<span style='color:red'>美光</span>宣布：HBM4已批量出货！
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美光宣布：HBM4已批量出货！

　　2026年3月16日，美国存储芯片大美光科技正式宣布，其已于2026年第一季度开始批量出货HBM4 36GB 12H内存，该产品专为英伟达(NVIDIA)Vera Rubin平台设计。凭借HBM4，美光实现了超过11 Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8 TB/s，相比其HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。　　为了进一步提升HBM的容量，美光展示了其先进的封装技术，可将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，这一里程碑式的改进使每颗HBM芯片的容量提升了33% 。　　“下一代人工智能将由整个生态系统通过联合工程创新开发的紧密集成平台定义。我们与英伟达的紧密合作确保了计算和内存从一开始就能协同扩展，”美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示。“这一切的核心是美光的 HBM4，它是人工智能的引擎，可提供前所未有的带宽、容量和能效。随着 HBM4 36GB 12H 的推出，以及业界首款 SOCAMM2 和第六代 SSD 的量产，美光的内存和存储构成了释放下一代人工智能全部潜力的核心基础。”　　美光SOCAMM2 专为英伟达 Vera Rubin NVL72 系统和独立Vera CPU平台而设计，每个 CPU 可实现高达 2TB 的内存和 1.2 TB/s 的带宽。　　美光是首家量产 PCIe Gen6 数据中心级 SSD 的公司。美光 9650 针对能效和液冷环境进行了优化，采用英伟达BlueField-4 STX 参考架构，可为 AI 训练和推理工作负载提供高速、低延迟的数据访问，支持高达 28 GB/s 的顺序读取吞吐量和 550 万随机读取 IOPS。美光 7600 和 9550 SSD 为客户提供 PCIe Gen5 SSD，从而扩展了他们的架构设计选择。
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发布时间：2026-03-19 09:48 阅读量：221 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程
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美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程

　　半导体生态系统是一个高度复杂、互相关联的框架，其中包括各种行业、技术和机构，旨在促进半导体器件的设计、制造、分销和应用。设计和知识产权 (IP) 提供商是该框架的组成部分，在经历了各种大幅演变之后，这些提供商已成为当代芯片开发中不可或缺的参与者。　　随着上世纪 80 年代电子设计自动化 (EDA) 工具的出现，以及上世纪 90 年代半导体 IP 产业的发展，片上系统 (SoC) 设计越来越依赖于可复用的 IP 模块。目前，在 SoC 所包含的器件中，超过 80% 为可复用 IP，典型的芯片会集成 200 多个 IP 模块。1　　在半导体市场引入新技术，是一个相当复杂的过程。其中生态系统伙伴(包括 IP 提供商和验证 IP (VIP) 软件供应商)对新技术的支持程度往往起着决定性作用——可能会阻碍新技术的普及，也可能加速商业上的成功。　　美光与 Cadence Design Systems 之间的战略合作，标志着内存技术进步旅程中的重大里程碑。此次合作的重点是将直接链路 ECC 协议 (DLEP) 功能嵌入 Cadence 最新的 LPDDR5/5X 内存控制器 IP、物理层 (PHY) IP 和验证 IP (VIP) 中，从而显著提高人工智能、汽车和数据中心应用中的系统性能。　　DLEP 在内存技术中的重要性　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联纠错码 (ECC) 技术的固有局限性。对于现代车辆中的高性能 AI 应用和高可靠性高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用而言，该技术尤为重要。DLEP 的核心优势在于其能够回收较大比例的有效负载内存空间和带宽，否则这些空间和带宽将被分配给内联 ECC 使用。这种回收能力，是 DLEP 能够提高系统性能和资源效率的基础。美光与 Cadence 携手合作，充分实现了这些增强功能。　