群芯微丨可控<span style='color:red'>硅</span>光耦产品线介绍
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群芯微丨可控硅光耦产品线介绍

　　可控硅光耦产品线介绍　　可控硅光耦原理图和封装：　　可控硅光耦是一种高效、可靠的隔离驱动器件，专为在低压控制电路与高压交流负载之间建立安全连接而设计。它能够直接驱动外部大功率晶闸管，适用于对120V/240V/380V交流负载(单相/三相)进行控制，是替代复杂分立驱动方案的理想选择。可控硅光耦作为一种能够直接对交流电进行控制的电子元器件，在电路设计中可大幅简化结构、提高可靠性，广泛应用于家电、工业控制、照明调控等场景，是实现交流负载安全、低噪声、紧凑型控制的优选解决方案。　　可控硅光耦工作示意图：　　核心要点　　基本构成：由一个发光二极管(LED)和一个光控可控硅组成。　　根据触发相位控制方式，分为两大类型：　　过零相位触发型(过零可控硅)　　随机相位触发型(非过零可控硅)　　一、过零相位触发型　　核心特征：内置过零检测模块，只在交流电压过零点(电压为零时)触发导通。　　关键优势：　　抗干扰强：天然屏蔽了非过零期间的各种干扰信号。　　无冲击：导通瞬间电压和电流最低，能彻底避免浪涌电流对负载和电路本身的冲击。　　高可靠性：开关过程对负载友好，电气应力小。　　设计目的：实现稳定、无冲击、高可靠性的纯开关控制。　　典型应用：对稳定性、抗干扰性和负载保护要求高的通断控制场景(如固态继电器、设备电源开关等)。　　二、随机相位触发型　　核心特征：允许在交流电的任意相位(角度)触发导通。　　关键能力：通过控制触发相位(移相)，可以实现对输出电压的连续、精细调节。　　主要代价/挑战：　　易受干扰：非过零触发机制本身无干扰屏蔽。　　存在冲击：在非零点导通时会产生较大的瞬时电压/电流冲击(浪涌)。　　设计复杂：必须额外设计电路来妥善处理干扰和导通冲击问题。　　设计目的：实现高精度、连续可调的功率控制。　　典型应用：需要平滑调节的调光、调速、调温、调功率等场景。　　核心区别与并存意义：　　本质区别：两者的核心区别源于其不同的设计目的与应用需求。　　优化路径：　　过零型优化了 “无冲击、高可靠性的开关” 路径。　　非过零型优化了 “高精度、连续可调的功率控制” 路径。　　工程师选择：两者并存，为工程师在解决不同问题时提供了两种侧重点不同的技术优化路径。　　共性优势与应用领域　　共同工作特性：两种类型的可控硅光耦，均在交流电的电压过零点时自然关断(截止)。　　核心设计优势：此特性结合各自的触发方式，共同实现了安全与高效的功率控制。　　应用领域：　　家用电器：如洗衣机(电机控制)、风扇(调速)、电热设备(温控)等。　　工业控制：用于电机驱动、电源控制、设备开关等。　　照明系统：特别是需要调光功能的场景。　　提供的解决方案价值：为客户提供了灵活(不同类型满足不同需求)、稳定(过零关断降低风险)、低噪声(减少电磁干扰和电流冲击)的功率控制解决方案。　　26Q1可控硅光耦产品型号总览图：　　群芯微可控硅光耦产品线提供全面、可靠的交流负载驱动解决方案，为您的设计保驾护航。群芯微的产品线全面覆盖从250V至800V的断态电压等级，以满足从消费级到工业级设备的不同耐压需求。同时，全系列明确区分为过零型(ZC)与非过零型(NZC)，分别致力于实现超低EMI的安静开关与精准的相位控制，精准匹配从家电控制到调光调速等多元化场景。　　重要封装介绍　　群芯微的DIP5、DIP5-M、SMD5采用内缩式结构设计，可将基板完全收纳入封装内部进行彻底保护，从而从物理根源上隔绝环境干扰。这一设计与市场上常见的仅在外部切断Pin 5的简易方案有着本质区别，能为您的系统提供更可靠、更稳定的抗干扰保障。
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发布时间：2026-01-30 10:21 阅读量：279 继续阅读>>
英飞凌新品 | 碳化<span style='color:red'>硅</span>SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板
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英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

