SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

发布时间：2021-04-08 00:00
作者：
来源：ESM
阅读量：1569

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备 的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...

根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。

公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。

SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。

据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。

目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。 韩媒猜测， 此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。

注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：车用芯片为什么那么缺？车规：我太难了

下一篇：美国加强对华为管制，台积电总部附近房价暴涨

在线留言询价

相关阅读
SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4
行业新闻

SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术 。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”
2024-04-19 11:03 阅读量：645
SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司
行业新闻

SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司

　　近日，据businesskorea报道，SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司。　　Solidigm关闭韩国分公司　　据业内人士透露，由于行业形势下滑，Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初，Solidigm韩国分公司只有少数人工作，但随着经营状况不断下滑，最终为了提高运营效率而关闭。　　Solidigm是SK海力士的子公司，前身为英特尔NAND闪存业务部门，被SK海力士以90亿美元收购后，于2021年12月成立为独立公司。Solidigm负责固态硬盘 (SSD) 的所有产品开发、生产和销售。　　但在被SK海力士收购以及市场低迷之后，Solidigm一直面临着运营挑战。　　NAND价格在较长时间保持低迷。据DRAM Exchange称，存储卡和USB通用NAND闪存产品(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易价格截至去年5月平均维持在4.81美元，但今年8月跌至3.82美元。　　企业营收亏损也在加大。Solidigm今年上半年净亏损超过2.2423万亿韩元，与去年同期(2,583亿韩元)相比，增长了八倍多。　　为了应对这些挑战，Solidigm最近通过大规模裁员来降低支出。此前有报道称，由于业绩下滑，Solidigm在7月份对美国总部约 100 名员工进行了重组，约占其美国总部员工总数的 10%。据称，裁员的对象是与SSD相关的软件(SW)和研发(R&D)等领域的人员。　　SK海力士代表表示：“由于Solidigm总部正在实施运营效率措施，包括韩国在内的某些地区的分支机构已关闭。未来的国内产品销售将通过我们的总部或经销商进行。”　　NAND价格触底　　不过，近期综合各方消息，NAND价格开始逐渐触底，部分原厂小范围涨价。　　8月初，有业内人士透露，三星通知客户，打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。　　分析师郭明錤在近日也发文称，紧跟三星8月的涨价步伐，美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅在10%左右。　　由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力，模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。　　方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至。
2023-09-11 14:05 阅读量：2475
两年来利润首次下滑 SK海力士第四季度财报远未达预期
行业新闻

两年来利润首次下滑 SK海力士第四季度财报远未达预期

据路透社报道，2019年1月24日，韩国芯片制造商SK海力士周四公布了最新财报。财报显示，SK海力士第四季度营业利润同比下降1%，这是该公司两年来首次利润下滑，除了存储行业的衰退之外，宏观经济的不确定性也打压了市场对芯片的需求。可以说，SK海力士的财报远低于市场预期，有分析师指出，中美之间的贸易摩擦，中国放缓的经济都削弱了市场对智能手机等高科技产品的需求。HI投资证券公司的高级分析师宋明穗表示，“SK海力士的业绩反映出，中国对于电子产品的需求增长减缓，这一趋势和宏观经济的不确定性还将持续一段时间。”作为全球第二大内存芯片制造商，SK海力士表示，其第四季度利润仅为4.4万亿韩元（约39亿美元），远低于此前分析师预测的5.1万亿韩元。“宏观经济的不确定性导致客户采取相对保守的采购行为，加上智能手机销售放缓，最终导致这一结果。”SK海力士表示。本月早些时候，三星也对外表示，预计季度利润将会大降29%，三星则将其归咎于市场看衰芯片需求。值得注意的是，DRAMeXchange曾表示，由于北美数据中心拥有高水平的内存库存，服务器DRAM芯片的价格预计将在第一季度下降超过20％。不难推测，在未来的一段时间，内存的高库存消化势必还将影响几大内存厂商的营收。SK海力士表示，其DRAM芯片出货量在第四季度下降了2%，销售价格较上一季度下降了11%。NAND芯片也是如此，虽然长期来看，出货量增长了10%，但是平均价格却下降了21%。
2019-01-24 00:00 阅读量：1841
DRAM价格下滑 SK海力士财报不妙
行业新闻

DRAM价格下滑 SK海力士财报不妙

受到移动舍必需求钝化、库存屯积的影响，SK海力士主力产品DRAM的价格正急剧下跌，外界观测指出，接连刷新营业利益纪录的SK海力士，这次恐怕无法再缔新猷。根据韩媒《ZDNet Korea》报导，SK海力士将于24日公布去年第四季初步财报和2018年度财报。据金融情报公司FnGuide透露，预计SK海力士去年第四季的营业利益为51964亿韩元。虽然与去年同期相比增长了16％，但营业利益比创下历史最高纪录的前一季（64724亿韩元）减少了约15～20％，整整少了1万亿韩元以上。报导指出，DRAM价格下滑是绊脚石。以服务器为需求快速增长的DRAM价格在去年第三季达到高点，从去年第四季开始下跌，市调公司DRAMeXchange公布的数据显示，DRAM平均交易价格（ASP）在去年第四季就下降了11％以上。一位业界相关人士对此表示，由于之前累积的库存让数据中心的客户开始减少、推迟订单，出货量自然就会减少。另一方面，计算机企业中的重量级品牌英特尔CPU（中央处理器）的供给不足，也是造成需求下降的原因。整体DRAM产业的恶化，对依赖DRAM的SK海力士是非常不利的情况。业界透露，SK海力士的DRAM销售比重占整体的8成左右。KIWOOM证券研究员朴有岳也说明：“DRAM的出货量比前一季减少了4％，价格也下降了10％。”值得注意的是，对于今年的前景，证券业者和半导体企业的意见有着明显分歧。若从证券界的角度来看，证券界近期都在大量发布下调全年预期值的消息，也主张存储器产业低迷的现象将持续一整年。Meritz证券研究员金善宇指出，预计今年DRAM和NAND闪存销售价格的下降幅度分别是36％和44％，这样的情况和史上下跌速度最快的2011年相似。相反地，SK海力士等企业就今年的半导体产业状况预测称：“预计今年会出现上半年差，下半年越来越好的模式。”并说明今年至第二季为止运营动能会暂时地停滞，之后会再次恢复。
2019-01-23 00:00 阅读量：1553
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。