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5G芯片封装:<span style='color:red'>长电</span>积极布局，台积电日月光等三台厂或受益

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5G芯片封装:长电积极布局，台积电日月光等三台厂或受益

据中国台湾地区工研院产科国际所预估，未来5G高频通讯芯片封装可望朝向AiP技术和扇出型封装技术发展。法人预期台积电、日月光和力成等可望切入相关封装领域。展望未来5G时代无线通讯规格，工研院产业科技国际策略发展所产业分析师杨启鑫表示，可能分为频率低于1GHz、主要应用在物联网领域的5G IoT；以及4G演变而来的Sub-6GHz频段，还有5G高频毫米波频段。观察5G芯片封装技术，杨启鑫预期，5G IoT和5G Sub-6GHz的封装方式，大致会维持3G和4G时代结构模组，也就是分为天线、射频前端、收发器和数据机等四个主要的系统级封装（SiP）和模组。至于更高频段的5G毫米波，需要将天线、射频前端和收发器整合成单一系统级封装。在天线部分，杨启鑫指出，因为频段越高频、天线越小，预期5G时代天线将以AiP（Antenna in Package）技术与其他零件共同整合到单一封装内。除了用载板进行多芯片系统级封装外，杨启鑫表示，扇出型封装（Fan-out）因可整合多芯片、且效能比以载板基础的系统级封装要佳，备受市场期待。从厂商来看，法人预估台积电和中国大陆江苏长电科技积极布局，此外日月光和力成也深耕面板级扇出型封装，未来有机会导入5G射频前端芯片整合封装。

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5G

发布时间：2018-11-19 00:00 阅读量：1604 继续阅读>>

<span style='color:red'>长电</span>科技CEO,总裁双双辞任,安靠前高管就任新CEO

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长电科技CEO,总裁双双辞任,安靠前高管就任新CEO

日前，国内封测龙头长电科技发生高层大变动，王新潮、赖志明分别辞去了CEO、总裁职务，迎来了竞争对手安靠的前高管李春兴。CEO、总裁双双辞任9月24日，长电科技发布公告称，董事会收到董事长兼首席执行长（CEO）王新潮先生请求去首席执行长（CEO）职务的辞职书、总裁赖志明先生请求辞去总裁职务的辞职书。经研究讨论，董事会同意王新潮、赖志明的辞任请求。同时公告显示，根据董事长王新潮提名，经提名委员会审核，一致同意聘任Choon Heung Lee（李春兴）先生为公司首席执行长（CEO）；根据新任CEO李春兴提名，经提名委员会审核，一致同意聘任赖志明先生为公司执行副总裁。也就是说，在这次高层变动中，李春兴从王新潮手中接棒长电科技CEO，王新潮仍保留董事长职务，赖志明从总裁变更为执行副总裁。长电科技目前最高领导层从“董事长兼CEO王新潮+总裁赖志明”变成“董事长王新潮+CEO李春兴+执行副总裁赖志明”。元老退居为迎李春兴作为公司领军人物，随着长电科技不断发展壮大，王新潮及江苏新潮集团似乎正在逐步退出。1990年，王新潮临危受命接任长电科技的前身江阴晶体管厂厂长，随后带领长电科技一路“逆袭翻盘”，成长为国内最大的集成电路封测企业，王新潮亦通过江苏新潮集团控股长电科技，为长电科技实控人。不过，2015年大基金、中芯国际携手投资长电科技，助其“蛇吞象”式收购星科金朋，随后中芯国际全资子公司芯电半导体成为长电科技第一大股东，长电科技由之前的江苏新潮集团控股变更为无控股股东，实际控制人由王新潮变更为无实际控制人。前不久，长电科技宣布完成36.19亿元增发，大基金成为长电科技第一大股东，江苏新潮集团在长电科技中持股亦由13.03%降至10.42%，从第二大股东变更为第三大股东。值得一提的是，9月12日，长电科技公告称，江苏新潮集团计划9月13日起15个交易日后的90日内，以集中竞价交易方式减持不超过1600万股，占公司总股本的1%。种种迹象表明，作为原始控股股东，王新潮所控制的江苏新潮集团在长电科技的股权不断减少，而这次随着王新潮辞任CEO，长电科技或将进入职业经理人模式。在王新潮辞任CEO的同时，原长电科技总裁赖志明亦退居二把手，从总裁变为执行副总裁。赖志明也可以说是长电科技的老功臣了，自2001年入职长电科技、2013年出任长电先进总经理，2017年升任长电科技总裁，期间还曾任长电科技常务副总经理、执行副总裁等职务。据长电科技公告介绍，赖志明自身拥有专利一百余项，范围覆盖了传统封装和先进封装整个领域，大部分专利已被业界采用并规模化生产。那么这次接任长电科技CEO的李春兴何许人也？据长电科技公告中介绍称，李春兴学历为美国凯斯西储大学理论固体物理博士，历任安靠研发中心负责人、全球采购负责人、高端封装事业群副总、集团副总、高级副总、首席技术长（CTO）。长电科技表示，李春兴在半导体领域有20年的广泛封装经验，拥有较强的国际化项目管理能力和领导能力，在初创、扭转和快速变化的环境中实现收入、利润和业务增长目标方面取得了多项可验证的成功经历，目前拥有专利59 件，并在国际上发表了19 篇学术论文。募投调整、增资子公司在宣布高层调整的同时，长电科技还进行了调整定增募投项目资金、增资星科金朋等一系列举措。经证监会核准，长电科技向大基金等非公开发行2.43亿股，发行价格为14.89元/股，募集资金总额约36.19亿元。按照原计划，这次募集配套资金拟15.7亿元用于年产20亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目、14亿元用于通讯与物联网集成电路中道封装技术产业化项目，10.8亿元用于偿还银行贷款。由于实际募集资金净额少于拟投入的募集资金，因此长电科技对募集资金进行调整，将通讯与物联网项目从拟投入14亿元调整为9.45亿元。而该项目实施主体为长电先进，长电科技拟向其增资9.5亿元助其实施项目，增资资金将根据项目进度分次到位。此外，长电科技还拟通过对长电新科、长电新朋、JCET-SC、星科金朋层层增资（直接增资或债转股）的形式，投入4.79亿美元至星科金朋，使其可在2018年11月24日后根据实际情况选择合适的时间提前赎回4.25亿美元优先级票据，以降低财务费用、提升盈利能力。长电科技表示，这次对长电新科、长电新朋等增资资金来源主要为公司自有资金及部分融资款，因涉及金额较大，公司已从多个渠道寻求融资，以降低融资风险。

