输出隔离耐压 3000Vac。低纹波、低噪声、空载损耗<0.1W 。使用寿命长，连续工作时间超过10万小时。　　02　　GaN电池模组系列　　30W和40W电池模组共同点　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列模块的性价比高，使用寿命长，连续工作时间超过10万小时。　　转换效率高，开关损耗低。　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块，产品功率密度大，低功耗，采用氮化镓芯片，产品体积更小。氮化镓也被称为“终极半导体材料”，性能强大，使用范围广泛。作为整管流，可以有效降低开关与驱动损耗，增加开关的使用寿命，降低废热。　　相较其他模块电源，氮化镓电源模组使用在电子产品中，可以减少产品10%-25%的用电量。同时，氮化镓的高禁带宽度与卓越导热性能，减少过度充电的潜在风险，提高产品的使用寿命，降低功耗。　　安全可靠，符合UL、CE、EMC 标准。　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块具备安全隔离、噪声隔离、电压变化以及稳压等特点。模块自身经过输出短路和过流保护测试，在出现相应异常时可以很好的保护并恢复电路。　　同时，为了更好的保证产品的安全性，产品还采用了高品质环保防水导热胶灌封，防潮、防振、防水、防尘，满足UL、CE、EMC 标准。PCB 板采用双面覆铜箔板制作，材料防火等级为 94-V0 级。　　即插即用，使用和替换更方便。　　HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块即插即用，在产品出现故障时，用户可以快速排出是否是电源模块出现了问题，同时也可以快速更换有故障的电源模块。　　03　　GaN电池模组系列　　30W和40W模块的特点　　为了满足不同客户、不同产品的需求，HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块，在输出功率、输出电压、输出电流方面有着自身的特点，为用户带来了更多的选择。　　HLK-30W系列介绍　　HLK-30Mxx系列电源模块，顾名思义，是输出功率在30W的4款主打热销电源模组产品。4款产品分别为30M09/ 30M12/ 30M15/ 30M24。在输出电压和输出电流等方面提供不同的配置，拥有更多的产品解决方案，从而可以适用于更多产品，简化应用设计过程，缩短开发时间。　　30W系列产品具体参数如下图所示：　　HLK-40W系列介绍　　HLK-40Mxx，宽电压24V(18-36)输入，产品的输出功率在40W，目前有着4款主推产品，分别为40M09/ 40M12/ 40M15/ 40M24。与HLK-30W相似，HLK-40W也是在输出电压和输出电流等方面给用户提供更大的选择空间，让用户在电源模组的选择上自由度更高，产品开发更加便捷。　　40W系列产品具体参数如下图所示：　　综上所述，HLK-30Mxx和HLK-40Mxx两款系列电源模块氮化镓电源模块在能源转换效率、降低损耗、安全耐用等方面的优势不言而喻，同时模块出货KK级以上，有自加工工厂，量产稳定，量大价优，支持定制。
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发布时间：2024-07-29 15:22 阅读量：433 继续阅读>>
瑞萨电子：Transphorm GaN技术引领<span style='color:red'>氮化镓</span>革命
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瑞萨电子：Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

　　*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。　　长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型(E-mode)晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面，常闭型(D-mode)都更优于前者。　　D-mode GaN的优势　　此前，GaN功率半导体产品的全球领先企业Transphorm发布了《Normally-off D-mode 氮化镓晶体管的根本优势》的最新白皮书。其中，介绍了normally-off D-mode GaN平台的几个关键优势，包括：　　性能更高：优越的TCR(~25%)，更低的动态与静态导通电阻比(~25%)，从而降低损耗，获得更高的效率和更优越的品质因数(FOM)。　　高功率级应用更加容易：Transphorm D-mode具有较高的饱和电流，而E-mode则必须通过并联才能提供相同的电流，但这会导致功率密度和可靠性下降。　　稳健性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受E-mode的p栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。　　Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk　　Transphorm在初入市场时，不断研究、探讨了两种不同的技术路线，最终决定采用常闭型D-mode。十多年来，Transphorm凭借最可靠的GaN平台成功引领行业，设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650V、900V和1200V(尚处于开发阶段)氮化镓器件。目前，Transphorm器件的现场运行时间已超过2000亿小时，覆盖了从低功率到高功率系统最广泛的应用领域。　　Transphorm业务拓展及市场营销高级副总裁Philip Zuk接受了中电网的采访，深入探讨了Transphorm氮化镓(GaN)产品的独特特点、技术优势及其在高性能领域的应用前景。他称：“Transphorm的常闭耗尽型D-mode技术凭借一个GaN核心平台就能够涵盖整个功率范围，没有任何限制，而其他技术则兼需增强型GaN和SiC MOSFET才能达到同样的效果。”　　SuperGaN的优势　　Transphorm的SuperGaN技术是其产品线中的一大亮点。SuperGaN技术是一种共源共栅(cascode)结构的常闭耗尽型(normally-off D-mode)氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN具备了增强型(E-mode)氮化镓所不能比拟的优势，包括：　　Transphorm积累了深厚的GaN专业知识和垂直整合使其能够快速开发出高性能、可靠并且强劲的产品。　　