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联 ECC 技术存在的局限性。DLEP 所实现的改进对于需要高可靠性和极高性能的应用至关重要，例如汽车行业中的 AI 加速器和 ADAS。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　DLEP 的主要优势之一是它能够回收相当大比例的有效负载内存空间、至少 6% 的额外可寻址内存空间和带宽，可将带宽增加 15% 至 25%。如果没有 DLEP，这些空间和带宽将被用于内联 ECC 纠错。这种回收能力可带来系统性能和效率的提高，从内存管理的角度来看，功耗(pJ/b，皮焦耳/位)可降低约 10%。2 美光与 Cadence 之间的合作确保了这些优势的充分发挥。　　从图中可以看出，与内联 ECC 相比，DLEP 的带宽要增加 15% 至 25%　　通过战略合作确保集成和验证　　美光的高级 DLEP 功能已无缝集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X IP 组合和 VIP 工具套件中。这种集成旨在优化复杂 SoC 设计的验证过程，从而能够在各种应用中高效部署 DLEP 技术。VIP 解决方案对于验证新兴内存技术的运行和效率起到重要作用。美光与 Cadence 建立了稳固的合作关系，以确保 DLEP 的快速普及，从而为内存技术确立新的标准。　　Cadence 的 VIP 工具集提供了一些至关重要的优势，例如对复杂 SoC 架构进行彻底验证、提高验证准确性、加速产品上市、降低成本，以及协议合规性评估和自动测试生成等高级功能，所有这些优势都有助于可靠、高效地部署新的内存解决方案。Cadence 的 LPDDR5X VIP 内存模型3支持 DLEP 功能，允许开发人员在调试模式下访问用于存储 ECC 的额外内存单元，在读取/写入时即时回调覆盖存储位的值，以及在启用 DLEP 时检查被禁用的模式。　　这种集成方法有助于充分实现 DLEP 技术的优势，为下一代解决方案提供底层支持。　　DLEP 在 AI 和汽车应用中的优势　　将 DLEP 集成到内存架构中，可为 AI、汽车行业以及其他需要增强的可靠性、卓越性能、数据完整性和更高能效的行业带来巨大优势。所有这些优势相结合，可延长任务关键型系统的正常使用期限。此外，这些技术进步还有助于降低成本，增大 DLEP 技术所带来的价值。　　推动 DLEP 普及　　Cadence 与美光的合作正在推动 DLEP 技术普及，使系统设计人员能够实现更高的带宽、更好的内存利用率、更低的功耗，同时满足严格的功能安全要求。通过将 DLEP 集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X 控制器、PHY IP 和 VIP 中，工程师可从经过硅验证的强大解决方案中受益——这些解决方案可简化验证过程，缩短产品上市时间。随着数据密集型工作负载和安全关键型工作负载不断增加，Cadence 和美光的合作为汽车、AI 等领域带来了高效可靠的高性能内存解决方案。　　1带有增强型 ECC 功能的 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技。 典型内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行对比测试的结果值　　2《知识产权的发展趋势》，全球半导体联盟知识产权利益小组　　3https://www.cadence.com/en_US/home/tools/system-design-and-verification/verification-ip/simulation-vip/memory-models/dram/lpddr5.html
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发布时间：2026-03-12 13:55 阅读量：273 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆
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美光推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆

　　2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 —美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布开始向客户送样业界容量领先的 LPDRAM 模块 256GB SOCAMM2，进一步巩固其在低功耗服务器内存领域的领导地位。依托业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X 设计，这一里程碑式成就为 AI 数据中心带来变革性突破，提供足以实现全新系统架构的低功耗内存容量。　　AI 训练、推理、代理式 AI 和通用计算的融合，正推动更严苛的内存需求，并重塑数据中心的系统架构。现代 AI 工作负载催生了大模型参数、扩展的上下文窗口及持久性键值(KV)缓存的需求，而核心计算则在数据强度、并发性和内存空间方面持续扩展。　　面对上述工作负载，内存容量、带宽效率、延迟和能效已成为系统层面的主要瓶颈，直接影响性能、可扩展性和总体拥有成本。LPDRAM 融合上述特性的独特优势，在功耗与散热限制日益严苛的数据中心环境中，成为 AI 及核心计算服务器的关键解决方案。美光正与 NVIDIA 携手合作，共同设计高性能内存解决方案，以满足先进 AI 基础架构的需求。　　美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“美光 256GB SOCAMM2 为 AI 及高性能计算(HPC)提供更具能效的 CPU 附加内存解决方案。此次产品发布充分展现出美光在技术与封装领域的突破，打造业界容量领先、低功耗、小尺寸的模块化内存解决方案。美光在数据中心低功耗内存解决方案领域持续保持领先地位，这一独特优势使我们率先推出单晶粒 32Gb LPDRAM，协助推动业界加速采用更节能、更高容量的系统架构。”　　专为容量、能效和工作负载性能优化而设计　　美光的 256GB SOCAMM2 为各种 AI 和通用计算工作负载提供更高的内存容量、更低的功耗，以及更快的性能。　　为 AI 服务器扩展内存容量：256GB SOCAMM2 容量较前代最高规格 192GB SOCAMM2 提升三分之一，可为每颗 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM 容量，从而支持更大的上下文窗口及更复杂的推理工作负载。　　功耗更低、尺寸更小：与相同容量的 RDIMM 相比，SOCAMM2 的功耗仅为其三分之一，尺寸亦缩减至三分之一，有效提升机架密度并降低总体拥有成本。1　　提升推理与核心计算性能：在统一内存架构中，与现有解决方案相比，256GB SOCAMM2 用于 KV 缓存卸载时，可将长上下文、实时 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍。2在独立 CPU 应用中，针对高性能计算工作负载，LPDRAM 的每瓦性能较主流内存模块提升超 3 倍。3　　易维护、可扩展的模块化设计：模块化 SOCAMM2 设计可提升设备可维护性、支持液冷服务器架构，并能随着 AI 与核心计算内存需求的持续增长，实现未来容量扩充。　　NVIDIA 数据中心 CPU 产品部门主管 Ian Finder 表示：“先进 AI 基础架构需要在各个层面进行极致优化，才能有效应对严苛的 AI 推理工作负载对性能与能效的需求。美光通过 256GB SOCAMM2，以低于传统服务器内存的功耗，实现超大内存容量与带宽的突破，为下一代 AI CPU 提供关键助力。”　　推动行业标准制定　　加速低功耗内存普及　　美光在 JEDEC SOCAMM2 规范制定过程中持续发挥领导作用，并维持与系统设计人员的深度技术合作，以推动下一代数据中心平台在能效与性能方面实现全行业性提升。　　美光现已面向客户送样 256GB SOCAMM2 产品，并提供业界最全面的数据中心 LPDRAM 产品组合，涵盖 8GB 至 64GB 组件及 48GB 至 256GB 的 SOCAMM2 模块。　　1三分之一的功耗依据单个 128GB、128 位总线宽度 SOCAMM2 模块与两个 64GB、64 位总线宽度 DDR5 RDIMM 的功耗瓦数对比计算。三分之一的尺寸依据 SOCAMM2 的面积( 14x90 mm)与标准服务器 RDIMM 的面积之比。　　2结果基于美光内部测试，使用 Llama3 70B 模型(FP16 量化)进行实时推理测试，测试配置为：上下文长度 500K，并发用户数 16。首 token 响应时延(TTFT)的预期提升，基于每 CPU 配置 2TB LPDRAM 时延 0.12 秒，对比每 CPU 配置 1.5TB LPDRAM 时延 0.28 秒测算。有关测试条件详情，请参阅本月稍早发布的白皮书：LPDDR at Scale: Enabling Efficient LLM Inference Through High-Capacity Memory。　　3美光内部测试使用相同容量的 LPDDR5X 和 DDR5 进行 Pot3D 太阳物理 HPC 代码性能测评。
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发布时间：2026-03-06 11:37 阅读量：331 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>最新突破!
