传<span style='color:red'>美光</span>将买下两座工厂?
  8月26日,美光在与台积电抢购群创南科四厂失利后,传出将转买友达位于台南科技工业区内的两座厂房,以采建物与土地同步买断方式计算,金额估达一、二百亿新台币,用来扩充先进封装与当红的高带宽内存(HBM)生产线。  对于相关传言,友达回应称,集团在营运策略双轴转型考虑下,台南厂区已进行生产规模调整,未来会在适当时机活化使用现有厂区,惟友达不会对单一事件或厂商做评论。美光发言系统昨天也表示:「对外界传言与猜测不予评论」。  据悉,美光相中的是友达位于南科工、公司内部代号为「C5D」及「C6C」两座彩色滤光片厂,这两座厂已于2023年8月关厂,若有买家接手,可随时进行移转,不影响友达营运。  业界分析,友达相关厂区所在南科工属工业区,与群创四厂位于科学园区不同,若是买工业区厂房,还要将土地价格纳入,不像科学园区厂房买卖只是移转地上物产权,友达此次卖南科工工厂,售价预估会比群创在科学园区卖厂贵得多,在土地增值与厂房配置等考虑下,地上权搭配土地售价估达一、二百亿元。  半导体暨面板供应链人士透露,美光近期负责扩产的主管频频南下看厂,希望能买到合意的厂房,做为快速扩产之用。晶圆厂偏好买面板厂的原因有二,首先是厂房的面积够大,其次是面板厂的无尘室与半导体的规格十分接近,而彩色滤光片厂的无尘室也与面板厂一致。  美光先前传出开价180亿元新台币,要买群创南科四厂,用以扩充AI相关先进封装与高带宽内存产能,惟未能成局,群创董事会决议将南科四厂以171.4亿元新台币卖给台积电。
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发布时间:2024-08-26 13:43 阅读量:530 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>工厂火灾!
行业新闻

美光工厂火灾!

  6月21日消息,据台媒报道,美光台中内存厂20日下午发生火警,现场有气体外泄冒白烟,消防人员到达时工厂自动洒水设备已扑灭火势,起火原因仍待调查厘清。  据报道,台中市消防局表示,昨日下午5时34分接获报案指出,后里区三丰路四段一处工厂发生火警,派遣辖区后里分队等共计5个单位,出动各式消防车17辆、消防人员38名前往处理。  消防人员表示,火警现场为台湾美光内存公司工厂内,气体供应室存放的高压气体钢瓶,有烧损及泄漏情形,消防人员到场时已无燃烧情形,现场无人员受伤。  消防局指出,火势由厂内自动撒水设备动作,以室内消防栓扑灭,燃烧面积约2平方公尺,起火原因后续由火调人员厘清。  根据报导,美光针对台中厂火警一事发出声明,经查证所有员工与承包商安全无虞,且厂区营运未受任何影响。  美光是国际三大DRAM厂商,市占约19.2%,与前两大三星及SK海力士合计市占达96%。美光高达65%的DRAM产品在中国台湾生产,也开始量产1-beta制程,以EUV制程导入的1-gamma技术持续研发,中台湾和日本研发团队合作进行中,对内存产业重要性可见一斑。  内存业者高度关注火灾事件的影响情况,业界人士说,火灾原因未明,最近DRAM价格较平稳,市场还有三星等其他品牌供应,影响有待观察。
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发布时间:2024-06-21 13:35 阅读量:557 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>全系列车规级解决方案已通过高通汽车平台验证
  美光科技宣布,全系列车规级内存和存储解决方案已通过高通技术公司 Snapdragon® Digital Chassis™ 平台的验证。  美光低功耗 LPDDR5X 内存、通用闪存 UFS 3.1、Xccela™ 闪存和四线串行外设接口 NOR 闪存已预先集成至包括Snapdragon® Cockpit 平台、Snapdragon Ride™ 平台和 Snapdragon Ride™ Flex 系统级芯片(SoC)在内的新一代骁龙汽车解决方案和模块中,致力于满足当前和未来日益增长的 AI 工作负载需求。  美光嵌入式产品事业部市场副总裁 Chris Jacobs 表示:“当前的软件定义汽车和沉浸式座舱需要高可靠性和超低延迟的内存和存储,从而可在边缘处理大量数据,并为时间关键型任务提供近乎实时的决策。美光广泛的汽车内存和存储解决方案组合提供了车辆在行驶中所需的即时性能。我们很高兴与高通合作,助力汽车生态系统加速普及前沿解决方案,打造更安全、更智能的汽车。”  