SuperGaN可以保持GaN器件2DEG(即二维电子气，2DEG沟道的电子迁移率最高，可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。)的自然状态，充分利用2DEG的固有优势，将器件导通电阻降到最低。　　业界最丰富的封装类型：从传统的标准TO封装，直至降低封装电感、提高工作频率和印刷电路板制造效率的顶部和底部冷却式表贴封装。　　业界领先的可靠性：器件运行时间已超过3000亿小时，FIT故障率(每10亿小时发生的故障次数)只有不到0.05。　　此外，SuperGaN还可以提供最高的灵活性：　　直接替代E-mode增强型GaN分立器件解决方案以及Si和SiC MOSFET;　　提供不同的栅极驱动阈值电压，能够匹配使用E-mode增强型分立器件、高压超结和SiC MOSFET的电路设计;　　作为一个垂直整合的企业，能够实现系统级封装(SIP)合作。　　Philip Zuk称，任何其他供应商都无法提供上述优势，这也是Transphorm的SuperGaN技术能够取得成功的关键所在。　　助力快充市场　　如上所述，SuperGaN技术的优势使Transphorm的高压氮化镓场效应晶体管产品组合能够满足当今广泛的市场应用。例如，在快充领域，尤其是智能手机和笔记本电脑的充电器中，GaN器件在提高效率的同时减小体积，使快充设备更快捷高效。Philip Zuk认为，快充行业需要1200V GaN器件，Transphorm是一个垂直整合的企业，自主拥有外延片生产工艺，我们的1200V平台采用的是蓝宝石基GaN，650V SuperGaN平台采用的是硅基GaN。Transphorm将于今年下半年启动首款1200V器件的试样，帮助提升设计能力和成果，助力快充及800V电动汽车制造。　　汽车领域的新选择　　在应用更为广泛的新能源汽车领域，同为宽禁带半导体的SiC被广泛采用，未来GaN在该领域的应用会否更优于SiC呢?Philip Zuk认为，与SiC相比，GaN具有更高的性能，并且GaN器件的制造与硅基制程平台兼容，衬底材料更便宜，因此制造成本也更低。Transphorm的GaN技术650V以及即将在下半年推出的1200V平台可以不断改进性能和降低系统成本，而SiC却做不到。目前，Transphorm的GaN技术已应用于电动汽车的DC-DC以及车载充电器，并将在2030年进一步应用于车载逆变器驱动和三相快充站。　　与竞争技术相比毫不逊色　　Transphorm的SuperGaN技术可以与众多其他技术开展竞争，包括硅超结、IGBT和碳化硅MOSFET等。　　在可驱动性、可设计性和稳健性方面最接近SuperGaN的技术，是已上市近25年的硅超结MOSFET。SuperGaN不断仿效这些市场应用成熟技术的特性，方便客户尽快适应并接受新的技术。　　同时，SuperGaN还为设计者提供独一无二的“GaN优势”，即2DEG，2DEG沟道的电子迁移率最高，可令开关性能达到当前任何其他化合物半导体技术都无法企及的水平。　　高性能SuperGaN技术在良率和可靠性方面可与硅基技术媲美，并可将电源设计提升至一个全新的高度，基于其他技术望尘莫及的固有材料属性，实现性能和功率密度更高而成本更低的系统。　　小结　　全球功率半导体市场正在快速扩展，尤其是在能源效率和高性能需求驱动下，氮化镓技术的市场份额不断增加。随着全球各国推进碳中和目标，氮化镓技术在可再生能源、电动汽车、高效电源管理等领域的应用前景广阔。　　凭借着全方位的产品平台，Transphorm的氮化镓器件已经成功应用于从数十瓦至7.5kW的设计及量产产品，应用领域涵盖计算、能源/工业以及消费类适配器/快充电源。同时，Transphorm还创造了氮化镓行业的众多“第一”，为整个氮化镓功率半导体行业树立新的标杆，帮助越来越多的客户认识氮化镓技术的优势，期待着Transphorm能为新一代电力系统带来更多的贡献。
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发布时间：2024-07-12 10:50 阅读量：417 继续阅读>>
蔡司：<span style='color:red'>氮化镓</span>GaN的特殊价值在多个领域持续释放
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蔡司：氮化镓GaN的特殊价值在多个领域持续释放

　　自MU在2018年10月25日那场波澜壮阔的科技浪潮中，如同破浪前行的领航者，首次发布了全球首款GaN充电器，将这一前沿技术正式引入了消费电子的广袤天地。短短数载，GaN的浪潮便席卷了整个行业，各大厂商如雨后春笋般纷纷涉足，竞相推出相关产品。如今，GaN消费电子产品市场犹如一片璀璨的星海，繁星点点，竞争激烈。　　然而，面对这片红海般的竞争态势，相关企业并未满足于现状，而是如同翱翔于天空的雄鹰，敏锐地捕捉到了更多的增量市场空间。于是，GaN技术的应用开始逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等更为广阔的领域延伸，犹如一颗璀璨的星辰，照亮了前行的道路。　　GaN的独特价值，不仅仅局限于消费电子的边界，它正在这些新兴的领域中持续释放着光芒。就像一块珍贵的宝石，GaN在不同领域的应用中闪耀着独特的光彩，为未来的科技发展注入了新的活力。　　无刷直流电机(BLDC)在机器人、电动工具、家电和无人机中的应用越来越多。这些应用要求设备具备轻便、小巧、低转矩脉动、低噪音和极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高频率运行，同时需要先进的技术来减少由此产生的更高功率损耗。　　氮化镓(GaN)晶体管和集成电路能够在不显著增加损耗的情况下以更高频率运行，相比于基于硅的设备，它们能够显著降低成本、噪音、尺寸和重量。也正因此，GaN在电机驱动领域展现出了巨大的潜力。　　同时，在快充市场，GaN早已被广泛使用，也证明了其足够的安全可靠性。　　01　GaN正在加速“上车”　　在汽车行业的电动化与智能化浪潮中，汽车的电子脉络如同藤蔓般蔓延生长，搭载的电子电力系统愈发繁密。而在这一革新的浪潮中，基于GaN材料的功率器件犹如璀璨的明星，其功率输出密度和能量转换效率均远超传统硅材料，更以其出色的性能引领系统向小型化、轻量化迈进，大幅缩减了电力电子零部件的体积与重量。新能源汽车的崛起，为GaN材料带来了前所未有的发展机遇。　　随着新能源汽车市场的蓬勃发展，GaN已率先在车载激光雷达产品中大放异彩，并逐渐在车载充电器(OBC)、DC/DC转换器等核心部件中展露锋芒，预示着其未来无限的可能性。风口之下，整车厂商、零部件供应商、GaN相关厂商等纷纷将目光投向这一领域，竞相将GaN产品引入新能源汽车的广阔天地。　　GaN器件凭借优越的开关性能，成为车载激光雷达领域的宠儿。