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长电科技

发布时间：2018-09-26 00:00 阅读量：1346 继续阅读>>

<span style='color:red'>长电</span>科技完成36亿元增发大基金正式成第一大股东

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长电科技完成36亿元增发大基金正式成第一大股东

　　日前，长电科技公告宣布，其非公开发行新增股份已完成登记手续，募集资金总额为36.19亿元，发行后国家大基金成为第一大股东、中芯国际成为第二大股东。　　2017年9月，长电科技发布非公开发行股票方案，拟向产业基金、芯电半导体、金投领航、中江长电定增1号基金、兴银投资非公开发行拟募集资金总额不超过45.5亿元。　　随后经过调整后，兴银投资、中江长电先后退出这次非公开发行，长电科技再次与大基金等就方案调整及认购股份数量上限等进行约定。　　历经近一年时间，长电科技这次非公开发行股票终于完成。　　大基金成第一大股东　　根据公告，长电科技这次以14.89元/股的价格共发行243030552股，募集资金总额为36.19亿元，其中大基金以26.02亿元认购174754771股，芯电半导体以5.17亿元认购34696198股，金投领航以5亿元认购33579583股。　　大基金相信大家均十分熟悉了，芯电半导体则为中芯国际全资子公司，两者与长电科技早有渊源。　　2015年两者携手投资长电科技，助力其收购星科金朋。随后长电科技向芯电半导体非公开发行股份，芯电半导体成为长电科技第一大股东。　　由于芯电半导体、江苏新潮集团、大基金三家主要股东持股比例接近，并同时向长电科技提名了两位非独立董事，三者任何一方均不能单独控制长电科技。　　自此，长电科技由之前的江苏新潮集团控股变更为无控股股东，实际控制人由王新潮变更为无实际控制人。　　这次非公开发行使得长电科技的股权结构再次发生变化。　　本次发行前，长电科技前三大股东为芯电半导体、江苏新潮集团、大基金，分别持股14.28%、13.03%、9.54%；本次发行后，大基金成为长电科技的第一大股东，持股19.00%，芯电半导体、江苏新潮集团、金投领航分别持股14.28%、10.42%、2.09%。　　长电科技表示，公司仍无控股股东、无实际控制人。　　拓展主业、减轻债务　　公告称，这次发行募集资金将用于公司主营业务以及偿还银行贷款。　　根据此前公告，募集资金总额在扣除发行费用后将全部投入年产20亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目、通讯与物联网集成电路中道封装技术产业化项目以及银行贷款。　　其中，年产20亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目拟投资约17.35亿元，建设期为3年，由长电科技实施。该项目建成后，将形成FBGA、PBGA、SIP 模组、P-SIP模组、通讯模块-LGA、高脚位通讯模块、倒装通讯模块等通信用高密度集成电路及模块封装产品年产20亿块的生产能力。　　通讯与物联网集成电路中道封装技术产业化项目拟投资23.5亿元，建设期为3年，由长电科技全资子公司长电先进实施。该项目建成后将形成Bumping、WLCSP等通讯与物联网集成电路中道封装年产82万片次Bumping、47亿颗芯片封装的生产能力。　　这两大项目将为长电科技的长远布局及进一步提升中高端封测技术生产能力打下基础。此外，长电科技目前债务负担较重，这次非公开发行的部分资金将用于偿还银行贷款，有利于其降低资产负债率、改善财务状况。　　更为重要的是，如今国家大基金变身第一大股东，长电科技成为国家队的重要成员，未来将有望在国家支持下进一步发展壮大；中芯国际间接成为第二大股东，长电科技与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际的关系也更加密切，这家大陆第一、全球第三的封测企业将迎发展新机遇。