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美光最新突破!

　　在退出消费级内存和固态硬盘(SSD)市场之后，美光把重点转向了企业级市场，尤其是在人工智能(AI)领域加大了投入。当地时间3月3日，美光宣布推出业界首款单条256GB SOCAMM2内存模组，已向客户启动出样及出货。该产品搭载全球首款单芯片32Gb LPDDR5X DRAM颗粒，实现存储技术新突破。　　SOCAMM2 是一种专为数据中心、高性能计算和人工智能设计的低功耗内存模块。它基于 LPDDR5/5X 的标准，结合了 CAMM 的模块化设计，未来还有望支持 LPDDR6。这个技术最大的优点就是省电、节省空间，而且维护起来也方便。它正好填补了 HBM(高带宽内存)和传统 DDR 之间的性能和成本空缺。相较前代最高容量192GB SOCAMM2，该产品容量提升约三分之一。在8通道单路服务器中，可支持2TB系统内存配置，适配12通道双路服务器时更可拓展至6TB系统容量，助力AI服务器轻松处理超长上下文窗口与复杂推理任务。美光还表示，在处理长文本的大型语言模型推理任务时，他们让第一个字生成的时间快了2.3倍。而在单独使用CPU的应用中，能效提升了最多3倍。　　目前美光正与英伟达紧密合作开发下一代内存解决方案，英伟达下一代AI超级计算平台Vera Rubin将成为首批采用该内存标准的产品之一。该内存模组计划在GTC 2026大会上正式展出。
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发布时间：2026-03-05 11:49 阅读量：328 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>与Synopsys合作研发DLEP技术，加速汽车和AI行业创新
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美光与Synopsys合作研发DLEP技术，加速汽车和AI行业创新

　　随着人工智能 (AI) 的快速发展，以及汽车行业向集中式计算和分区架构演进，内存市场正在发生重大变化。如今的汽车已成为车轮上的数据中心——需要同时处理来自数十个高分辨率传感器的数据流、运行高级驾驶辅助系统 (ADAS)，并实现沉浸式驾驶舱体验，所有这些都对车载内存的带宽、可靠性和功能安全提出了更高需求。与此同时，车辆和数据中心环境中的 AI 工作负载正在推动实现大量创新应用，不仅需要更多内存，还需要性能更高、更安全、更高效的内存解决方案。　　与这些趋势相伴的，是产品设计周期的大幅缩短。汽车 OEM 厂商和 AI 平台提供商不可能再维持长达数年的产品开发周期;他们需要在几个月内就将新功能推向市场，而无法像以前一样耗时数年。这种紧张的开发周期，让 IP 提供商和内存供应商在早期阶段的深入合作变得愈发重要。这一点在全球半导体 IP 知名厂商 Synopsys 与先进内存技术领军企业美光之间的密切合作上体现得尤为明显。　　Synopsys 的角色：推动下一代内存普及　　随着 SoC 和系统架构的复杂性不断增加，Synopsys 在推动整个行业采用创新内存技术方面发挥着关键作用。Synopsys 拥有广泛的、经过硅验证的 IP 组合，包括用于先进内存接口的完整解决方案：内存控制器和物理层 (PHY)。这些设计模块除了必须支持最新标准外，还必须集成专为汽车和 AI 等要求严苛的行业量身定制的功能，如功能安全、可靠性，以及优化的性能。　　通过与美光合作，Synopsys 提供针对美光前沿 DRAM 优化的预验证和预确认 IP，包括用于 LPDDR5X 的开创性技术——直接链路 ECC 协议 (DLEP)。这种紧密集成可助力 SoC 设计人员缩短产品上市时间、降低开发风险，并支持厂商快速采用最新内存功能，从而带来实际效益。内嵌直接链路 ECC 协议 (DLEP) 的 SoC 内存控制器和物理层　　Synopsys 内存接口 IP 解决方案产品线总监 Brett Murdock 表示：“通过与美光密切合作，将我们经过硅验证的 IP 与美光的 DLEP 内存生态系统相结合，我们正在推动确立针对汽车和 AI 平台的带宽、能效和功能安全新标准。双方携手合作，助力设计人员缩短周期时间、降低风险，从而更快地将具备差异化优势的系统推向市场。”　　什么是 DLEP?为何这种技术很重要?　　DLEP(直接链路 ECC 协议)是内存技术中的一项变革性创新，旨在克服传统内联 ECC(纠错码)方案的性能和效率问题。在传统系统中，内联 ECC 会消耗宝贵的内存带宽和容量，从而导致 AI 和汽车平台的有效性能下降。　　