随着激光雷达在新能源汽车中的广泛应用，GaN器件产品更是炙手可热。2023年，英诺赛科凭借其低压车规级GaN产品，已在头部车企的车载激光雷达中实现量产，并在年底推出通过AEC-Q101认证的100V车规级GaN器件新品，为自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统提供了强大的支持。　　在新能源汽车车载充电器(OBC)领域，GaN Systems凭借其11kW/800V氮化镓车载充电器参考设计，在APEC 2023电力电子会议上大放异彩。与SiC产品相比，其功率密度提升高达36%，整体物料清单(BOM)成本至少降低15%，展现了氮化镓技术的卓越性能。同时，GaNPower也在这一领域积极布局，与汽车电子公司加拿大麦格纳集团携手合作，共同推动GaN在OBC上的应用研发。　　高压汽车应用领域的GaN解决方案供应商VisIC公司则将目光瞄准了电动汽车逆变器，与hofer powertrain共同开发的基于GaN的逆变器已开始应用于800V汽车，并与IQE合作，共同研发高可靠性D型GaN功率产品，为电动汽车逆变器领域带来新的突破。博世也在积极研发1200V氮化镓技术，为新能源汽车领域注入新的活力。　　目前，GaN器件在新能源汽车领域主要占据400V以下的应用市场，在中低端汽车市场展现出巨大的发展空间。同时，GaN器件在高压应用领域的研发也在不断推进，预示着其在新能源汽车领域更为广阔的前景。总体来看，氮化镓在新能源汽车领域的发展潜力不容小觑，正在逐步登上应用大舞台的巅峰。　　在电源转换领域，死区时间曾是设计师们必须面对的难题。然而，随着GaN FET技术的出现，这一问题得到了显著改善。GaN FET技术不仅降低了死区时间，还大幅提升了电机驱动器的性能，为电源转换领域带来了革命性的变革。凭借其高效能、高功率密度和优越的热管理特性，GaN技术在电机驱动领域展现出显著的优势和广阔的前景，为电机驱动系统带来了全新的变革和无限的可能性。　　02　GaN在光伏领域持续渗透　　在璀璨的光伏舞台上，GaN光伏逆变器以其超凡的才华，将功率密度的华丽乐章演绎得更为激昂，为GaN功率器件开辟了一片崭新的价值蓝海。　　回溯至2022年11月，美国光伏界的璀璨之星Solarnative振翅高飞，旗下微型光伏逆变器Power Stick搭载了EPC的GaN器件，犹如镶嵌了一颗璀璨的明珠，实现了业内翘楚的功率效益——功率密度竟跃升了五倍之多。这一卓越性能如一道曙光，照亮了GaN器件在光伏逆变器领域的无限可能，吸引了众多厂商竞相追逐。　　英诺赛科，作为行业内的佼佼者，于2023年7月挥毫泼墨，将GaN的艺术融入光伏的画卷，旨在进一步雕琢模块体积，雕琢出更为高效的系统性能。而在今年初春的APEC 2024展会上，英诺赛科更是展示了其精心打造的2KW微逆方案，搭配150V GaN与650V GaN的和谐交响，与传统Si方案相比，不仅体积减少了约20%，功率器件的损耗更是降低了35%。这一卓越表现，不仅让系统性能璀璨绽放，更在成本上实现了优雅的缩减。　　而在合作的舞台上，EET公司亦与EPC携手共舞，选用了EPC的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管，为其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品注入了更为强大的生命力。英飞凌亦在今年初与Worksport携手并肩，在便携式发电站的转换器中舞动着GaN功率器件的旋律。这两大合作案例，犹如优美的双人舞，展现了GaN器件在提高效率、开关频率等方面的卓越才能，同时实现了体积重量和系统成本的轻盈化。　　如今，GaN在光伏行业的应用案例如同繁星点点，汇聚成一幅璀璨的星图。它以其卓越的性能和广泛的应用前景，逐渐成为光伏行业的“主力军”之一，引领着行业迈向更加辉煌的未来。　　03　GaN在数据中心领域应用进展　　在数据中心的庞大运营图谱中，服务器电源及其冷却系统犹如一只饥饿的巨兽，吞噬着不菲的能源，成为运营成本的重要组成。然而，随着GaN技术的崛起，这只巨兽似乎找到了节制的钥匙。GaN，以其超凡的性能和效率，正逐步减轻数据中心对冷却系统的依赖，以更轻盈的姿态，迈向节能与成本效益的新纪元。因此，数据中心工程师们纷纷将目光投向搭载GaN器件的电源模块，期待其带来的革新。　　在数据中心电源模块的创新之路上，英诺赛科如同一颗璀璨的明星，其推出的100V SolidGaN的1kW DCDC电源模块和搭载650V GaN的2kW PSU方案，犹如两把利剑，精准地满足了当前AI、云计算对数据中心供电高效高功率密度的渴求。而纳微半导体，则以其最新高功率氮化镓芯片GaNSafe™为基础，打造了CRPS185 3200W钛金Plus效率服务器电源，其98W/inch³的超高功率密度和96.52%的极高峰值效率，无疑为数据中心服务器电源领域树立了新的标杆。　　与此同时，CGD与群光电能科技和英国剑桥大学技术服务部(CUTS)的强强联合，正在共同描绘一幅未来数据中心电源的宏伟蓝图。他们携手设计和开发的先进、高效、高功率密度数据中心电源产品，将GaN的潜力发挥到极致。GaN的开关损耗小，使其在数据中心的电源模块中如鱼得水，相关案例的落地更是证明了其强大的生命力。展望未来，GaN有望延伸至数据中心的其他部件，开启更为广阔的应用前景。　　蔡司扫描电镜 助力半导体研发　　蔡司用于高质量成像和高级分析显微镜的FE-SEM蔡司扫描电镜Sigma系列将场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) 技术与出色的用户体验相结合。构建您的成像和分析程序并提高工作效率。研究新材料、用于质量检验的颗粒或生物或地质标本。在高分辨率成像方面毫不妥协-转向低电压并在1kV 或更低电压下受益于增强的分辨率和对比度。使用一流的EDS几何结构执行高级分析显微镜 ,并以两倍的速度和更高的精度获得分析数据。
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发布时间：2024-07-11 10:19 阅读量：427 继续阅读>>
上海雷卯：<span style='color:red'>氮化镓</span>GaN静电浪涌防护方案
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上海雷卯：氮化镓GaN静电浪涌防护方案

　　前因：氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力，电路开关瞬态和雷击浪涌时，过流过压不能超过氮化镓的额定能力。　　方案优点： 处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量，反应快、低残压、可控.　　本方案采用： PTVS160AF单颗器件防护,功率大，体积小，节约空间.