据介绍,美光车用 LPDDR5X 是一款旗舰内存解决方案,适用于需要高速率和低功耗的应用。LPDDR5X 向后兼容速率为 6.4 Gb/s 的 LPDDR5,该产品此前已通过高通验证。高通新一代骁龙汽车 SoC 成为首个支持 LPDDR5 的 SoC 产品系列。  美光车用 UFS 3.1 存储的读取性能提升一倍,持续写入性能提升 50%,可实现更快的设备启动、空中下载( OTA)更新、更迅速的应用响应,以及更流畅的整体用户体验。  美光科技的 Xccela 闪存是业界性能最高的 NOR 闪存之一,性能提高五倍,能耗降低三倍。此功能可在汽车应用中实现即时性能和快速系统响应。  四线 SPI-NOR 闪存可为启动代码和程序代码等应用提供快速代码执行能力和高可靠性。  据悉,如上所述的美光易失性和非易失性解决方案已成功应用于高通新一代 Snapdragon Cockpit 平台。
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发布时间:2024-04-28 09:25 阅读量:529 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>推出全球首款四端口车规级SSD 4150AT
  Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布,美光车规级 4150AT SSD 已开始送样。作为全球首款四端口 SSD,该产品提供多达四个片上系统(SoC)接口,可实现软件定义智能汽车的集中存储。  美光 4150AT SSD 集多项市场领先特性于一身,例如单根输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe® 4.0 接口和坚固耐用的车规级设计。凭借这些产品特性,美光车规级 4150AT SSD 将为汽车生态系统提供数据中心级别的灵活性和强大功能。  美光4150AT SSD设计灵感来自于数据中心,并为汽车应用做了定制设计,包括:  多端口功能:美光 4150AT SSD是一款具有四个端口的SSD,可连接多达四个SoC;  虚拟化:美光4150AT的SR-IOV功能可为多达64个虚拟机 (VM)的繁重多主机工作负载提供高性能支持;  增强安全性:基于SR-IOV虚拟化,每个虚拟机的数据在硬件中与其他虚拟机隔离,以减少数据或代码泄漏,同时减少一个虚拟机中的黑客尝试损害另一台虚拟机的行为,从而维护关键数据的隐私和安全;  可定制的耐用模式:美光4150AT SSD 采用TLC NAND 构建,但也可配置为支持SLC和高耐用性HE-SLC数据耐用组,分别提供20倍和50倍TLC的耐用性,以最好地满足独特的数据要求;  专为满足汽车行业的严格要求而设计:美光 4150AT SSD 提供ASIL-B功能来支持安全系统要求,并采用球栅阵列封装,有助于承受车辆坚固耐用时典型的冲击和振动环境。  美光嵌入式产品和系统部门副总裁 Michael Basca 表示:“为实现更高水平的自动驾驶安全性,以 AI 和先进算法为特性的丰富车载体验对存储系统提出了更高要求。为顺应时代的需求,新型汽车存储模式应运而生。美光与重新定义新一代汽车架构的创新者携手合作,重新开始对存储系统进行构想,推出全球首款四端口 SSD —— 美光 4150AT,为汽车行业推出变革性技术提供了亟需的灵活性和强大动力。”
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发布时间:2024-04-11 10:23 阅读量:613 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
传英伟达向SK海力士和<span style='color:red'>美光</span>大量预购HBM3内存