利用 DLEP，可直接在内存控制器和 DRAM 之间运行 ECC，从而释放大量系统级资源，并获得显著收益：　　带宽增加 15–25%：每秒可移动更多数据，对于 AI 推理、传感器融合和实时决策等应用至关重要。1　　容量增加 11%：应用可用内存增加，因为专为 ECC 保留的内存减少。　　功耗降低高达 20%：低功耗对于电动汽车和端侧 AI 设备极其重要。　　增强型功能安全：内置 DLEP 的 LPDDR5X 满足 ISO 26262 ASIL-D 的严格要求，可支持最高水平的汽车安全。　　这些优势相结合，可打造出更快、更安全、更高效的车辆和 AI 系统。例如，下一代 ADAS 平台需要高达 300-500 GB/s 的内存带宽，来实时处理来自数十个传感器和摄像头的数据。DLEP 可满足这一要求，同时还能降低系统成本和复杂性。　　为何高带宽和功能安全对于汽车行业非常重要?　　汽车行业之所以向集中式计算和分区架构转变，是因为现代汽车需要将数十个传统 ECU 整合到数个功能强大的域控制器中。这些控制器必须处理汽车内部发生的所有事件，例如自动驾驶系统和车载信息娱乐系统等。它们通常会在本地运行 AI 模型，以便进行即时决策。为支持这种架构转变，汽车需要具备：　　大量带宽：以支持从激光雷达、雷达、摄像头和车内传感器摄取和处理数据。　　功能安全：确保关键系统(制动、转向、ADAS)即使在车辆发生故障的情况下也能可靠运行。　　能源效率：最大限度提高电动汽车续航里程，减少因硬件发热而带来的限制。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　美光与 Synopsys 合作研发的 DLEP LPDDR5X 专为满足上述需求而设计。在双方的密切合作下，这款内存解决方案不仅能满足 AI 和汽车行业的计算需求，还为这些行业的安全和效率设定了新的标准。　　生态系统合作的重要性　　DLEP 的成功部署，彰显出生态系统合作的力量。Synopsys 与美光从早期开发阶段便携手合作，使 DLEP 能够无缝集成到内存控制器、PHY IP，以及美光的 DRAM 器件中。这种方法可加速客户采用、降低集成风险，并为市场提供经过验证的硅就绪解决方案。　　推动 DLEP 普及　　随着 AI 和汽车系统持续融合，对高性能、安全、高效内存的需求不断飙升。DLEP 是一项突破性技术，能够在所有方面满足这些需求——更高的带宽、更大的容量、更低的功耗，以及强大的功能安全。通过与 Synopsys 合作，SoC 设计人员可以获得业界领先的 IP。该 IP 已在美光的最新内存上进行了预先验证，能够确保更快的产品上市时间，以及清晰的创新路径。　　在打造下一代智能车辆和 AI 平台的激烈比拼中，选择将 Synopsys 的 IP 和美光的 DLEP 内存相结合的解决方案，是竞争中的制胜之道。　　1 具备增强型 ECC 功能的车用 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技 将典型的内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行比较
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发布时间：2026-02-28 15:21 阅读量：397 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>推出全球首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD
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美光推出全球首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD

　　1月7日，美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)宣布推出美光 3610 NVMe™ SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe® 5.0 QLC SSD。这一突破性产品重新定义了主流 PC 和超薄笔记本电脑的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久经市场考验的美光 G9 NAND 打造，顺序读取速率高达 11,000 MB/s，顺序写入速率高达 9,300 MB/s。