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发布时间：2024-07-03 10:24 阅读量：478 继续阅读>>
什么是<span style='color:red'>氮化镓</span>半导体器件 <span style='color:red'>氮化镓</span>半导体器件特点是什么
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什么是氮化镓半导体器件 氮化镓半导体器件特点是什么

　　氮化镓半导体器件是利用氮化镓材料构建的各种电子器件，如晶体管(HBT)、场效应晶体管(FET)、二极管等。氮化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，具有优异的电子传输特性、热稳定性和宽带隙能带结构，使得氮化镓器件在高频率、高功率、高温度条件下表现出色。　　氮化镓半导体器件通常通过金属有机分子束外延(MOCVD)等工艺制备，可实现高质量、低缺陷的薄膜生长，从而提高器件的性能和可靠性。　　一、氮化镓半导体器件的特点　　宽带隙能带结构：氮化镓半导体具有较大的带隙能级(3.4电子伏特)，相比于硅和锗等传统半导体，氮化镓器件能够实现更高的工作频率和功率密度。　　高电子迁移率：氮化镓的电子迁移率非常高，可以达到数百至数千cm²/V·s，这意味着氮化镓器件拥有更快的开关速度和更低的电阻。　　高电子饱和漂移速度：由于电子在氮化镓中的高迁移率，氮化镓器件具有较高的电子饱和漂移速度，适用于高频率运行。　　耐高温特性：氮化镓半导体具有出色的热稳定性，能够在高温环境下工作，这使得氮化镓器件在高功率应用中表现优越。　　较小的形成损耗：由于其高电子迁移率和宽带隙能带结构，氮化镓器件具有较小的形成损耗，可实现更高的效率和节能。　　二、氮化镓半导体器件的应用　　1、射频和微波器件　　氮化镓半导体器件在射频和微波系统中应用广泛，如功率放大器、低噪声放大器、混频器等。其高频率特性和功率密度使其成为5G通信、雷达、航空航天等领域的理想选择。　　2、光电子器件　　氮化镓半导体器件也被用于光电子领域，例如LED、激光二极管和光检测器。氮化镓LED广泛应用于照明、显示和通信领域，而激光二极管则在光通信和激光雷达中发挥着重要作用。　　3、功率电子器件　　氮化镓半导体器件在功率电子领域中具有巨大潜力，如开关电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器等。其高功率密度和高温工作特性使得氮化镓器件在提高能源转换效率和减小尺寸方面具有优势。　　4、高速数据传输　　氮化镓器件也被广泛应用于高速数据传输和通信领域，如光纤通信系统和高速计算机网络。其高频率特性和低损耗使得氮化镓器件在数据传输中能够实现更快的速度和更低的延迟。　　氮化镓半导体器件由于其优异的性能特点，包括宽带隙能带结构、高电子迁移率、热稳定性等，在各个领域展现出极大的应用前景。其在射频、微波、光电子和功率电子领域的广泛应用，为提高系统性能、节能减排提供了有力支持。
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发布时间：2024-04-09 11:42 阅读量：509 继续阅读>>
<span style='color:red'>氮化镓</span>芯片和硅芯片有什么区别和优势
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氮化镓芯片和硅芯片有什么区别和优势

　　随着半导体技术的不断发展，氮化镓芯片作为一种新兴材料在电子行业中逐渐崭露头角。相比传统的硅芯片，氮化镓芯片具有独特的特性和优势，逐渐受到广泛关注和应用。　　1.硅芯片的特点　　硅芯片是目前电子行业最常用的半导体材料之一，被广泛应用于集成电路、处理器、存储器等领域。　　硅芯片的优点　　成熟制造工艺：硅芯片的制造工艺相对成熟，生产规模大，成本低。　　大规模生产：硅芯片产能巨大，适用于大规模集成电路生产。　　相对便宜：由于成本较低，硅芯片成品价格也相对较低。　　硅芯片的缺点　　功耗高：硅芯片在高频率运行时会产生较高的功耗，影响能效。　　限制性能提升：硅芯片存在物理上的极限，对性能提升有一定限制。　　温度敏感：硅芯片在高温环境下易出现性能波动或故障。　　2.氮化镓芯片的特点　　氮化镓(GaN)材料是一种 III-V族化合物半导体，具有优异的电学性能和物理特性，使其成为新一代电子器件的理想材料之一。　　氮化镓芯片的优点　　高频高功率特性：氮化镓芯片具有更高的电子流速度和载流子迁移率，适合用于高频高功率应用。　　低损耗：相比硅芯片，氮化镓芯片在高频率下有较低的导通和开关损耗。　　宽带隙特性：氮化镓具有较大的带隙能隙，使其在高频、高温环境下工作更加稳定。　　氮化镓芯片的缺点　　制造工艺复杂：相比硅芯片，氮化镓芯片的制造工艺更为复杂，增加了生产成本。　　成本较高：由于制造工艺、原材料成本等因素，氮化镓芯片的成本相对硅芯片较高。　　小规模生产：目前氮化镓芯片产量较小，规模化生产还面临挑战。　　3.氮化镓芯片与硅芯片的对比　　氮化镓芯片和硅芯片各有其独特的特点，在不同领域和应用中有所倾向。　　功耗和效率：对于需要高功率和高频率操作的应用，如雷达系统、无线通信等，氮化镓芯片的低损耗特性使其更为适合，而硅芯片则可能受到功耗限制。　　温度稳定性：在高温环境下的应用，如汽车电子设备、航空航天等领域，氮化镓芯片的宽带隙特性使其在高温工作时保持稳定性能，相比之下硅芯片可能会受到温度影响而表现不佳。　　性能提升空间：对于需要突破硅芯片性能极限的领域，如高速计算、光电子学等，氮化镓芯片具有更大的性能提升空间和潜力，能够满足更高要求的应用需求。　　成本与生产规模：目前由于制造工艺和原材料成本等因素，氮化镓芯片的生产成本较硅芯片更高。虽然硅芯片具有成熟的大规模生产工艺，但随着氮化镓技术的进步和产业化发展，预计氮化镓芯片的成本会逐渐下降，产量也会随之增加。　　氮化镓芯片和硅芯片各有自身的优势和局限性，在不同应用场景和需求下都能发挥重要作用。了解和比较氮化镓芯片与硅芯片的特点，可以更好地选择适合特定应用的半导体材料。
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发布时间：2024-03-13 11:19 阅读量：1099 继续阅读>>
