广和通发布5G模组FG370-KR,加速<span style='color:red'>韩国</span>5G AIoT市场发展
  据韩国通讯委员会(Korea Communications Commission)2023年报告统计,韩国5G用户数已达3281万。同时据全球咨询机构Omdia预测,预计2024年底,韩国5G用户将超过4G,并在2028年达到6900万。目前,韩国5G市场在全球处于领先地位,并展现出强劲的增长趋势。韩国5G加速商用,不仅在工业互联、医疗健康、智慧城市、娱乐和媒体等领域催生出丰富的行业应用,同时加快FWA宽带业务部署。广和通5G模组FG370-KR兼容韩国5G主流频段,将助力韩国市场快速部署5G FWA。  FG370-KR 基于高性能MediaTek T830平台,支持3GPP R16演进标准,采用 4nm 制程工艺和 Arm Cortex-A55 四核 CPU,主频性能较上一代MediaTek T750平台提升10%。此外,T830 还内置硬件级的 MediaTek 网络加速引擎(Network Processing Unit)和 Wi-Fi 网络加速引擎(Wi-Fi Offload Engine),可在不增加 CPU 负载的前提下,为 5G 蜂窝网络传输到以太网或 Wi-Fi 提供千兆级的吞吐性能,带来非凡网络体验。  在5G速率方面,FG370-KR集成M80 5G调制解调器,支持 Sub-6GHz 全频段5G网络,助力终端客户畅享5G宽带体验。FG370-KR支持FDD和TDD混合模式下高达 300MHz 频宽和下行的 NR 4CA(四载波聚合)、以及上行的 NR 2CA(双载波聚合) ,提供下行速率高达7Gbps的5G速率。在信号覆盖方面,FG370-KR支持 HPUE(High Power User Equipment,高功率用户设备)技术的 PC2,这使得5G上行能力得到增强,并帮助增大 5G有效覆盖范围。  FG370-KR支持丰富外设接口,包括3个PCI-Express、USB 3.2、速率高达10GbE的两个 USXGMII接口,并可通过PCM/SPI接口扩展至 SLIC 功能,从而支持 RJ11 电话接口。与此同时,FG370-KR还支持多样化的存储配置,能够灵活高效地满足不同应用的各类存储需求。在 MediaTek 5G UltraSave 省电技术的加持下,FG370-KR可根据 5G 网络环境优化工作模式,降低通信功耗,大大提升宽带接入产品的用户体验。  得益于以上软硬件特性,FG370-KR将持续为终端客户打造性能更佳、速率更高、专业性更强的综合解决方案。广和通作为全球领先的MBB FWA解决方案引领者,将持续为全球5G市场提供创新产品与解决方案,推动5G宽带加速发展。  广和通MBB产品管理部副总裁陶曦表示:  面向快速发展的韩国5G市场,广和通率先推出了高性能5G模组FG370-KR,帮助本地运营商及终端客户快速取得FWA商业成功。基于MediaTek T830 平台的FG370-KR融合芯片强大的5G特性,其卓越品质将持续赋能智慧家庭、企业办公等智能化场景。未来,广和通将不断为5G应用领域提供高价值5G解决方案。
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发布时间:2024-11-01 13:46 阅读量:355 继续阅读>>
中国半导体两起重磅收购!拟实控<span style='color:red'>韩国</span>芯片上市公司
  7月14日晚间,希荻微公告,公司二级全资子公司HMI拟以210.05亿韩元(折合人民币约1.09亿元),收购韩国创业板科斯达克上市公司Zinitix Co., Ltd.(简称“Zinitix”)合计30.91%的股权,交易完成后,HMI将持有Zinitix公司30.93%的股权,成为Zinitix第一大股东并能够主导其董事会席位,并将委派财务负责人等高级管理人员,对其经营、人事、财务等事项拥有决策权,Zinitix将成为公司控股子公司。公司与Zinitix同属集成电路设计企业,公司可通过此次交易快速扩大产品品类,尤其是触控芯片产品线,从而拓宽在手机和可穿戴设备等领域的技术与产品布局。  