1 产品采用紧凑型单面 M.2 2230 外形规格，全球率先采用 4TB 超大容量，是超薄笔记本电脑和 AI 设备的理想之选。这款创新产品将业界前沿 PCIe 5.0 的超高速率与 QLC 闪存的成本优势相结合，在不牺牲电池续航的前提下，实现更卓越的响应性能。　　美光资深副总裁暨手机和客户端业务部门总经理 Mark Montierth 表示：“3610 SSD 融合了业界前沿的 PCIe 5.0 技术、美光最先进的 G9 QLC NAND 以及紧凑型单面设计，可提供出众的性能、容量与能效。3610 SSD 将为超薄设备提供强劲支持，满足端侧 AI、沉浸式流媒体及性能密集型工作负载的增长需求。”　　3610 SSD的重要性　　3610 SSD 重新定义了主流客户端 SSD 的性能标准，助力 OEM 厂商将业界前沿 PCIe 5.0 的卓越性能广泛普及，同时确保出色的能效，有效延长电池续航。　　大规模部署的性能：顺序读取速率高达 11,000 MB/s，顺序写入速率高达 9,300 MB/s，随机读取速率高达 1.5M IOPS，随机写入速率高达 1.6M IOPS，可实现应用秒速启动、多任务无缝切换，以及流畅处理高负载媒体工作流。1　　卓越的能效：采用无 DRAM 架构，支持主机内存缓冲(HMB)和 DEVSLP(设备睡眠模式)低功耗状态，与 PCIe 4.0 TLC 相比，每瓦性能提升 43%，显著延长电池续航并降低物料清单(BOM)成本。1,2　　AI就绪的速率：可在三秒内加载 200 亿参数 AI 模型，助力主流客户端设备为用户提供实时 AI 洞察和无缝 AI 体验。1　　用户体验提升：在PCMark® 10测试中，与 PCIe 4.0 QLC SSD 相比，3610 SSD 的测试得分提升高达 30%，带宽提升高达 28%，是各类行业工作负载的理想之选。1,2　　针对超薄设计的散热控制：通过主机端的散热管理技术，使 OEM 能够精确控制温度阈值，从而确保超薄无风扇设计设备持续稳定输出性能。　　SSD 安全性增强：搭载最新的高级安全特性，如数据对象交换(DOE)和设备标识符组合引擎(DICE)，为用户数据提供更有力的保护。　　宏观效益　　随着 AI PC、沉浸式游戏与混合办公模式推动计算需求的增长，存储技术必须以突破性的进步应对这一挑战。美光 3610 SSD 正是这一变革的典范——它将美光广受信赖的 PCIe 5.0 数据中心级创新引入客户端设备，进一步巩固美光在 NAND 技术领域的领先地位。3610 SSD 的定位介于高端 PCIe 5.0 4600 系列与高性价比 PCIe 4.0 产品之间，提供卓越的性能、值得信赖的可靠性及大规模部署的显著价值。　　美光 3610 SSD 目前已向部分 OEM 合作伙伴送样，并提供多种外形规格，以及 1TB 至 4TB 的容量选择。
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发布时间：2026-01-08 10:09 阅读量：489 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>退出消费级存储市场，明年3月起停售Crucial产品！
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美光退出消费级存储市场，明年3月起停售Crucial产品！

　　当地时间2025年12月3日，美国存储芯片大厂美光科技(Micron)通过官网正式宣布，将退出Crucial英睿达消费类存储业务，其中包括在全球主要零售商、电商和分销商处销售Crucial消费品牌存储产品。　　美光将继续通过零售商、在线商店和分销商销售贴有Crucial标志的消费级产品，直至其第二财季结束，即2026年2月底。2026年3月起，美光将不再向消费渠道供应 Crucial 品牌的产品，但将继续销售其美光品牌的企业级产品组合，这些产品将继续通过商业和服务器合作伙伴销售。　　即使美光停止出货其Crucial系列产品，仍将继续履行对现有Crucial产品的保修义务和技术支持。已拥有Crucial品牌内存条、固态硬盘及其他产品的客户，即使在停止出货后仍将继续享受售后服务，因此，此次决定不会导致已安装的硬件失去支持。　　对于受影响的Crucial团队员工，美光表示将为其提供公司内部其他岗位的“重新安置机会”。　　Crucial是美光科技旗下唯一面向消费者的品牌，主营固态硬盘(SSD)及内存产品，覆盖消费级、企业级及高性能计算场景。自1996年创立以来，近30年间一直是DIY电脑市场的重要参与者，长期与三星、SK 海力士、海盗船和希捷等品牌竞争。