三星全力追赶台积电，砸千亿在美建3nm芯片工厂
据悉，三星计划投资170亿美元（折合约1101亿人民币）在美建芯片代工厂，生产下一代芯片，采用3nm的制造工艺。
了解到，三星为了追赶在先进制程工艺上领先的台积电，将跳过4nm工艺，直接建设可量产3nm芯片的晶圆厂。据悉，三星的3nm将采用全新的Gate-All-Aruound技术，该技术科实现更小的芯片面积、更低的能耗。
据外媒报道，这将是三星目前在全球范围内最先进的芯片制造厂，并且该工厂将帮助三星在与台积电的竞争中吸引更多美国客户。
不过，据知情人士透露，由于这项计划目前处于初步阶段，后续可能会发生变化。但三星方面希望今年开始施工，并从明年开始安装主要设备，最早于2023年开始在该设施制造芯片。
据报道，三星去年十月就在美国德州奥斯汀购买了十万平方米的土地，并且在十二月开始申请将土地用途变更为工业开发用地。
目前三星在奥斯汀的晶圆代工厂主要生产基于14nm、28nm以及32nm工艺的芯片，工艺较为落后。而且花旗银行的研究报告也曾显示目前奥斯汀的工厂产能较小，无法满足英特尔、高通和特斯拉等公司不断增加的芯片外包业务。因此有分析人士认为，奥斯汀有较大希望成为三星新工厂的地址，员工数量预估为1900人。
目前三星已经在内存芯片市场占据主导地位，并试图在利润更丰厚的智能手机芯片与电脑处理器芯片市场扩大占有率，它和台积电的竞争也趋近于白热化。
如今虽然三星失去了苹果的订单，但却通过低价收获了高通、英伟达和联发科等新客户的订单，其中高通和联发科的芯片过去都由台积电独家供应。
三星也曾表示计划在2030年前向代工和芯片设计业务投资1160亿美元，旨在2022年推出采用3nm工艺的芯片，从而赶超台积电。
本次在美投资的170亿美元建厂很可能是这个宏伟计划的一部分。
不过想要击败行业霸主台积电并不容易，韩国投资银行HMC Securities的高级副总裁Greg Roh表示：“如果三星真的想在2030年前成为最大的芯片制造商，它需要在美国进行大量投资，才能赶上台积电。”
去年5月，台积电宣布在美国亚利桑那州建设的工厂将采用5nm制程技术生产芯片，规划月产能为20000片晶圆，将直接创造超过1600个高科技专业工作机会，预计为该建厂项目支出约120亿美元。此前台积电在美国华盛顿州卡玛斯市建有一座晶圆厂。
台积电在美5nm芯片厂计划在2021年开工，2024年开始生产。如果外媒报道的三星赴美建3nm厂、计划2023年投用的消息为真，那么无论从技术先进性和投用时间来看，三星均有望在争取美国政府资源方面获得更多优势。
就目前而言，台积电在5nm芯片量产、确定美国亚利桑那州建厂计划等方面均领先了三星一步，三星还需要与台积电、SK海力士和美光等公司争夺EUV光刻机订单，接下来的先进工艺竞争于三星而言，仍将是一场难打的硬仗。
另一方面，台积电在近日举行的财报会上表示，公司将斥资200亿美元，用于3nm、5nm等先进制程的研发。
并且，苹果iPhone、iPad与Mac等产品，已经预定了台积电3nm芯片订单。这表示，三星的“苹果梦”在3nm制程上恐难实现。
而且，如今台积电已经在攻克2nm，并且已经取得了一定的进展。据此前消息称，苹果也预定了台积电2nm的首波产能，二者将进行密切的合作。
由此来看，三星的压力不小，想要超越台积电十分困难，让我们拭目以待吧。
注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