公告还称,Zinitix 的摄像头自动对焦芯片产品线与公司现有的音圈马达驱动芯片产品线有较强的协同性,有助公司进一步增大该产品线的市场份额及技术实力。另外,Zinitix 与公司现有客户亦有较高程度的重合,在业务上具有协同性。  公告显示,集成电路设计企业Zinitix于2000年成立,于2019年在韩国创业板科斯达克上市, 经过多年深耕及创新,已形成了多元化的产品品类和应用领域,主要产品包括触摸控制器(TouchController)芯片、自动对焦芯片、触控驱动(HapticDriver)芯片、DC/DC 电源管理芯片、触摸板模块以及音频放大器等,应用于智能手机、智能手表、平板电脑等移动/可穿戴设备等终端设备。  Zinitix的主要产品已进入国际知名终端品牌三星电子的供应链体系,成为其智能手机等消费电子产品的供应商之一。此外,Zinitix与包括全球智能设备制造商在内的50多个客户建立了业务关系。  希荻微成立于2012年,2022年1月21日于科创板挂牌上市,是国内领先的电源管理及信号链芯片供应商之一,主营业务为包括电源管理芯片及信号链芯片在内的模拟集成电路产品的研发、设计和销售。7月10日,希荻微发布了 2024年第一季度报告(更新版)。报告显示,公司在报告期内实现营业收入1.23亿元,同比增长205.94%。  另外,在7月14日晚间,国内的沈阳富创精密设备股份有限公司(以下简称“富创精密”)发布公告。  公告称,公司拟以现金方式收购公司实际控制人郑广文、公司第一大股东沈阳先进制造技术产业有限公司、北京亦芯企业管理咨询合伙企业(有限合伙)、辽宁中德产业股权投资基金合伙企业(有限合伙)、阮琰峰、天津芯盛企业管理咨询合伙企业(有限合伙)、中泰富力科技发展有限公司和辽宁和生中富股权投资基金合伙企业(有限合伙)8 名交易对方持有的北京亦盛精密半导体有限公司(以下简称“亦盛精密”)100%股权。  据悉,亦盛精密聚焦国内主流12英寸晶圆厂客户,可提供以硅、碳化硅、石英为基材的非金属零部件耗材、铝等金属材料为基材的金属零部件耗材和晶圆厂核心部件的维修、循环清洗和涂层再生服务,部分产品已通过国内主流12英寸 晶圆厂客户先进制程工艺认证,并实现量产出货。  此外,亦盛精密80%以上的收入来自于国内主流的12英寸晶圆厂中逻辑和存储代工类型客户,也有部分外资12英寸晶圆厂客户和贸易商客户,亦盛精密90%以上的收入来自于非金属和金属半导体零部件产品。  公告称,本次交易正在进行审计评估,交易金额尚未确定,预计不超过8亿元。公司未与本次交易对方签订与本次交易相关的任何意 向性协议。  本次交易完成后,亦盛精密将成为富创精密全资子公司。
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发布时间:2024-07-15 14:18 阅读量:413 继续阅读>>
安森美<span style='color:red'>韩国</span>工厂扩建完工 预计2025年产量达100万片
安森美<span style='color:red'>韩国</span>富川碳化硅工厂扩建正式落成,年产能上限将突破一百万片
  安森美(onsemi)宣布,其位于韩国富川的先进碳化硅 (SiC) 超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时,该晶圆厂每年将能生产超过一百万片 200 mm SiC 晶圆。为了支持 SiC 产能的提升,安森美计划在未来三年内雇佣多达 1,000 名当地员工来填补大部分高技术职位;相比目前的约 2,300 名员工,人数将增加 40% 以上。  碳化硅器件是电动汽车 (EV)、能源基础设施和大功率 EV 充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长,使得 对SiC 芯片的需求激增。在可预见的未来,SiC 芯片将供不应求。富川晶圆厂的扩建解决了市场对增产的迫切需求,使安森美能够持续为客户提供供应保证,并加强安森美在智能电源方案领域的领导地位。  新的 150 mm/200 mm SiC 先进生产线及高科技公用设施建筑和邻近停车场于 2022 年中期开始建设,并于 2023 年 9 月竣工。