然而，随着美光将制造重心全面转向支持人工智能(AI)企业客户，这一深受消费者信赖的品牌即将退出历史舞台。　　“人工智能驱动的数据中心增长带动了内存和存储需求的激增。为了更好地为我们在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持，美光做出了艰难的决定，退出Crucial消费业务。”美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，“感谢广大消费者的热情支持，Crucial品牌已成为技术领先、品质卓越和可靠性领先的内存和存储产品的代名词。我们衷心感谢数百万客户、数百家合作伙伴以及所有在过去29年中支持Crucial发展的美光团队成员。”　　美光表示，这一决定体现了美光致力于持续进行产品组合转型，并使其业务与内存和存储领域长期盈利增长方向保持一致的决心。通过专注于核心企业和商业领域，美光旨在提升长期业务绩效，并为战略客户和利益相关者创造价值。　　而随着当前存储芯片供应短缺、价格上涨的持续，美光此举显然是选择牺牲低毛利的Crucial消费类存储业务，以满足毛利更高的数据中心业务的需求，以提升公司整体的获利。这也显示出美光认为未来存储芯片市场将面临持续短缺，以至于需要牺牲掉Crucial消费类存储业务。
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发布时间：2025-12-04 16:24 阅读量：682 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求
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美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求

　　2025年10月23日，爱达荷州博伊西市——在当今时代，人工智能(AI)实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在AI系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块)已正式送样，以积极拓展低功耗内存在AI数据中心的广泛应用。2025年3月，美光发布了业界首款LPDRAM SOCAMM，而新一代SOCAMM2则在此基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现50%的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个token生成时间(TTFT)显著缩短80%以上1。192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上2，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。这一能效提升在全机架AI安装中尤为显著，可配置超过50TB的CPU附加低功耗DRAM主存储3。SOCAMM2的模块化设计提升了可维护性，并为未来的容量扩展奠定了基础。　　基于与NVIDIA的五年合作，美光率先将低功耗服务器内存引入数据中心使用。SOCAMM2为AI系统的主存储带来了LPDDR5X超低功耗和高带宽的内在优势。SOCAMM2的设计旨在满足大规模AI平台不断扩展的需求，提供AI工作负载所需的高数据吞吐量，同时实现新的能效水平，并为AI训练和推理系统设定新标准。这些优势的结合将使SOCAMM2成为未来几年业界领先AI平台的关键内存解决方案。　　美光资深副总裁暨云端内存事业部总经理Raj Narasimhan表示：“随着AI工作负载变得更加复杂而严苛，数据中心服务器必须提升效率，为每瓦特的功率提供更多tokens。凭借在低功耗DRAM领域公认的领先地位，美光能确保我们的SOCAMM2模块提供所需的数据吞吐量、能效、容量和数据中心级别的品质，这些对于驱动下一代AI数据中心服务器至关重要。”　　通过专门的设计功能和增强测试，美光SOCAMM2产品从最初为手机设计的低功耗DRAM升级为数据中心级解决方案。多年来，美光在高质量数据中心DDR内存方面的丰富经验，使SOCAMM2具备满足数据中心高标准应用所需的质量与可靠性。　　与同等能效的RDIMM相比，SOCAMM2模块的能效提高了三分之二以上4，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中5，不仅优化了数据中心占地面积，还最大限度地提高了容量和带宽。