  据消息人士透露,英伟达除了大量预定台积电产能外,还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息,但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。  此外,还有业内人士透露,三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计,在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下,HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。  据悉,英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品:分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。  H200 是目前世界上最强的 AI 芯片,也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU,基于 NVIDIAHopper 架构打造,与 H100 相互兼容,可提供 4.8 TB/s 速度。  在人工智能方面,英伟达表示,HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供,与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘),并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署,将于 2024 年第二季度推出。  英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视,这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。
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发布时间:2024-01-02 16:50 阅读量:1453 继续阅读>>
<span style='color:red'>美光</span>在印度建设半导体工厂取得新进展
<span style='color:red'>美光</span>:人员精简是艰难但不可避免的决定
  据台湾地区工商时报报道,內存大厂美光(Micron)已宣布进行全球裁员,台中厂及桃园厂也已有裁员动作。美光今日发布声明,说明了人力精简计划,强调在劳资双方同意下,提供优于现行法规的离职方案。美光将采取更进一步的节约成本措施,以应对 2023 年疲软的市场前景。这些措施包括进一步下修 2023 年会计年度和 2024 年会计年度的资本支出,大幅缩减 2023 年会计年度的营运支出及暂停股票回购。  此外,美光也确认将于 2023 年通过特定人员精简、自愿离职等方式,缩减全球员工数。美光在去年 12 月时已宣布暂停发放全公司 2023 年会计年度奖金,高阶主管也同步减薪。  美光表示,由于疲弱的市场环境已严重冲击內存产业,美光必须采取减少供应及控制成本的措施。“为维持公司稳健体质及财务表现,人员精简是艰难但不可避免的决定。”  台媒指出,美光称重视且在乎团队成员,并感激全体员工对美光的贡献,正竭尽所能帮助此次在人力精简措施中受影响的员工。美光已与部分员工完成会谈。与少数媒体报道不同,相关员工在参与会谈后,遵循自愿的方式离职,会谈过程均以照顾员工的感受为先,予以尊重,流程均符合地方法律规范。  美光强调,在双方同意下,美光提供优于现行法规的离职方案,并承诺为员工在其转职期间提供协助。
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发布时间:2023-02-21 09:35 阅读量:2156 继续阅读>>
TI宣布收购<span style='color:red'>美光</span>晶圆厂!
  据经济日报报道,周三(6月30日)美国最大记忆芯片厂美光(Micron)公布的本季财测高于市场预期,显示计算机与手机的资料储存半导体需求强健。美光先前预告过的出售犹他州芯片厂给德州仪器一案,将为公司带进9亿美元现金。  美光估NAND、DRAM供应吃紧至明年  美光估计本季(6月到8月)营收约82亿美元,高于分析师预期的78.5亿美元;剔除特定项目调整后的每股盈余约2.3美元,分析师预期为2.17美元。美光表示,本季毛利率将在46%上下1个百分点,符合市场预期的46%。  财报公布后,美光股价在盘后交易时段下跌1.7%。正常交易时段则是收涨2.5%报84.98美元。美光今年以来股价只涨13%,而费城半导体指涨幅有20%。部分投资人担心疫情期间笔电与在家工作需求带动的大笔订单,将随人们重返办公室缩减。另外,中国大陆智慧手机制造商的零件库存也有增加趋势。  美光执行长梅罗塔(Sanjay Mehrotra)表示,公司所有产品需求都相当强劲。不过,马来西亚厂的供应曾受到新冠病毒疫情相关封锁措施干扰,另外因汽车厂、计算机厂等工业客户其他类别的芯片短缺,产能受限,种种情况使得存储器订单受到牵制。  