150 mm/200 mm SiC 外延 (Epi) 和晶圆厂的扩建,体现了安森美致力于在棕地(既有地点)建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川 SiC 生产线目前主力生产 150 mm 晶圆开始,在 2025 年完成200 mm SiC工艺验证后,将转为生产 200 mm 晶圆。  安森美领导层与由京畿道经济副知事Taeyoung Yeom率领的政要代表团一同出席了此次竣工活动。代表团成员包括富川市市长 YongEek Cho、多名国民议会代表以及富川工商会主席 JongHuem Kim。现场还有来自当地社区、客户、供应商和半导体行业的代表。  竣工仪式  安森美首席执行官(CEO) Hassane El-Khoury 在竣工仪式致开幕词:“富川 150 mm/200 mm SiC 晶圆厂对于我们全整合的 SiC 供应链的持续成功至关重要,使我们能够支持全球电气化的加速发展。过去五年,我们的富川团队表现非凡。我们相信,与政府机构及社会团体携手,将助力我们迈向更可持续的未来的共同目标。”  富川市市长 YongEek Cho 表示:“安森美从上至下勤勉、高效地完成了扩建富川 SiC 晶圆厂的战略计划,让我印象深刻。这不仅会为富川市创造高科技领域的大量就业机会,也会为我们推进电气化进程、建立可持续发展的行业及环境生态系统奠定基础。”
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发布时间:2023-10-24 15:18 阅读量:1328 继续阅读>>
SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其<span style='color:red'>韩国</span>分公司
  近日,据businesskorea报道,SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司。  Solidigm关闭韩国分公司  据业内人士透露,由于行业形势下滑,Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初,Solidigm韩国分公司只有少数人工作,但随着经营状况不断下滑,最终为了提高运营效率而关闭。  Solidigm是SK海力士的子公司,前身为英特尔NAND闪存业务部门,被SK海力士以90亿美元收购后,于2021年12月成立为独立公司。Solidigm负责固态硬盘 (SSD) 的所有产品开发、生产和销售。  但在被SK海力士收购以及市场低迷之后,Solidigm一直面临着运营挑战。  NAND价格在较长时间保持低迷。据DRAM Exchange称,存储卡和USB通用NAND闪存产品(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易价格截至去年5月平均维持在4.81美元,但今年8月跌至3.82美元。  企业营收亏损也在加大。Solidigm今年上半年净亏损超过2.2423万亿韩元,与去年同期(2,583亿韩元)相比,增长了八倍多。  为了应对这些挑战,Solidigm最近通过大规模裁员来降低支出。此前有报道称,由于业绩下滑,Solidigm在7月份对美国总部约 100 名员工进行了重组,约占其美国总部员工总数的 10%。据称,裁员的对象是与SSD相关的软件(SW)和研发(R&D)等领域的人员。  SK海力士代表表示:“由于Solidigm总部正在实施运营效率措施,包括韩国在内的某些地区的分支机构已关闭。未来的国内产品销售将通过我们的总部或经销商进行。”  NAND价格触底  不过,近期综合各方消息,NAND价格开始逐渐触底,部分原厂小范围涨价。  8月初,有业内人士透露,三星通知客户,打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。  分析师郭明錤在近日也发文称,紧跟三星8月的涨价步伐,美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价,涨幅在10%左右。  由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力,模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。  方正证券指出,供给端加速收缩、限制低价供应,进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计,随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布,原厂出货压力将逐步缓解,NAND Flash调整周期尾声将至。