　　英飞凌推出新品：碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板　　EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC™器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99% 的效率与170W/in³的超高功率密度。　　产品型号：　　■ EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC2　　框图　　　　产品特性　　半载(50%负载)效率达98.95%　　满载(100%负载)效率达98.48%　　谐振频率为200 kHz　　采用三相交错并联LLC拓扑　　应用价值　　采用TOLT封装的高性能CoolSiC™ 650V器件　　顶部散热设计　　超高效率与功率密度　　数字化控制　　应用领域　　电信基础设施用DC-DC电源转换　　功率变换　　服务器电源供应单元
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发布时间：2026-01-27 10:15 阅读量：337 继续阅读>>
以小搏大，以<span style='color:red'>硅</span>基成本享碳化<span style='color:red'>硅</span>性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：333 继续阅读>>
森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管，实现高功率密度新突破
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森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破

　　森国科最新推出的采用PDFN8*8封装并结合Cu-Clip(铜带)连接技术的碳化硅二极管，代表了公司在功率半导体封装技术领域的重要创新。这一创新解决方案针对高功率密度和高效率应用需求，通过优化封装结构和互连工艺，显著提升了产品性能。　　01、PDFN8*8封装技术的核心优势　　PDFN8*8封装作为一种紧凑型表面贴装技术，在功率半导体领域具有显著优势。这种封装尺寸仅为8mm x 8mm，比传统TO-220封装节省了约70%的安装空间，非常适合空间受限的高功率密度应用场景。　　与更大尺寸的封装相比，PDFN8*8的低外形设计有助于减小布板面积，提高功率密度。这种封装还具有优异的热性能，通过底部大面积裸露焊盘，能有效将芯片产生的热量传导至PCB板，并散发到周围环境中。　　02、Cu-Clip互连技术的革命性突破　　Cu-Clip(铜带)互连技术是森国科此次创新的另一大亮点。与传统键合线技术相比，Cu-Clip技术通过扁平铜带替代传统的铝线或金线，实现了芯片与引脚之间的面接触连接。这一技术显著降低了封装内部的寄生电感，有助于减少开关损耗和电压过冲。传统键合线结构的寄生电感通常在几十nH，而Cu-Clip技术能将这一值降低至十几nH，从而提升高频开关性能。　　Cu-Clip技术还改善了电流流动路径，显著降低了导通电阻。铜材料的高电导率和热导率使芯片能够承受更高的电流密度，同时提高散热效率，使器件能够在更高温度下可靠工作。　　03、PDFN8*8 & Cu-Clip双重技术结合的协同效应　　PDFN8*8封装与Cu-Clip技术的结合产生了显著的协同效应。这种组合充分发挥了碳化硅材料本身的优异特性——碳化硅的禁带宽度达3.2eV，击穿场强是硅的10倍，热导率也是硅的3倍。　　--在热性能方面，Cu-Clip技术提供了优异的垂直散热路径，而PDFN8*8封装的底部散热焊盘则增强了水平方向的散热能力。双重散热机制确保了芯片结温保持在较低水平，提高了可靠性并延长了使用寿命。　　--电性能方面，低寄生参数与紧凑封装布局相结合，使这款碳化硅二极管特别适合高频开关应用。测试数据显示，采用这种封装组合的碳化硅二极管开关损耗比传统硅基快恢复二极管降低约90%，效率提升显著。
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发布时间：2026-01-20 17:20 阅读量：366 继续阅读>>
森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管
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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管

　　深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管，这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。　　在功率半导体领域，电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中，攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米，却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中，森国科通过优化电场分布和电流路径，在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面，森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性，确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。　　森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。　　森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来，随着碳化硅技术在各个领域的渗透，森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额，成为全球领先的功率半导体公司。
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发布时间：2026-01-20 11:44 阅读量：312 继续阅读>>
士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化<span style='color:red'>硅</span>产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工
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士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
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发布时间：2026-01-05 16:05 阅读量：453 继续阅读>>
鲁光LGE3M35120Q碳化<span style='color:red'>硅</span>MOSFET
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鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET

　　在追求高效、高功率密度与高可靠性的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET正成为推动技术革新的关键力量。鲁光电子推出的 LGE3M35120Q，是一款采用TO-247-4封装的高性能1200V碳化硅MOSFET，凭借其优异的电气性能，正广泛应用于新能源、可再生能源发电及高端工业电源等前沿领域，成为国产功率半导体自主化进程中的一颗关键器件。　　性能优势　　1.高速开关: 得益于碳化硅材料和四引脚封装，开关损耗显著低于传统硅基IGBT和Si MOSFET。　　2.高效运行: 低导通电阻与低开关损耗相结合，可提升系统整体效率，尤其在频繁开关的应用中。　　3.易于驱动: 与硅基MOSFET兼容的驱动电压，简化了电路设计。　　4.高温工作能力: 碳化硅器件本身具备更高的工作结温能力，可靠性更强。　　二、特性曲线　　三、关键应用领域　　基于上述卓越性能，LGE3M35120Q在多类高效率、高密度功率转换场景中发挥着核心作用：　　1. 新能源与充电设施　　1.1 OBC与 DC-DC 转换器：利用其高频优势，可缩小OBC内的变压器和滤波器体积，实现更轻量化的电源系统。　　1.2充电桩(直流快充桩)：作为直流充电模块的核心开关元件，其高效率特性有助于减少充电过程中的能量损耗和散热需求，提升充电桩的功率密度与可靠性。　　2. 可再生能源发电系统　　2.1光伏逆变器与储能变流器(PCS)：在太阳能逆变器中，碳化硅 MOSFET能够降低开关损耗，提升整机效率。同样，它也适用于储能系统的双向DC-AC或DC-DC转换。　　2.2 风力发电变流器：有助于应对风力发电不稳定的输入特性，提高电能转换效率和质量。　　3. 工业与通信电源　　3.1服务器电源与通信电源：为数据中心和5G基站提供高效、高功率密度的AC/DC或DC/DC电源解决方案。　　3.2不间断电源(UPS)：提升UPS的转换效率，降低运行能耗和散热成本，对于大型数据中心和工业备用电源系统意义重大。　　3.3电机驱动与电焊机：可用于高性能伺服驱动和工业焊接电源，实现更精确的控制和更高的能效。　　四、总结　　鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET以其高耐压、低损耗、高工作频率和高温运行能力，完美契合了现代电力电子系统对高效率与高功率密度的双重追求。它的成熟应用，提供了优秀的国产器件选择。
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发布时间：2025-12-17 15:32 阅读量：405 继续阅读>>
鲁光 LGE3D20065A 碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管
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鲁光 LGE3D20065A 碳化硅二极管

　　在追求高效能、高可靠性的现代电力电子领域，以碳化硅为代表的第三代半导体材料正扮演着越来越关键的角色。鲁光电子推出的LGE3D20065A碳化硅二极管，正是这一技术趋势下的代表性产品，以其卓越的性能参数，为众多高效能应用场景提供了理想的解决方案。　　核心特性　　1.电压/电流：650V / 20A，应对工业级应用游刃有余。　　2.开关特性：近乎零的反向恢复时间与电荷。这是碳化硅的颠覆性优势，能彻底斩断开关损耗，尤其适合高频电路。　　3.正向压降：最大仅1.7V，意味着更低的导通损耗，直接提升系统整体效率。　　4.工作结温：宽达-55°C ~ +175°C。高温下性能稳定，可靠性倍增。　　二、特性曲线　　三、应用领域　　这款器件是中大功率紧凑型设计的理想选择，尤其适用于：　　1工业电源：高性能服务器电源、通信电源、模块化UPS。　　2.能源转换：太阳能光伏优化器、储能系统DC-DC模块。　　3.电机驱动：作为逆变器的续流二极管，提高驱动效率。　　4. 不间断电源：用于高频在线式UPS的PFC和逆变单元，提升整机效率和功率密度。　　四、总结　　鲁光LGE3D20065A碳化硅二极管，以其650V/20A的额定规格、近乎零反向恢复的优异开关特性以及出色的高温稳定性，精准地契合了现代电力电子向高效、高频、高密度、高可靠发展的主流需求。
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发布时间：2025-12-12 14:53 阅读量：417 继续阅读>>
森国科再获殊荣，荣膺“2025年度中国碳化<span style='color:red'>硅</span>器件Fabless十强”
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森国科再获殊荣，荣膺“2025年度中国碳化硅器件Fabless十强”

