上海瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

发布时间:2021-08-10 00:00
作者:
来源:中电网
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上海瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

据浦东时报报道,上海市公示了“瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化项目的环评公示”。根据公示内容显示,上海瀚镓半导体科技有限公司(以下简称“上海瀚镓”)将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”产线。

上海瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

资料显示,上海瀚镓成立于2020年8月,注册资金500万元,法人代表何哲强。公司位于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区,由上海集成电路材料研究院支撑孵化。主要专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发,进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化。

据介绍,上海瀚镓的技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校,具有完全自主知识产权的核心专利技术。

根据上海市经济和信息化委员会6月30日发布的公告显示,上海瀚镓还入选了《临港新片区2021年第二批重点产业企业所得税优惠资格拟认定企业名单》。


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