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发布时间:2023-09-11 14:05 阅读量:2476 继续阅读>>
<span style='color:red'>韩国</span>8英寸晶圆代工价格今年下调约10%
  消息称,去年下半年开始,芯片需求的下降影响了许多芯片供应链上的公司,包括为无晶圆厂商提供代工服务的厂商,除了受到最直接冲击的芯片供应商。  据报道,受IT领域芯片需求减少影响,韩国的晶圆代工商在今年已将8英寸晶圆的代工价格,下调了约10%,部分厂商已将8英寸晶圆的代工价格,下调了最高20%。另外,韩国8英寸晶圆代工商的产能利用率,在今年也有明显下滑。  消息人士还透露,虽然不同的晶圆代工商是在不同的阶段和不同制程工艺上降价,但8英寸晶圆代工价格下滑,已扩展到了全行业。  当然,外媒在报道中也提到,8英寸晶圆代工价格下降的,不只是韩国的晶圆代工商,台积电、世界先进等厂商的价格也有下滑。除了IT领域芯片的需求下滑,转向12英寸晶圆也影响到了8英寸晶圆的代工价格。  8英寸晶圆当前主要用于电源管理芯片、显示驱动芯片、微控制器等,韩国有多家厂商提供8英寸晶圆的代工服务,包括三星电子、SK海力士、DB Hitek、Key Foundry。  而从外媒的报道来看,除了价格下滑,韩国8英寸晶圆代工商的产能利用率,在今年也有明显下滑。DB Hitek在二季度的产能利用率降至73.83%,较去年的97.68%下滑超过20%。有消息人士透露,三星电子、Key Foundry和SK海力士8英寸晶圆生产线的产能利用率,只在40%到50%。
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发布时间:2023-08-29 09:29 阅读量:2322 继续阅读>>
华大半导体旗下中电化合物与<span style='color:red'>韩国</span>Power Master公司签署战略合作协议
1.1万亿韩元:<span style='color:red'>韩国</span>重金研发自动驾驶
 据国外媒体报道,已宣布将在芯片和6G研发方面大力投资的韩国,在自动驾驶技术的研发方面也将投入大量的资金,以实现L4级别的自动驾驶。L4级仅次于最高的L5级完全自动驾驶,L4级自动驾驶的意思指高度自动驾驶,能够实现驾驶全程无需驾驶员任何操作,但有限制条件。 外媒的报道显示,为增强在近几年大热的自动驾驶方面的实力,韩国将投资1.1万亿韩元,也就是约10亿美元的资金,用于自动驾驶技术的研发。  外媒的报道显示,计划的1.1万亿韩元的投资,是要求开发L4级别的自动驾驶汽车。  根据国际汽车工程师协会的标准,L4级别的自动驾驶,仅次于完全自动驾驶的L5级别,具备高度自动驾驶能力。  韩国在自动驾驶技术的研发方面,将会有众多部门与机构参与。外媒在报道中就表示,韩国多个部门和机构将联合为自动驾驶项目融资,并加速自动驾驶技术的商业化。 韩国贸易、工业和能源部,科学和信息通信技术部,土地、基础设施和运输部以及韩国国家检察厅表示,将共同资助这些项目,以推动自动驾驶汽车的商业化。当地汽车制造商和汽车零部件制造商预计将参与政府的资金支持项目。  韩国计划到2027年实现4级自动驾驶,届时,驾驶员无需用双手握住方向盘。相较而言,在现今市场2级自动驾驶的情况下,驾驶员需要时刻保持注意,汽车仅能按照车道行驶。在3级自动驾驶中,只需要驾驶员进行有限的干涉。韩国也将修改现有交通规则,来适应自动驾驶汽车。备注:图文源自网络,如有侵权请联系删除!