SOCAMM的模块化设计和创新的堆叠技术提高了可维护性，并有助于液冷服务器的设计。　　美光一直是JEDEC SOCAMM2规范制定的积极参与者，并与行业合作伙伴密切合作，共同推动标准演进，加快AI数据中心的低功耗应用，以助力整个行业的能效提升。目前，SOCAMM2样品已送样客户，单一模组容量高达192GB，速率达9.6 Gbps，后续量产作业将配合客户的产品推出日程规划。　　1经美光内部测试验证的性能提升：使用LMCache GH200 NVL2平台(288GB HBM3E+1TB LPDDR5x)上的Llama 3 70B模型进行推断，OSL=128。　　2 与美光的上一代LPDDR5X相比。　　3 基于已公布的NVL144机架系统容量数据。　　4 与两个128GB、128位总线宽度的DDR5 RDIMM模组相比，基于一个128GB、128位总线宽度的SOCAMM2模组的功耗(瓦特)计算。　　5 计算将SOCAMM2的面积(14 x 90mm)与标准服务器RDIMM进行对比。
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发布时间：2025-10-29 15:04 阅读量：700 继续阅读>>
传<span style='color:red'>美光</span>科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！
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传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。
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发布时间：2025-10-21 15:08 阅读量：799 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>将涨价20%-30%，并暂停报价！
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美光将涨价20%-30%，并暂停报价！

　　近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。从9月12日起，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。据供应链消息称，美光高层看到客户预测需求有重大供应短缺，因此紧急暂停所有产品报价，以重新调整后续价格。　　此前，闪迪已宣布将存储产品价格上调10%以上，拉开存储芯片行业新一轮涨价序幕。市场分析显示，云服务供应商在2025财年资本支出提高180亿美元，直接推高了AI领域对存储芯片的需求。花旗分析师预计，美光将在9月23日发布的2025财年第四季度财报中给出远超市场预期的业绩指引。分析师认为，DRAM和NAND的销量与价格均将走高，存储行业的持续回升主要由产能受限和超出预期的需求推动。　　分析师指出，多家超大规模云厂商对NAND企业级固态硬盘的大额追加订单，正将NAND供给从消费市场转向企业市场。根据TrendForce的数据，2025年第二季度，NAND Flash晶圆和客户端SSD价格均出现上涨趋势，晶圆价格环比增长10%至15%，客户端SSD价格上涨3%至8%。CFM闪存市场指出，DRAM价格指数半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计四季度企业级存储价格将上涨。　　美光决定未来将停止包括UFS 5.0在内的移动NAND产品开发，逐渐退出移动NAND市场，为国产厂商等带来发展机遇。　　此次涨价和暂停报价的主要原因是供应短缺，源于原厂将传统DRAM产能转向高利润产品，并停产DDR4、LPDDR4X等旧制程，导致供需失衡。同时，服务器市场备货需求升温及北美市场HDD供应紧缺，推高了企业级NAND需求。　　此事件可能推动存储芯片行业进入新一轮涨价周期。对美光科技而言，预计将提升其业绩表现，分析师已上调目标价。对行业，产能受限和需求回升将持续推动价格上涨。对投资者，市场看好存储芯片前景。此外，美光退出移动NAND市场为国产厂商提供了发展机会。
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发布时间：2025-09-16 13:57 阅读量：987 继续阅读>>

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