7月16日消息,@手机晶片达人分享了一份投行报告,这份报告曝光了高通未来的芯片产品规划。
如图所示,高通将在2020年Q4商用骁龙662和骁龙460,2021年Q1商用骁龙875G和骁龙435G,2021年Q1到Q2之间商用骁龙735G。
其中骁龙875G是高通2021年主打的旗舰平台,骁龙735G是高通2021年的中端平台,二者都是三星5nm EUV工艺制程。
据报道,三星5nm EUV工艺性能提升10%,功耗降低20%。
至于骁龙875G,此前有消息称高通会采用Cortex X1超大核心+Cortex A78大核心的组合。
报道称高通自骁龙855开始就已经在旗舰平台上引入1+3+4三丛集架构,随着ARM Cortex A78和Cortex X1核心架构的登场,高通骁龙875G有可能会引入真正的超大核组合架构,也就是Cortex X1+Cortex A78。
ARM表示,Cortex X1核心架构将提供比Cortex-A77高30%的最大效能,也较同时发表的Cortex-A78核心最大效能高23%,机器学习能力是Cortex-A78的两倍。
一旦高通骁龙875G使用Cortex X1+Cortex A78的组合,它将会打破安卓阵营中处理器的性能纪录。而且骁龙875G不再采外挂基带的方式,而是真正将基带芯片集成,其整体性能更令人期待。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注