　　2025年12月4日晚，在深圳举行的“2025行家极光奖”颁奖典礼上，奖项组委会正式揭晓“年度中国碳化硅器件Fabless十强企业”榜单。森国科凭借卓越的技术实力与市场表现，与业内其他九家杰出企业一同登台，获此重要殊荣。　　本次评选由行业权威机构“行家说三代半导体”主办。在红毯与金色奖杯辉映的盛典现场，组委会给予十强企业高度评价，表彰其作为“聚焦碳化硅器件设计的先锋代表，以技术创新突破设计瓶颈，国内市场份额领先，深度赋能供应链协同，成长潜力强劲，是中国第三代半导体走向全球的设计中坚。　　森国科连续四年蝉联此项十强称号，标志着森国科在碳化硅功率器件设计领域的领先地位得到了产业的持续认可。未来，公司将继续深耕核心技术，为新能源汽车、绿色能源等领域提供更优的功率解决方案，与产业优秀伙伴同行。　　连续四年蝉联十强　　森国科作为一家Fabless企业，专注于SiC功率器件的研发设计，是国产品牌型号最全的碳化硅功率器件供应商，包括SiC 二极管、SiC MOSFET和碳化硅模块产品。高性能、高可靠性的SiC功率器件及模块在电力电子、新能源汽车、太阳能光伏、风能等领域中得到了广泛应用，未来市场发展潜力不可限量。　　专注于当下发展，着眼于未来市场布局，森国科将带着这份荣誉继续加快研发创新的速度，与众多行业伙伴一起推动我国第三代半导体产业的蓬勃发展，为应用端客户提供更低碳环保、更高性能、更可靠的产品，从而推动电力电子技术的全面进步。
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发布时间：2025-12-09 14:00 阅读量：482 继续阅读>>
工程师召集！利用罗姆碳化<span style='color:red'>硅</span>模块的优势来助力汽车应用的未来发展
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工程师召集！利用罗姆碳化硅模块的优势来助力汽车应用的未来发展

　　近年来随着电动汽车市场的不断扩大，对高性能、高效率的功率半导体器件的需求也在持续增长。碳化硅芯片以其出色的耐高温、耐高压、低损耗等特性，成为电动汽车电机控制器、电池管理系统等关键部位的首选材料。　　罗姆碳化硅业务布局，其贯彻垂直整合生产体系，通过第4代碳化硅晶圆及多类碳化硅模块，如 TRCDRIVE pack™(小型化、低寄生电感、散热好，适配主驱逆变器)、BSTB模块、HSDIP模块与2in1表面贴装模块(适用于OBC等)的性能优势与未来规划，为汽车电动化提供高效解决方案。　　本次研讨会将向大家讲解罗姆碳化硅模块方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　01 研讨会提纲　　1. ROHM碳化硅业务概述　　2. 主流碳化硅模块产品介绍　　3. TRCDRIVE pack™模块　　4. BSTB模块　　5. HSDIP20/2in1 SMD碳化硅模块　　02 研讨会主题　　利用罗姆碳化硅模块的优势　　来助力汽车应用的未来发展　　03 研讨会时间　　2025年12月17日上午10点　　04 研讨会讲师张子阳(高级工程师)　　罗姆半导体公司的功率器件工程师，主要推广碳化硅等功率器件的推广和应用，深度了解碳化硅器件工艺及相关市场。　　相关产品页面　　· 二合一 碳化硅封装模块“TRCDRIVE pack™”　　· 碳化硅塑封型模块“HSDIP20”　　· 罗姆碳化硅功率器件系列产品　　· 第4代碳化硅MOSFET　　好礼●来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　标签打印机(30份)　　微信朋友圈　　车载手机支架(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2025-12-04 15:48 阅读量：471 继续阅读>>

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