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中芯国际,长电科技股票

发布时间：2018-09-04 00:00 阅读量：1454 继续阅读>>

<span style='color:red'>长电</span>科技再度涨价,国巨停止部分接单!2018年迎新一轮缺货涨价潮

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长电科技再度涨价,国巨停止部分接单!2018年迎新一轮缺货涨价潮

2017年缺货涨价一浪更比一浪高，如今眼看今年已步入尾声，MOSFET与电阻再度掀起新一轮缺货涨价潮。短短两天里，江苏长电科技再度发布涨价通知，适当调高MOS成品价格，国巨也通知称，即日起厚膜电阻一般品停止接单...... 12月25日，江苏长电科技股份有限公司向其可客户发布涨价通知，通知称由于芯片产能严重不足，芯片材料价格大幅上涨，经公司研究决定，适当调高MOS成品价格，具体调价幅度以具体产品为准。以上决定从2017年12月26日起开始执行。今天(12月26日)，国巨再发向其经销商发出通知，即日起厚膜电阻一般品停止接单。通知称，考虑到本公司的订单需求远大于现有产能，为了维持交货的服务水平，即日起（2017-12-26）所有厚膜电阻一般品停止接单，恢复正常接单日期会再另行通知。厚膜电阻悉列：一般厚膜电阻产品（RC系列），尺寸从0201、0402、0603、0805到1206。大尺寸厚膜电阻产品（RC系列），尺寸从1210、1218、2010到2512。 MOSFET方面，长电科技在此之前已于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调20%、累计涨幅已达50%，在长电大涨MOSFET价格后，其它供货商立刻全面跟进涨价，包括大中、尼克松、富鼎等台系 MOSFET 供货商纷纷涨价。如今长电科技再度调涨，其他厂商或也将跟进。据悉，目前业内已有半导体功率器件厂商决定从2018年对MOSFET各系产品上调价格，涨价幅度基本保持在10%左右。以下为今年MOSFET涨价时间表（不完全统计）： 2017年9月1日，长电科技对所有MOS管价格上调20%； 2017年9月1日，西安后羿半导体产品价格上调10%以上； 2017年9月19日，长电科技再次调涨MOS成品售价，调价幅度10%~30%不等； 2017年10月20日，乐山无线通知12月1日起所有产品调涨10%以上； 2017年11月1日，芯电元调涨10%以上； 2017年12月6日，无锡新洁能通知元旦后涨价幅度10%左右； 2017年12月25日，长电科技再次通知自2017年12月26日起适当调高MOSFET成品价格。一方面，大厂产能转进高端产品，造成中低阶产品严重缺货，另一方面8英寸晶圆厂产能吃紧、硅晶圆产能不足，MOSFET交期一般来说是8周左右，现在中低阶MOSFET产品订单交货时间已拉长至3个月以上。12月初，DIGITIMES报道指出，高压MOSFET芯片解决方案已缺货长达1年多，2018年上半全球高压MOSFET芯片市场供需缺口仍达30%的情况，短期内恐难获得解决。近期国际MOSFET芯片供应商纷纷找上两岸晶圆代工厂及封测厂洽谈合作，希望扩大在高压MOSFET芯片产品线的技术及产能合作空间。其中，世界先进传出被客户包厂生产，台积电上海6吋厂亦有客户看上，至于捷敏、逸昌等台系封测厂2018年产能亦已被国际芯片大厂预订。如今，MOSFET供应缺口已覆盖高、中、低压，近期包括大中、富鼎、尼克森等台系MOSFET芯片供应商，相继喊出目前客户需求盛况是近20年来所未见的。市场预测，目前MOSFET市场供需缺口高达3成，供不应求状况势必延续到2018年，且价格仍存在调涨空间，MOSFET大厂的订单能见度已看至明年第一季度。至于电阻方面，国巨是电阻龙头企业，月产能超过900亿颗，如今因供不应求而停止接单，可见电阻市场需求仍旺盛。电阻在2017年上旬也曾出现涨价现象，国巨、厚声、华新科、旺诠、风华高科、大毅等原厂对片式电阻产品通知涨价，涨幅在10%左右。以下为今年电阻涨价时间表（不完全统计）： 017年2月25日，厚声发布通知，自3月1日起上调部分电阻产品价格，涨幅10%左右； 2017年4月19日，国巨发布通知，自4月19日起对晶片电阻R-CHIP和晶片电容MLCC价格调整； 2017年4月20日，风华高科发布通知，自4月21日起对片式电阻器进行价格调整； 2017年7月10日，大毅发布通知，表示即日起暂停0603-1206芯片电阻产品的接单，待检讨售价后才恢复接单。原本下半年电阻市场供需缺口已有所缓解，但近期市场传出电阻也在酝酿涨价。有芯片电阻厂商指出，近两个月来上游陶瓷基本供应趋于紧张，若趋势不变，明年确实出现涨价的空间。值得注意的是，昆山市于12月24日下达紧急通知，要求该市范围内的270家企业自2017年12月25日起至2018年1月10日期间实施全面停产，其中包括厚声、旺诠、丽智等电阻原厂，虽然目前消息称该停产令已暂缓，但万一行动重新启动，这三家电阻企业陷入长达半个月的停产状态，这对于本就供应紧缺的电阻市场而言无疑雪上加霜。

