近20家美国半导体CEO敦促拜登为芯片出资，行政命令或将下达！-Ameya360电子元器件采购网

近20家美国半导体CEO敦促拜登为芯片出资，行政命令或将下达！

发布时间：2021-02-20 00:00

作者：

来源：ESM

阅读量：1497

美国领先的芯片公司的CEO们联名致信美国总统拜登敦促他优先考虑对半导体制造及研究的资助，白宫新闻秘书Jen Psaki在新闻发布会上表示，行业可期望在数周内签署一项行政命令。

半导体工业协会（SIA）董事会及主要芯片公司的首席执行官和高管致信拜登总统，敦促他在政府的经济复苏和基础设施计划中包括为半导体制造及研究提供大量资金。据统计，SIA占美国半导体行业收入的98%。

信中提到，美国在全球半导体制造能力中所占的份额已从1990年的37%下降到现在的12%。“这种下降很大程度上是由于我们的全球竞争对手的政府提供了大量补贴，这使得美国在吸引新厂建设方面处于竞争劣势。此外，联邦政府在半导体研究上的投资一直持平，而其他国家的政府则大举投资于研究计划，以增强本国的半导体能力。”

美国半导体协会在信中敦促拜登总统优先投资半导体，以重申美国的技术领先地位，并实现拜登政府的“重建更美好”计划的目标。

在信上签字的首席执行官分别来自AMD、Analog Devices、Cree、GlobalFoundries、Intel、Lattice Semiconductor、Marvell Semiconductor、Maxim、Micron Technology、on Semiconductor、Qorvo、Qualcomm、Silicon Labs、Skyworks、Texas Instruments、Western Digital、Xilinx和SIA。此外，博通(Broadcom)、IBM和英伟达（Nvidia）的高管也签名了。

在岸芯片制造还将缓解困扰电子产品供应链的部分采购问题，贸易战限制了美国获得源自中国的半导体晶圆厂的产能。

SIA总裁兼首席执行官 John Neuffer表示：“半导体为医疗保健、通信、清洁能源、计算、运输和无数其他领域的重要技术进步提供了动力，而芯片化技术帮助我们在新冠疫情期间保持生产力和互联性。通过大胆投资国内半导体制造业激励措施和研究计划，拜登总统和国会可以重振美国经济和创造就业机会，加强国家安全和半导体供应链，并确保美国在这场游戏变革中保持领先地位。

通过在2021财年国防授权法案（NDAA）中制定《面向美国的芯片法案》，国会认识到美国半导体行业在美国未来的关键作用。现在，新航呼吁政府和国会为NDAA授权的条款提供全部资金，使其成为现实。

白宫的回应

在周四(11日)的白宫新闻发布会上，新闻秘书Jen Psaki表示，“政府目前正在确定供应链中的潜在瓶颈，并积极与工业界的关键利益相关者以及贸易伙伴合作，采取更多行动。”“与此同时，我们也在展望未来。半导体供应短缺的长期问题——这也是昨天的问题——是总统在未来几周内签署行政命令、对关键商品供应链进行全面审查的核心动机之一。”

当被问及白宫对这一问题的认真程度，以及审查是否需要几个月的时间时，她回答说，“我说过，他很快就会签署一项行政命令，所以他肯定会签署，我们只有三个星期的时间。他的行动非常迅速。但是，就像很多政策一样，我们希望全面审视我们作为新一届政府能够采取的最有效的措施，跨部门发挥作用，解决长期以来的挑战，也就是短缺问题。”

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行业新闻

半导体芯片有哪些常见的应用

半导体芯片通常也可称为集成电路，是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金“的过程，主要是对硅晶圆的一系列处理，简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光，在硅片上形成所需要的电路，将硅片变成芯片。化合物半导体半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。随着新的半导体材料出现、电力电子技术进步与制作工艺的提高，半导体在过去经历了三代变化。砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，与第一代半导体硅（Si）相比，在高频、高温等方面性能更加优异。化合物半导体芯片因其优异的高频性能，常用来制造功率半导体，其应用领域越来越广泛。在应用中通过变频、变压、变流、功率放大及管理的方式实现两大功能：放大和开关。目前75%以上的电能应用需要进行功率变换以后才能供设备使用。其应用领域越来越广泛。放大：低频功率变为高频功率，充分利用放大作用，就可以使用小功率驱动马达。开关：切换电路的开与关，其开关速度越快，越能实现精密控制。砷化镓半导体砷化镓半导体芯片主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（频率300~300000兆赫之间）的半导体器件。由于Si在物理特性上的先天限制，仅能应用在1GHz以下的频率。然而近年来由于无线高频通讯产品迅速发展，使得具备高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性的砷化镓脱颖而出，在微波通讯领域大规模应用。由于砷化镓高频传输的特性，除了在手机应用中飞速成长外，笔记本电脑、平板电脑中搭载的WiFi模组、固定网络无线传输，以及光纤通讯、卫星通讯、点对点微波通讯、有线电视、汽车导航系统、汽车防撞系统等，也分别采用1~4颗数量不等的功率放大器，这都是推动砷化镓成长的强大动力。氮化镓半导体氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV，与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料，也称为宽禁带半导体。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的shou选材料之一。氮化镓（GaN）与砷化镓（GaAs）性能比较；氮化镓（GaN）与硅（Si）性能比较由于对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得氮化镓材料器件逐渐被半导体市场应用。其主要应用领域包括：新能源领域：在可再生能源领域，在将风电和太阳能电力接入电网以及减少输电损耗方面，都发挥了极其重要的作用；绿色能源、电动汽车、绿色电子照明等新兴领域正在成为功率器件市场应用的新热点，需求强劲。信息通讯设备领域：增强型氮化镓电晶体表现出高耐辐射性能，从而适用于通讯和科学卫星的功率和通讯系统；点到点通信、卫星通信、各种雷达和新型工业/YL应用都将从这些大功率氮化镓器件的应用中获益。4C产业：国内各主要IT产品仍将保持旺盛的市场需求，笔记本电脑、显示器、打印机、电视机、组合音响、激光视盘机等传统产品以及新兴汽车电子均将在未来保持平稳增长。随着空调、节能电机等电子产品产能向ZG大陆转移，功率半导体的需求也将成倍地增加。智能电网领域：功率半导体在提高整个电力供应链--从发电、输配电到Z后的用电--的能效方面发挥着至关重要的作用。碳化硅半导体碳化硅（SiC）因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现，成为当前Z受关注的半导体材料之一，在交流-直流转换器等电源转换装置中得到大量应用，未来亦有望在半导体功率器件领域逐步实现对硅的全面替代，碳化硅半导体时代即将开启。与硅器件相比，碳化硅半导体芯片的功率损耗可减少将近50%，从而有效提升电源转换效率。碳化硅器件由于转换效率高、发热小，所以可以有效减小冷却系统的体积，从而实现电源转换装置整体的小型化，这对于新能源汽车等需要大量电源转换装置的系统具有重大的意义。因此，对于需要高转换效率和高功率密度的系统，碳化硅器件具有无可比拟的优势，值得推荐选择。正因为碳化硅具备这些优异的性能，所以它特别适合深井钻探、太阳能逆变器（实现直流与交流的转换）、风能逆变器、电动汽车与混合动力汽车、工业驱动以及轻轨牵引等需要大功率电源转换的应用。

2022-01-17 00:00 阅读量：2077

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