发布时间:2021-06-30 00:00 阅读量:1562 继续阅读>>
车用芯片库存见底,<span style='color:red'>韩国</span>求助中国台湾晶圆代工厂
  据中央社报道称,三星电子生产芯片不足,韩国车商现代、起亚严重缺乏车用芯片,库存量最多只剩3至6个月,因此,韩国也向中国台湾求助。相关官员证实,韩国方面人士3月初亲访中国台湾经济部门主管王美花,表达迫切需求,盼中国台湾协助。  全球车用芯片大缺货,继美国、德国、日本等国向中国台湾求助后,身为全球半导体业强国的南韩竟也闹“芯片荒”。南韩现代汽车、起亚汽车生产所需的芯片库存拉警报,缺货缺到南韩贸工能源部(Ministry of Trade, Industry and Energy)日前向中国台湾驻韩代表处寻求援助,点名要台积电代工的芯片。  全球汽车制造商最近拉警报,首先是美国通用汽车,2月3日在美国、加拿大、墨西哥3座工厂暂停生产,位在南韩的通用产线产量也减半,如今车用芯片缺货潮,连南韩政府也束手无策,包括现代汽车、起亚汽车的车用半导体库存量,最多只剩下3至6个月。  尽管南韩身为全球半导体业强国,但安装在汽车内的半导体却高度依赖外国供应商。为因应断炊危机,南韩政府正在召集国内芯片商与汽车厂成立车用芯片“国家队”,除为解决车用芯片短缺问题外,也为成立1家合资企业奠定基础,看好未来车辆对芯片与日俱增的需求。  官员也指出,王美花日前已召集晶圆代工台积电等大厂召开因应会议,讨论出1个共识、3个方法,包括厂商将优化生产线,将100%产能提高至102%至103%、优先解决车用芯片供给,并协调其他客户需求等。官员强调,无论是美、日、德还是韩国,经部立场一致,已请厂商尽量挤出产能。  据韩国汽车产业协会统计,韩国IC设计公司多无自设工厂,开发的车用芯片仅2.2% 委托国内业者代工生产,而大部分韩国整车厂考量安全性及购买价格,仍偏好向长期合作的德国英飞凌(Infineon)、荷兰恩智浦、意法半导体等海外业者购买。但英飞凌、恩智浦、意法半导体等国际芯片大厂虽自有产能,部分仍委托台积电代工。  此外,高通CEO史蒂夫·莫伦科夫近日也表示:“现在,汽车芯片短缺是广泛存在的问题,市场其实可以更快地去反应,一些新兴的技术可能反应相对较慢,我们一直在看到一些改进,但是我们还是需要时间去出货、供给”。至于改善之处,他解释说,采用成熟制程节点的产品或许能改善缺货问题,但对于先进制程的产品,要解决的情况仍较为复杂。  据了解,从2020年下半年开始,芯片短缺的问题就成为半导体行业的热点,时至今日,芯片短缺问题日渐严重,其中包括汽车、手机、游戏机、PC等产业相继受到影响。  目前,三星电子是全球最大的芯片和消费电子产品制造商之一,它对芯片短缺蔓延至汽车制造业以外表示担忧。三星电子联席首席执行官兼移动通信业务总裁高东进表示,目前该公司IT部门芯片以及相关零部件的供需失衡状况非常严重,可能在第二季度出现小问题,但该公司正在继续解决供应问题。    高东真表示,三星可能会决定在2021年下半年不推出Galaxy Note,从而打破该名目系列连续多年的年度发布会。他说:“Note系列被定位为我们业务组合中的高端机型,在一年内推出两款旗舰机型可能是一种负担,所以再发布Note机型可能会有困难。Note机型的发布时间可以改变,但我们争取在明年发布Note机型”。
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发布时间:2021-03-23 00:00 阅读量:1391 继续阅读>>
<span style='color:red'>韩国</span>半导体的“内战”
韩国半导体已经在全球半导体产业链当中占据了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半导体销售排名中,韩国厂商就占了两个名额,分别是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。三星和SK海力士是韩国半导体产业的名片,但如果将这两者分开来看,我们发现,韩国半导体内部也存在着一些竞争。三星与SK海力士之间的缠斗受惠于韩国政府于1973年推出的“重工业促进计划”(HCI促进计划)以及1975年推出的扶持半导体产业的六年计划,三星和SK海力士在韩国财团的支持下,开始向半导体领域发展。在他们在建立其本土半导体产业链的过程当中,存储是他们布局的重点,这也是三星和SK海力士在半导体行业开疆拓土的原始“武器”。