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器 提高硅基或<span style='color:red'>氮化镓</span>功率转换器能效
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意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器 提高硅基或氮化镓功率转换器能效

　　意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。　　这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。　　SRK1004的电源电压是4V至36V，可以使用各种标准工业总线电源。宽压输入还可以灵活地调整降压比，以获得最佳的能效。此外，该控制器还内置快速短路检测功能，有助于开发稳健可靠的设备。　　在新推出的四款产品中，SRK1004A 和 SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的 SRK1004C 和SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。　　SRK1004x 同步整流控制器全系产品现已量产。四款产品的评估板EVLSRK1004A、EVLSRK1004B、EVLSRK1004C和 EVLSRK1004D现已上市，这些板子可以帮助开发者加快产品评估过程，及早开始设计。
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发布时间：2024-03-12 14:09 阅读量：763 继续阅读>>
海凌科：价格两位数的40W-ACDC<span style='color:red'>氮化镓</span>电源模块
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海凌科：价格两位数的40W-ACDC氮化镓电源模块

　　在5G时代到来后，氮化镓电源模块的商用进入快车道，从消费到汽车/工业等各个领域被广泛应用。　　40W-ACDC氮化镓电源模块是海凌科推出的一款王牌产品，高转换效率，高性价比，高容错率，应用场景广泛。　　MODULE　　40W氮化镓ACDC电源模块介绍　　40W-ACDC氮化镓电源模块是一种采用氮化镓芯片研发的高性价比电源模块，具有体积小巧、功率密度大、转化效率高达92%以上等优点。　　模块参数　　超薄型、小型、业内最小体积　　全球通用输入电压(85~265Vac)　　低功耗、绿色环保 、空载损耗<0.1W　　低纹波、低噪声　　良好的输出短路和过流保护并可自恢复　　高效率、功率密度大　　输入输出隔离耐压 3000Vac　　100% 满载老化和测试　　高可靠性、长寿命设计，连续工作时间大于 100000 小时　　满足 UL、CE 要求;产品设计满足 EMC 及安规测试要求　　采用高品质环保防水导热胶灌封，防潮、防振，满足防水防尘 IP65 标准　　经济的解决方案、性价比高　　无需外接电路即可工作　　1 年质量保质期　　MODULE　　40W氮化镓ACDC电源模块特点　　40W-ACDC氮化镓电源模组共包含4款产品，分别是HLK-40M09、HLK-40M12、HLK-40M15、HLK-40M24，220V转9V\12V\15V\24V,稳压内置EMC电路。　　92%高转换效率　　40W-ACDC氮化镓电源模组转化效率高达92%以上，功率密度大。与传统的硅基底电源相比，能够实现更有效的电量处理，将功率转换器的功率损耗大幅度降低，并极大地减少对散热冷却器件的需求，能够将更多电量存储在更小的空间内。　　安全可靠 符合多种认证标准　　在安全方面，40W-ACDC氮化镓电源模块符合UL、CE、EMC标准，具有高安全性。此外，其性价比高，应用领域广泛，如消费类电子、工业控制、通讯设备、仪器仪表、LED照明、安防监控等领域。模块满足对散热冷却器件的需求，能够将更多电量存储在更小的空间内。　　使用寿命长　　全球通用输入电压为90-265Vac，输入输出隔离耐压为3000Vac，具有低纹波、低噪声、空载损耗<0.1W等特点。同时，其使用寿命长，连续工作时间超过10万小时。　　MODULE　　模块应用场景　　40W-ACDC氮化镓电源模块具有高频、高效、高转换效率等特点，因此在多个领域都有广泛的应用场景。　　数据中心和服务器　　在数据中心和服务器领域，40W-ACDC氮化镓电源模块可以提供更高的能效和更小的体积，有助于降低运营成本和提高设备可靠性。　　电动汽车和新能源领域　　40W-ACDC氮化镓电源模块可用于电动汽车的充电设施，如充电桩和车载充电器。其高效率和高功率密度的特性可以提高充电速度，缩短充电时间，从而提高用户体验。此外，氮化镓电源模块还可用于新能源领域，如风能、太阳能等，为新能源设备提供高效、可靠的电源解决方案。　　工业自动化和机器人　　在工业自动化和机器人领域，40W-ACDC氮化镓电源模块可用于提供紧凑、高效的电源解决方案，满足设备对电源的高要求。
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发布时间：2024-02-26 15:43 阅读量：1668 继续阅读>>
高频<span style='color:red'>氮化镓</span>控制器！茂睿芯MK2697应用案例汇总！
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高频氮化镓控制器！茂睿芯MK2697应用案例汇总！