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缺货,涨价

发布时间：2017-12-27 00:00 阅读量：1575 继续阅读>>

中芯<span style='color:red'>长电</span>大量采购爱德万设备,抢攻NOR Flash

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中芯长电大量采购爱德万设备,抢攻NOR Flash

NOR Flash产业供需持续维持健康水准，继旺宏、华邦电等台系业者2017年营运翻红，后段封测的华东、菱生、南茂等也抢下不少NOR Flash封测订单，大陆相关封测业者也看中NOR Flash商机，中芯与长电合资的封测业者中芯长电首度向测试设备大厂爱德万采购NOR Flash测试设备，熟悉测试设备业者表示，存储器产业复苏的力道，可望持续3~5年。中芯长电为中芯国际携手长电科技于2014年8月合资成立，获得集成电路产业投资基金与高通(Qualcomm)旗下子公司Qualcomm Global Trading Pte Ltd.的投资，从先进12吋凸块与晶圆测试起家，提供中段晶圆制造与测试服务，并拓展3D IC业务。测试设备大厂爱德万测试与中段制程(MEOL)测试厂中芯长电正式签订大量采购合约。据此合约，中芯长电将自爱德万测试购入大量的存储器测试系统T5830，用于测试串列周边介面(SPI)NOR Flash设备，看好有机发光二极体(OLED)与触控面板感应芯片(TDDI)迅速成长的带动下，SPI NOR Flash设备需求持续走强。尽管NOR Flash一度是国际大厂淡出的领域，2016年在NAND Flash的挤压下，NOR Flash市占率一度不到NAND Flash 10%，但国际大厂退出后，产能缺口则由台系业者补上，目前包括数码相机、游戏机、移动设备仍需要NOR Flash支持，而今年OLED面板移动设备除了三星电子外，又加上苹果(Apple)iPhone X跟进，另外TDDI芯片也随着台IC设计大厂逐步放量，NOR Flash供需持续紧张，而今年消费电子产品中推动NOR Flash大缺货的杀手级商品，更包括全球热卖的任天堂Switch游戏机，存储器业者认为，NOR Flash至少到明年上半，缺货状况恐怕都不会缓解，华邦电、旺宏今年产能也都已经被包下。爱德万将供应中芯长电T5830存储器测试机，主力测试产品包括各类移动电子设备的各式存储器，提供最佳化的低成本大量测试能力，T5830系统能执行晶圆测试并为低脚位到高脚位IC提供最终测试。T5830系统资料传输速度最快可达800 Mbps，并能在配置4个数字脚位情况下，同时测试多达2304个设备。除了测试NOR Flash设备外，T5830系统也支持NAND Flash设备、智能卡、单列直插式存储器(SIM)、电子抹除式可复写唯读存储器(EEPROM)以及其他嵌入式存储器。