梅罗塔强调,美光两项主要产品的价格继续上扬中,但公司为减轻未来供应链中断风险的一些布局推高成本。他强调,整个产业的NAND和DRAM两种存储器芯片供应吃紧状态将持续到明年,让价格维持在高水平。  TI宣布收购美光晶圆厂  存储器大厂美光周三(30日)宣布已达成最终协议,将把犹他州Lehi的晶圆厂出售给德州仪器,预估此次处分利益约15亿美元,今年下半年可望完成交易。  美光表示,出售给德州仪器的记忆芯片厂位于犹他州Lehi市,是先前与英特尔合资成立的工厂。卖厂收入9亿美元现金,另有价值约6亿美元的资产,其中包含生产设备,将移往美光别的厂区或出售给其他买家。  美光的Lehi厂还拥有一支具备先进半导体制造各方面专业知识的高技术团队。德仪将在收购后为所有Lehi专业团队成员提供职缺,并打算在该厂部署自家的技术,预计该交易将在今年底前完成。  美光CEO Sanjay Mehrotra表示:"美光Lehi厂在技术创新和先进半导体制造方面有着悠久的历史,德州仪器是业内领导者,且重视Lehi技术团队以及该厂提供的技术部署能力。"  德仪 CEO Rich Templeton则表示,Lehi厂的投资是德仪长期产能规划的一部分,预计未来该厂收购后将能提高该公司的产能。  据介绍,Lehi晶圆厂将是TI的第四个300毫米晶圆厂,在TI的晶圆厂制造操作接合DMOS6,RFAB1并很快将要完成的RFAB2。除了作为 300 毫米晶圆厂的价值外,此次收购也是一项战略举措,因为Lehi将从 65 纳米和 45 纳米生产开始,用于 TI 的模拟和嵌入式处理产品,并能够根据需要超越这些节点。  美光今年3月便曾有意出售Lehi厂,并计划终止3D XPoint技术的生产,为数据中心寻求新内存解决方案,专注加速CXL内存产品问世。CXL 提供运算、内存存储之间的高性能连接,能满足 AI 和数据分析的效能需求。  注:图文源自网络,如有侵权请联系删除!
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发布时间:2021-07-01 00:00 阅读量:1856 继续阅读>>
美国芯片巨头<span style='color:red'>美光</span>宣布研发失败,无奈卖厂
18日讯,从官方渠道获悉,美国存储芯片生产巨头美光(Micron)表示已停止3D XPoint存储技术的所有研发。资料显示,该技术是英特尔与美光公司共同开发的,于2015年发布,是一种比NAND闪存具有更高性能和耐用性的非易失性存储器技术。Micron表示,近年来对于3D Xpoint存储技术的开发投入是错误行动,因此决定终止对这项技术的研发与投入,并将相关资源转移到基CXL工业标准的新接口内存等产品上。资料显示,早在6年前美光就开始着手研发3D Xpoint技术,旨在利用玻璃状材料(硫属化物)的结晶到非结晶状态导电性差异来存储数据。起初,美光是与美国巨头英特尔(Intel)并肩作战。2015年,英特尔宣布其Optane品牌存储产品系列,其中包括该新型内存。美光称这些新芯片的售价将是DRAM的一半,但是造价却是闪存的五倍,亏损太多。3D XPoint曾被提议作为存储器的未来,但高成本和有限的使用限制了它的发展。后来由于种种因素,两家在2018年分道扬镳。 不过按照协议,美光仍需向Intel提供3D XPoint芯片,以供Optane产品使用。据知情人士透露,美光在3D Xpoint领域已投入30亿美元左右(约合195亿元人民币)的资金。如今,这家美国巨头已经决定,要在今年12月底之前,卖出其在美国犹他州Lehi的3D Xpoint芯片工厂。值得一提的是,美光表示,针对3D XPoint芯片厂出售事宜,目前公司正与一些意向买家进行接洽,其中“英特尔是最明显的潜在买家,最近开始了漫长的(沟通)过程”。而英特尔已经宣布,他们对Optane产品的战略将保持不变,并且持续供应。“但是现在还不能保证最后买家是谁。”美光强调道,“该芯片厂不仅可以生产存储器,还可用于生产模拟或逻辑IC,甚至将其转换为大规模生产DRAM或NAND闪存等等。由于广泛的半导体短缺影响了该行业的几乎所有领域,即使买家需要投入大量精力进行改组,该厂也可以迅速投入生产。”注:图文源自网络,如有侵权请联系删除!
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发布时间:2021-03-18 00:00 阅读量:2008 继续阅读>>

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