　　近期充电头网汇总了我司一款高频氮化镓控制器MK2697的应用案例。MK2697这款开关电源主控芯片是专为PD/快充应用优化的QR PWM控制器，该控制器宽VCC工作电压范围(9V-90V) 可以使其覆盖PD/PPS从3.3V-23V的输出范围而不需要使用额外的辅助绕组或者线性降压电路，能够搭配不同品类的同步整流产品，形成面向USB-PD应用全功率范围的电源管理量产解决方案。　　什么是高频氮化镓控制器?高频氮化镓控制器是一种专门用于控制氮化镓(GaN)功率器件的电子控制器。氮化镓是一种宽能隙的半导体材料，具有高电子迁移率和耐高温的特性，因此在高频和高功率应用中具有显著的优势。　　与传统的MOS控制器相比，高频氮化镓控制器能够提供更高的开关频率和更低的损耗，从而减小了电力电子设备的体积和重量，并提高了系统的效率。此外，高频氮化镓控制器通常集成了驱动器、保护电路和温度管理等功能，以提供完整的解决方案。这些控制器可以在各种应用中使用，例如电动车、可再生能源系统、数据中心和工业自动化等。总之，高频氮化镓控制器是实现高效、高功率密度的电力电子系统的关键组件之一。　　关于MK2697       *谷底导通，开关损耗低，效率高　　*100V Vcc 耐压，无需稳压电路直驱E-GaN，外围简洁　　*自主知识产权的驱动技术，同步优化初级和次级功率管电压应力　　*高达200kHz的工作频率，支持高频小体积的PD快充电源设计　　Application Case Summaries　　1、Aisawate爱莎瓦特65W 2C1A氮化镓快充　　爱莎瓦特科技最近推出了一款氮化镓快充充电器，采用时下热门柱状造型机身，配备2C1A三个输出接口。两个C口均支持65W快充，支持功率盲插。　　USB-A口支持最大24W快充，此外还支持华为22.5W SCP快充;充电器还支持45W+18W双口快充充电策略，满足笔电手机同时充电需求。　　2、倍思65W 2C1A氮化镓充电器        倍思这款65W氮化镓充电器CCGAN65C3销量非常的好，性能上同样支持PD、PPS等快充，支持最大功率达65W，保证消费者拥有相同的使用体验。　　充电器采用PC材质白色外壳，表面哑光处理。外壳上设计有品牌logo、功率标识等，输出端角处还有LED指示灯，输出端配备2C1A三个USB接口，方便消费者使用。　　3、倍思65W GaN3 Pro氮化镓充电器　　倍思这款GaN3 Pro 65W氮化镓充电器延续了上一代65W氮化镓快充的接口配置，依然配备了2C1A，同时也保留了优良的快充协议兼容性。　　不同之处在于，内置了全新的电源方案以及全新的结构布局，0.88W/cm³的功率密度，在65W三口充电器中十分少见，这也让整个充电器的体积更加小巧，更易于携带;同时，充电器在大功率输出时的升温表现，也得到优化。　　全新设计，突破体积极限，倍思65W GaN3 Pro氮化镓充电器拆解　　4、倍思67W 2C1A+HDMI多功能氮化镓桌面充　　倍思推出了一款全新的氮化镓桌面快充，这款充电器具备2C1A三个接口，支持67W输出功率，并且具备HDMI视频扩展，支持4K分辨率输出，将扩展坞和快充充电器合二为一，一次性满足充电，外接屏幕和接口扩展的使用需求。　　这款快充的电源线采用一体式设计，为1.5米长，全新的45°转角设计，不干扰其他插孔使用。　　5、创富源35W双C口快充充电器　　创富源推出的一款35W双C口氮化镓充电器，这款充电器在同时连接两个设备时，能够以20+20W的功率分配输出，满足苹果手机快充。　　充电器采用PC材质白色外壳，机身表面哑光处理抗指纹，边角过渡都相对比较圆润，持握不硌手。　　6、realme 67W 1A1C双口快充充电器　　真我推出了一款67W氮化镓充电器，这款充电器为1A1C双接口设计，并配有折叠插脚，日常使用和携带都很方便。充电器USB-C口支持67W输出，满足笔记本电脑充电使用，USB-A口支持65W快充，两个接口均可满足OPPO系手机快充。　　在USB-C和USB-A接口同时使用时，充电器还支持45+18W功率自动分配，同时满足手机和笔记本电脑的充电需求。　　7、SYNCWIRE 30W氮化镓充电器　　SYNCWIRE推出一款30W氮化镓PD充电器，这款充电器采用方块造型设计，固定插脚，体积小巧。　　充电器配有单USB-C接口，支持20V电压档位和PPS快充输出，满足主流手机和笔记本电脑的充电使用。　　8、特洛克·硬盒65氮化镓电竞插座　　充电头网拿到了特洛克科技推出的硬盒65电竞插座。这款插座内置氮化镓快充模块，支持65W输出功率，具备2A2C接口，能够满足笔记本电脑和手机充电使用。插座周围设计有氛围灯，支持多种颜色，科技感十足。　　插座具备六个新国标五孔插座，均配有安全门。插座采用半透明阻燃PC材质，可以看到下方的绿色安全门。并且还配有一个液晶屏幕，可以显示用电数据，更加实用。　　9、宏碁65W 1A1C氮化镓充电器　　宏碁推出了一款65W氮化镓充电器，这款充电器具备1A1C接口，双口均支持快充，并且支持功率自动分配，可为两台设备同时快充。　　此外充电器机身两侧做了波浪式设计，手感独特，配有折叠插脚，包装内配有数据线，携带方便到手即用，满足日常笔记本电脑和手机充电需求。　　10、古石30W 1A1C氮化镓充电器　　知名电源厂商古石科技推出了一款30W氮化镓充电器，这款充电器采用黑色撞色外壳设计，配有固定国标插脚。充电器具备1A1C接口，USB-C接口支持30W快充，USB-A口支持18W快充，快充协议支持广泛，能够满足新老设备的充电需求。　　充电器为直板造型设计，采用PC防火材质黑色外壳，腰身亮面磨砂撞色处理。充电器配备固定国标插脚。机身顶面内凹设计。　　11、UOCO. 45W双USB-C氮化镓充电器　　UOCO.这款45W的双USB-C口充电器，均支持45W输出，可盲插使用十分方便，双口同时输出时支持功率自动分配，满足两个设备同时快充需求。　　这款双口充电器配有双USB-C接口以及指示灯环，能够显示通电状态，方便消费者了解充电状态。　　关于茂睿芯　　茂睿芯科技有限公司是一家致力于高性能模拟和混合信号集成电路设计、研发、销售与技术服务的公司，产品主要定位于高性能电源管理、汽车电子、功率驱动模块、电机驱动及传感器技术等应用。目前公司在先进工艺制程上积累了大量知识产权，已获得授权专利27件(发明专利17件，实用新型10件)，另获得集成电路布图权42件，具备快速研发及量产模拟和混合信号集成电路能力，公司于2023年被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。　　MK2697是一款专为PD快充优化的主控芯片，一颗芯片就可以满足PD/PPS快充的宽电压输出，支持内置多模式自动切换，效率高，外围精简，满足高功率密度的快充需求。现阶段，MK2697已经进入真我、倍思、宏碁、古石等手机、配件大厂供应链，未来茂睿芯将继续紧随厂商需求，推出更多高性能电源芯片，助力快充领域发展。
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发布时间：2024-01-24 11:31 阅读量：1472 继续阅读>>
想要玩转<span style='color:red'>氮化镓</span>？纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦！