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中芯长电,爱德万,NOR Flash

发布时间：2017-12-15 00:00 阅读量：1247 继续阅读>>

<span style='color:red'>长电</span>MOSFET调价10%-30%,以应对原材料及成本压力

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长电MOSFET调价10%-30%,以应对原材料及成本压力

时隔半月，长电科技再次上调MOSFET成品价格。2017年9月19日，长电科技发出通知，目前市场MOS芯片供不应求，芯片供应商已经多次涨价，同时原材料及人工成本也大幅大调，经公司研究决定，适当调高MOS成品售价，具体调价幅度10%-30%不等，从即日起执行。2017年上半年长电科技实现营业收入 103亿元人民币，比上年同期增长37 %；归母净利润8,899万元，比上年同期增长7.3倍。报告期原长电各项经营业务仍保持了稳定增长，实现营业收入 50.94亿元，同比增长24.1%，归母净利润3.57亿元，同比增长13.36%。公司在江阴生产基地继续布局中高端封装，在SiP系统集成封装和RF模块的封装领域里继续保持和扩大优势；滁州厂通过对传统产品技术改造和挖潜增效，半导体分立器件产销两旺供不应求，实现营业收入7.56亿元，同比增长13.95%，净利润1.19亿元，同比增长50.86%；报告期JCET自主品牌获得中国驰名商标。受供求关系影响，功率器件处于涨价周期。对终端采购商而言，的确面临不小的物料上涨以及供货紧张的压力。除了跟踪物料行情动态，及时做出调整之外，也需要产业链上下游在互相理解的前提下，尽可能分担终端成本压力，共同维护良好的合作关系。

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长电,MOSFET,调价

发布时间：2017-09-21 00:00 阅读量：1545 继续阅读>>

<span style='color:red'>长电</span>MOSFET价格上调20%!功率器件市场紧俏有增无减

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长电MOSFET价格上调20%!功率器件市场紧俏有增无减