从三星和SK海力士发展的上看,三星比SK海力士成立的时间早(三星于1974年宣布进入半导体领域,而SK海力士的前身现代电子则是成立于1983年,2001年海力士从现代集团中独立, 2012年,更名为SK海力士)。SK海力士虽起步晚,但这两者在DRAM领域上的进展却不相上下——1985年,三星和SK海力士都量产了256k DRAM;1992年两者皆开发出了64M DRAM。64M DRAM的推出,也意味着三星和SK海力士追上了当时DRAM领先厂商的步伐,至此以后,三星和SK海力士开始在存储领域崭露头角,并开始了相互之间的竞争——1994年8月,三星超过日本和美国,率先推出了256M DRAM。次年,SK海力士首次开发出了256M的SDRAM。2005年,三星开发出了业界先进的DDR3 SDRAM,2007年,SK海力士的DDR3 DRAM抢先获得了英特尔产品认证。进入到新世纪后,应用于消费领域的存储芯片需求开始增加,于是针对移动领域的DRAM的竞争开始了——2011年,三星开始大规模生产30纳米级4Gb移动DRAM (LPDDR2);2013年,SK海力士开发了20纳米级的6Gb LPDDR3;2014年,三星开始大规模生产20 纳米级8Gb移动 DRAM (LPDDR4);2015年,SK海力士推出了商品化的8Gb LPDDR4。随着时间的推移,存储产品也发生了改变,NAND的出现也同样成为了三星和SK海力士相互较劲的新领域——2002年,三星开发出了90纳米级 2Gb NAND 闪存,两年后,SK海力士也成功开发了其NAND闪存。而后,NAND技术也出现了变化,从2D向3D的转变,也成为了新的竞争点——2013年,三星推出了业内首款3D堆叠式结构NAND闪存并开始量产(V—NAND);随后,SK海力士也在3D NAND上有所突破。在接下来的几年中,三星接连推出了32层、48层、64层、128层产品,SK海力士则陆续发布了36层、48层、96层以及128层产品。SK海力士在存储领域的反击在SK海力士和三星的你追我赶中,他们早已在多个细分存储芯片领域上站稳了脚跟。根据ChinaFlashMarket发布的数据显示,在2020年Q2 DRAM市场排名中,三星以43.5%的市占依然排名第一,SK海力士则以市占30.3%排名第二。另外,根据TrendForce的最新数据显示,从2020年Q1季度NAND市场的营收来看,三星以45亿美元的营收居于首位,而SK海力士则以14.4亿美元居于第五位。从这两方面来看,SK海力士无论是在营收上还是在市占率均低于三星。但如今半导体市场环境出现了变化,加之新兴领域的崛起也为众多半导体厂商带来了新的发展机遇,在这种情况下,SK海力士也在积极地寻求突破,而存储似乎也是他们准备发力的一个领域。于是,我们看到,今年10月,SK海力士与英特尔双双宣布,SK海力士以90亿美元收购英特尔闪存业务 。TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处指出,此合并案将可望令两家公司在enterprise SSD领域发挥综效,并开启NAND Flash产业整并序幕。从数据上看,根据英国调查公司Omdia公布的调查报告显示,SK海力士(9.9%)和英特尔(9.5%)的市场份额加起来,将超过居第2位的铠侠(19.0%),仅次于三星(35.9%)。按照这个数据来看,即使SK海力士完成了收购,在市场份额上他仍与三星具有较大的差距。但从另外一方面来看,SK海力士通过此举成功跻身NAND领域第二位,这似乎也在是向龙头企业发出挑战。在前不久SK海力士的第三季度财报上,公司还针对NAND领域进行了展望——据Businesskorea报道显示,公司将在未来三年内确保NAND细分市场的自我维持业务能力,并在五年内使公司的NAND销售额达到收购前的两倍以上。多领域布局,寻求突破众所周知,以三星和SK海力士为代表的韩国半导体企业正在试图逐渐减弱对存储产品的依赖。为此,三星不仅在先进制程上加大了投资研发力度来抢夺晶圆代工市场,还试图在CIS领域挑战行业龙头日本索尼的地位。而这两个领域,同样也是SK海力士用以减弱对存储产品依赖的途径。在晶圆代工方面,2017年5月,三星正式宣布将晶圆代工业务部门独立出来,成为一家纯晶圆代工企业,并计划在未来5年内取得芯片代工市场25%的份额。