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想要玩转氮化镓？纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦！

　　作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗，但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。　　按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。　　01、耗尽型(D-mode)GaN 驱动方案　　一、D-mode GaN类型与特点　　由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用，需要通过增加外围元器件的方式，将D-mode GaN从常开型变为常关型，主要包括级联(Cascode)和直驱(Direct Drive)两种技术架构;其中，级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1，级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从而将常开型变为常关型。　　尽管低压Si MOS在导通时额外串入沟道电阻，并且参与了器件的整体开关过程，但由于低压Si MOS的导通电阻和开关性能本身就很理想，所以对GaN器件的整体影响非常有限。　　级联型的D-mode GaN最大的优势在于可用传统Si MOS的驱动电路，以0V/12V电平进行关/开的控制。但需要注意的是，尽管驱动电路和Si MOS相同，但由于级联架构的D-mode GaN的开关频率和速度远高于传统的Si MOS，所以要求驱动IC能够在很高的dv/dt环境下正常工作。　　如下图2和图3所示为氮化镓采用半桥拓扑典型应用电路，GaN的高频、高速开关会导致半桥中点的电位产生很高的dv/dt跳变，对于非隔离驱动IC，驱动芯片的内部Level shifter寄生电容会在高dv/dt下产生共模电流;对于隔离驱动IC，驱动芯片的输入输出耦合电容同样构成共模电流路径。这些共模电流耦合到信号输入侧会对输入信号造成干扰，可能会触发驱动芯片的误动作，严重时甚至会引发GaN发生桥臂直通。　　因此，共模瞬变抗扰度(CMTI)是选择GaN驱动IC的一个重要指标。对于GaN器件，特别是高压、大功率应用，推荐使用100V/ns以上CMTI的驱动IC，以满足更高开关频率、更快开关速度的需求。　　二、纳芯微D-mode GaN驱动方案　　纳芯微提供多款应用于D-mode GaN的驱动解决方案，以满足不同功率段、隔离或非隔离等不同应用场景的需求。　　1)NSD1624：高可靠性高压半桥栅极驱动器　　传统的非隔离高压半桥驱动IC一般采用level-shifter架构，由于内部寄生电容的限制，通常只能耐受50V/ns的共模瞬变。NSD1624创新地将隔离技术应用于高压半桥驱动IC的高边驱动，将dv/dt耐受能力提高到150V/ns，并且高压输出侧可以承受高达±1200V的直流电压。此外，NSD1624具有+4/-6A驱动电流能力，能工作在10~20V 电压范围，高边和低边输出均有独立的供电欠压保护功能(UVLO)。NSD1624 可提供SOP14，SOP8，与小体积的LGA 4*4mm封装，非常适合高密度电源的应用，可适用于各种高压半桥、全桥电源拓扑。　　2)NSI6602V/NSI6602N：第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器　　NSI6602V/NSI6602N是纳芯微第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器, 相比第一代产品进一步增强了抗干扰能力和驱动能力，同时提高了输入侧的耐压能力，且功耗更低，可以支持最高2MHz工作开关频率。每个通道输出以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力，150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI) 提高了系统抗共模干扰能力。NSI6602V/NSI6602N有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA 封装，可用于GaN等功率密度要求高的场景。　　3)NSI6601/NSI6601M：隔离式单通道栅极驱动器　　NSI6601/6601M 是隔离式单通道栅极驱动器，可以提供分离输出用于分别控制上升和下降时间。驱动器的输入侧为3.1V至17V电源电压供电，输出侧最大电源电压为32V，输入输出电源引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。它可以提供5A/5A 的拉/灌峰值电流，最低150V/ns的共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了系统鲁棒性。此外，NSI6601M还集成了米勒钳位功能，可以有效抑制因米勒电流造成的误导通风险。　　02、增强型(E-mode)GaN驱动方案　　一、E-mode GaN类型与特点　　不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型，E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构，改变栅极的导通阈值，从而实现常断型器件。　　根据栅极结构不同，E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线，其中电压型E-mode GaN最为主流，下文将主要介绍该类型GaN的驱动特性和方案。　　这种类型E-mode GaN的优点是可以实现0V关断、正压导通，并且无需损害GaN的导通和开关特性。由于GaN没有体二极管，不存在二极管的反向恢复问题，在硬开关场合可以有效降低开关损耗和EMI噪声。然而，电压型E-mode GaN驱动电压范围较窄，一般典型驱动电压范围在5~6V，并且开启阈值也很低，对驱动回路的干扰与噪声会比较敏感，设计不当的话容易引起GaN误开通甚至栅极击穿。　　*不同品牌的E-mode GaN栅极耐受负压能力差别较大，有的仅能耐受-1.4V，有的可耐受-10V负压。　　