第三季度旺季来临，MOSFET供不应求加剧，早前供应链消息，台湾MOSFET芯片大厂富鼎先进电子公司率先酝酿第三季度调涨产品售价。没想到这么快，长电科技已经启动了MOSFET涨价… 国际电子商情获得消息，长电科技于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调20%。通知内容显示：接到江苏长电科技股份有限公司通知，由于MOS管原材料价格上涨，现有的价格无法继续执行，经公司开会讨论决定，对所有MOS管价格上调20%。MOS管系列包括：2N700系列、2SK系列、BSS系列、CJ23系列、CJ31系列、CJ34系列、CJ41系列、CJK系列、CJE系列、CJM系列、CJQ系列。此次调价国内、香港均自即日起执行。江苏长电科技股份有限公司是中国著名的分立器件制造商，集成电路封装生产基地，中国电子百强企业之一。作为中国领先的半导体分立器件设计与制造供应商，长电科技致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列二极管、三极管、MOSFET产品。长电科技2015年MOSFET月产能已经达到30亿只，稳居中国地区首位。根据全球半导体封测企业年度排名来看，长电科技收购“星科金朋”后位于第3位。2016年中国半导体封测业OSAT的营业额约400亿人民币，其中长电科技贡献了近200亿。 2017功率分立器件交货周期拉长自去年起，功率器件市场行情回暖，需求持续旺盛，订单数快速增加，供不应求情况显现，受限于产能，原厂交货周期拉长，MOSFET供货价格逐季涨价。中低压MOS管在Q2调涨5-10%的基础上将再度调涨5-10%，不排除Q4调涨价格。据市场分析机构信息，二极管、整流管以及低压和高压MOSFET供应最为紧张，供应商对今年需求增长估计不足，其根据年初预测所提供的产能远不能满足市场需求。另外，很多功率分立器件与模组都是由6英寸或8英寸的旧工艺生产，晶圆短缺会导致交期变长，价格上涨。 IHS功率器件高级分析师Richard Eden表示，由于汽车应用带动，很多功率分立器件供应商销售额都将呈现自2012年以来最快增速。自然而然，由于工厂产能限制，包括MOSFET、晶闸管和整流管等器件交货时间开始增加。 Eden指出，MOSFET、整流管和晶闸管的交货周期一般是8周左右，但现在部分MOSFET、整流管和晶闸管交期已被拉长到24至30周。元器件厂商都在努力增加产能，Vishay也不例外。在第二季度财报会议上，Vishay总裁兼CEO Gerald Paul表示，市场缺货使得订单大量涌入，交货时间由第一季度的4.8月遽升至第二季度的5.8月。MOSFET也类似，积压的订单已经排到5.2个月之后，而第一季度为4.4个月。 “我们正在竭尽全力地扩充产能，当然也会考虑产品线中长期的战略，”Paul说道，“我们正在把更多订单分流到代工厂，同时，Vishay在德国伊策霍（Itzehoe）工厂也处于满负荷生产状态。” Paul也提到，增加产能需要时间。“从我们的观点来看，这次缺货状况不会很快消失。但现在这么高的订单积压也不会一直持续下去。” 2016年功率分立器件与功率模块总规模为205亿美元，据Eden估算，2017年将增长到220亿美元。在IHS报告中，从2015年至2020年，功率分立器件年复合增长率为3%，功率模块增长率为5%，功率IC为2.8%。功率器件国有品牌得以强化虽然功率器件不是电子产品性能的核心，但是由于功率器件对于电子产品的消费体验很重要，一旦电源出问题导致整个产品失效，对整机厂商的信誉会造成很大负面影响，因此整机厂商对功率器件的稳定性有很高的要求，一般在产品研发阶段就确定了供应商。模拟器件开发周期较长，研发投入较大。芯片生产设备投资金额巨大，一条6英寸生产线需要投资5亿元，一条8英寸生产线需要投资5亿美元左右，一条12英寸生产线需要投资25亿美元左右。从应用角度来看，在“互联网+”和“中国制造2025”两大战略推动下，云计算、物联网、大数据的发展将进一步推动消费电子和计算机领域的功率器件市场快速增长。高端装备制造、智能电网等基础设施建设及智能制造的发展将持续推动工业控制用功率器件特别是高压功率器件市场增长。中国汽车产销量保持全球领先，新能源汽车及其充电系统的快速发展将成为汽车电子功率器件新的增长点。继2015年收购恩智浦公司RF Power部门后，2016年建广资产又以27.5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率器件MOSFET产品线。与此同时，以中车株洲电力机车研究所有限公司IGBT为代表的自主高端功率器件产品已成功进入电力传输、工业自动化和铁路运输特别是高速铁路等重点应用领域。通过收购国际一流技术公司，国有品牌已成功切入主流功率器件市场领域，在消费电子、网络通信、汽车电子、工业控制等领域竞争力进一步得到强化。国内外主要功率器件MOSFET供应商欧美： ST、飞兆(安森美收购)、VISHAY威世集团、IR（英飞凌收购）、 ONSEMI安森美半导体、TI、 IXYS艾赛斯公司（力特收购）、 RECTRON美国伟创电子公司、AOS、Nexperia、Diodes美台二极体股份有限公司日韩: Rohm罗姆半导体、SANKEN电子株式会社、SHINDENGEN新电元工业、FUJI富士半导体、SANYO三洋电机、RENESAS瑞萨电子、Toshiba东芝、韩国AUK、美格纳、KEC 台湾：富鼎先进、茂达电子、强茂、友顺、尼克森、LITEON敦南科技（光宝集团旗下）、TSC台湾半导体股份有限公司、DELTA台达电子中国大陆：杭州士兰微、LRC乐山无线电、JCST江苏长电科技、广东风华高科、苏州固锝、吉林华微电子、深爱半导体、锐骏半导体、西安芯派电子

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长电MOSFET,功率器件市场

发布时间：2017-09-05 00:00 阅读量：1506 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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