在接下来的几年中,三星作为为数不多的还在致力于10nm工艺以下先进制程研发的晶圆代工厂之一,在该领域上已经取得了一定的成绩,稳居晶圆代工行业第二的位置,并还在试图挑战行业龙头台积电的地位(从最新的消息上看,据相关媒体报道显示,三星半导体业务部门的高管日前曾透露,三星计划在2022年量产3nm工艺。而按照这个进度上看,三星或将早于台积电推出3nm工艺)。就在三星独立其晶圆代工部门的同年,SK海力士也将其旗下晶圆代工业务正式分拆成为独立的事业部,并命名为SK 海力士System IC,服务对象为没有晶圆厂的IC 设计商,分拆晶圆代工业务主要目的是想强化这方面的竞争力。与三星致力于先进工艺的目标不同的是,SK海力士的营运重心则在于8英寸晶圆的代工。而我们都知道,在近两年中,由于终端市场对半导体的需求增加,8英寸晶圆的供给曾几度出现了紧张的情况。受惠于这种市场情况,SK海力士也在今年加快了他们在晶圆代工的布局——在今年年初,SK 海力士收购了 MagnaChip Semiconductor 的晶圆代工部门,并决定将把该业务改名为“Key Foundry”,抢攻晶圆代工市场。3 月,SK 海力士又斥资 4.35 亿美元,买下 MagnaChip Semiconductor 的晶圆代工部门,以取得 8 英寸晶圆代工厂的产线和技术。7月,又有韩媒报道称,SK Hynix 旗下专门从事晶圆代工业务的子公司—— SK Hynix System IC 以 1,942 亿韩元(约合人民币 11.5 亿元)的价格,将其位于韩国忠清北道清州 M8 工厂的 1206 件半导体生产设备出售给了集团旗下位于中国无锡的一家合资企业,以期进一步扩大其在中国的晶圆代工业务。据闪存市场的报道称,SK海力士将把清州M8工厂的设备移至无锡,主要因为韩国内Fabless市场规模很小,给公司的业务扩展带来困难,因此SK海力士决定将晶圆代工产线移至拥有上千个Fabless公司的中国。在CIS领域,三星同样也率先在该领域做出了布局。曾经凭借移动端对CIS的需求,已经使得三星在该领域中占据了一定的优势。但由于市场对CIS需求的扩增,这也为三星提供了一条除存储领域以外的发力点。于是,在近几年中,位居第二的三星也开始试图挑战龙头索尼的地位,并开始向安防、汽车等多个领域发力。SK海力士紧随三星其后,也开始布局移动设备端的CIS发展。据相关报道显示,SK海力士自2014年开始就注意到了CIS领域,并收购了Siliconfle作为其发展CIS的起点。得益于近些年来智能手机前置摄像头对CIS分辨率提升的需求,SK海力士赢得了大量客户订单。在SK海力士2019年第二季度的报告会上,据第一财经的报道显示,SK海力士副社长、首席财务官车辰锡(音译)在季报说明会上曾表态,SK海力士将首先从位于韩国京畿道利川的M10工厂入手,将该工厂部分生产DRAM产品的生产线,逐步转换为CMOS图像传感器的生产线。今年3月,SK海力士还将其CMOS图像传感器品牌命名为“黑珍珠”(Black Pearl),以加强与竞争对手索尼的Exmor和三星ISOCELL的竞争。伴随着新品牌的发布,SK海力士还推出了4款可应用于智能手机的1.0μm(微米)级图像传感器产品。SK海力士还表示,自今年第一季度推出1.0μm产品之后,SK海力士还计划在下半年推出0.8μm(4800万像素)产品。三星和SK海力士将CIS视为是减少对存储产品依赖的途径之一,是因为CIS在一定程度上与DRAM技术有共通之处。据SK海力士发布的消息显示,SK hynix正在应用DRAM沟槽工艺技术来消除像素之间的光干扰,同时正在进行一些实验来防止使用金属隔墙时吸收光子。而三星电子的ISOCELL则采用了DRAM工艺技术,并正在努力将其工艺改进到32nm的水平。据相关分析师称,凭借卓越的DRAM技术,预计SK海力士和三星电子将缩小与索尼等领先的CIS厂商的技术差距。结语SK海力士和三星之间虽然存在竞争,但从这两者所承担的角色上看,如果说三星是在为韩国半导体产业开疆拓土,那么跟在他身后的SK海力士则更像是承担着一个夯实韩国半导体实力的角色。虽然从成绩上看,SK海力士一直被三星的光芒所掩盖,但在存储领域稳居第二的他,以及在晶圆代工和CIS领域正在不断突破的他,这也是个谁都不能轻视了的对手。
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发布时间:2020-11-19 00:00 阅读量:1325 继续阅读>>

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