在低电压、小功率，或对死区损耗敏感的应用中，一般可使用0V电压关断;但是在高电压、大功率系统中，往往推荐采用负压关断来增强噪声抗扰能力，保证可靠关断。在设计栅极关断的负压时，除了需要考虑GaN本身的栅极耐压能力外，还需要考虑对效率的影响。如下表所示，这是因为E-mode GaN在关断状态下可以实现电流的反向流动即第三象限导通，但是反向导通压降和栅极关断的负压值相关，用于栅极关断的电压越负，反向压降就越大，相应的会带来更大的死区损耗。一般，对于500W以上高压应用，特别是硬开关，推荐-2V~-3V的关断负压。　　➯ 考虑E-mode GaN的以上驱动特性，对驱动器和驱动电路的设计一般需要满足：　　◆ 具备100V/ns以上的CMTI，以满足高频应用的抗扰能力;　　◆可提供5~6V的驱动电压，并且驱动器最好集成输出级LDO;　　◆ 驱动器最好有分开的OUTH和OUTL引脚，从而不必通过二极管来区分开通和关断路径，避免了二极管压降造成GaN误导通的风险;　　◆ 在高压、大功率应用特别是硬开关拓扑，可以提供负压关断能力;　　◆ 尽可能小的传输延时和传输延时匹配，从而可以设定更小的死区时间，以减小死区损耗。　　二、E-mode GaN驱动方案　　分压式方案　　E-mode GaN可以采用传统的Si MOS驱动器来设计驱动电路，需要通过阻容分压电路做降压处理。如图8所示驱动电路，开通时E-mode GaN栅极电压被Zener管稳压在6V左右，关断时被Zener管的正向导通电压钳位在-0.7V左右。因此，GaN的开通和关断电压由Dz决定，和驱动器的供电电压无关。　　更进一步的，如果在Dz的基础上，再反向串联一个Zener管，那么就可以实现负压关断。　　如图10所示，为NSD1624采用10V供电，通过阻容分压的方式用于驱动E-mode GaN的典型应用电路。同样的，隔离式驱动器NSI6602V/NSI6602N、NSI6601/NSI6601M也可以采用这种电路，用于驱动E-mode GaN。对于阻容分压电路的原理与参数设计在E-mode GaN厂家的官网上都有相关应用笔记，在此不展开详解。　　直驱式方案　　尽管阻容分压式驱动电路，可以采用传统的Si MOSFET驱动器来驱动E-mode GaN，但是需要复杂的外围电路设计，并且分压式方案的稳压管的寄生电容会影响到E-mode GaN的开关速度，应用会有一些局限性。对此，纳芯微针对E-mode GaN推出了专门的直驱式驱动器，外围电路设计更简单，可靠性更高，可以充分发挥E-mode GaN的性能优势。　　1)NSD2621：E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器　　NSD2621是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术，可以支持-700V到+700V耐压，150V/ns的半桥中点dv/dt瞬变，同时具有低传输延时特性。高低边的驱动输出级都集成了LDO，在宽VCC供电范围内均可输出5~6V的驱动电压，并可提供2A/-4A的峰值驱动电流，同时具备了UVLO 功能，保护电源系统的安全工作。NSD2621 可提供高集成度的LGA (4*4mm) 封装，适用于高功率密度要求的应用场景。图5为NSD2621的典型应用电路，相比分压式电路，采用NSD2621无需电阻、电容、稳压管等外围电路，简化了系统设计，并且驱动更可靠。　　2)NSD2017：E-mode GaN专用单通道低边栅极驱动器　　NSD2017是专为驱动E-mode GaN设计的车规级单通道低边驱动芯片，具有欠压锁定和过温保护功能，可以支持5V供电，分离的OUTH和OUTL引脚用于分别调节GaN的开通和关断速度，可以提供最大7A/-5A的峰值驱动电流。NSD2017动态性能出色，具备小于3ns的传输延时，支持1.25ns最小输入脉宽以及皮秒级的上升下降时间，可应用于激光雷达和电源转换器等应用。NSD2017有1.2mm*0.88mm WLCSP和2mm*2mm DFN车规级紧凑封装可选，封装具有最小的寄生电感，以减少上升和下降时间并限制振铃幅值。　　3)NSI6602V/NSI6602N：E-mode GaN隔离驱动　　专门针对E-mode GaN隔离驱动的需求，纳芯微调节NSI6602V/NSI6602N的欠压点，使其可以直接用于驱动E-mode GaN：当采用0V关断时，选择4V UVLO版本;当采用负压关断时，可以选择6V UVLO版本。需要注意的是，当采用NSI6602V/NSI6602N直接驱动E-mode GaN时，上管输出必须采用单独的隔离供电，而不能采用自举供电。这是因为当下管E-mode GaN在死区时进入第三象限导通Vds为负压，此时驱动上管如果采用自举供电，那么自举电容会被过充，容易导致上管E-mode GaN的栅极被过压击穿。图13为NSI6602V/NSI6602N直驱E-mode GaN时的典型应用电路，提供+6V/-3V的驱动电压。　　03、GaN功率芯片方案　　NSG65N15K是纳芯微最新推出的GaN功率芯片产品，内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的E-mode GaN HEMT。NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起，消除了共源极电感Lcs，并且将栅极回路电感Lg也降到最小，避免了杂散电感的影响。NSG65N15K是9*9mm的QFN封装，相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动，加上外围元件，总布板面积可以减小40%以上。此外，NSG65N15K内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能，有利于实现GaN 应用的安全、可靠工作，并充分发挥其高频、高速的特性优势，适用于各类中小功率GaN应用场合。　　04、纳芯微GaN驱动方案选型指南　　综上所述，纳芯微针对不同类型的GaN和各种应用场景，推出了一系列驱动IC解决方案，客户可以根据需求自行选择相应的产品：
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发布时间：2023-12-20 11:47 阅读量：1862 继续阅读>>

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