瑞萨电子推出两款具有低静态电流双路输出同步控制器 适用于车载常开系统
2020 年 8 月 13 日，日本东京讯 - 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，推出两款具备最低6µA静态电流并集成2A拉电流/3A灌电流MOSFET驱动的全新42V双同步控制器，为瑞萨R-Car H3和R-Car M3 SoC提供初级功率级解决方案。ISL78264双同步降压控制器管理中间的第一级DC/DC转换，将12V电池系统降压至5V和3.3V，从而为车辆电子控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统（IVI）和数字驾驶舱系统提供50W-200W功率水平的供电；ISL78263双同步升降压控制器提供DC/DC转换，以支持25W-100W的功率水平。如在启动瞬时或启动/停止过程期间电池电压（VBAT）下降至2.1V，则提供预升压功能。
瑞萨电子汽车模拟电源与视频事业部副总裁Niall Lyne表示：“ISL78264和ISL78263为瑞萨R-Car H3和R-Car M3 SoC提供理想的初级功率调节解决方案，将新型电子架构引入汽车行业，从而提升车辆性能、效率、安全性和可靠性。控制器常开工作状态和业界最低的静态电流为电源系统设计人员提供所需的功率余量，以保证系统在100µA、甚至低至50µA的功率范围内。ISL78264和ISL78263集成了强大的MOSFET驱动，与其它车载升降压VBAT控制器解决方案相比，具备更高的效率和功率。”
ISL78264双同步降压控制器和ISL78263双同步升降压控制器在单个降压通道上提供6µA（典型值）的节能低静态电流（Iq）。两款控制器均集成FET驱动，可提供业界领先的96%峰值效率和大于10A的输出电流，从而简化电源设计。产品集成反馈电阻和外部电源阻塞二极管，可用于需要启动支持的应用，并集成可编程扩频，以应对EMI干扰带来的挑战。例如，容忍VBAT负载突降可缩减浪涌保护的额外成本和尺寸，支持启动瞬变过程则可减少所需的输入电容。内置EMI降噪功能，开关频率高达2.2 MHz，可缩减EMI滤波/屏蔽的成本及尺寸。
· SL78264和ISL78263还包括针对过压（OV）、欠压（UV）、过流、过热的广泛保护，以及自举电源欠压检测和刷新电路，以保护高压侧MOSFET。两款控制器均符合AEC-Q100 Grade-1标准，可在-40°C至125°C的环境温度下工作。
· SL78264双同步降压控制器的关键特性
· 输入电压范围：3.75V至42V
· Buck1 Vout固定输出3.3V/5V，或在0.8V至5V范围内可调
· Buck2 Vout在0.8V至32V范围内可调
· 单个降压通道Iq低至6µA（典型值）
· 导通时间25ns，可实现低占空比操作，通道之间相位偏移为180°
· 不加预升压情况下，支持低至5.5V@2MHz的“启动-停止”瞬变过程
· SL78263双同步升降压控制器的关键特性
· 输入电压范围：2.1V至42V
· 固定降压输出3.3V/5V可调
· 通过低至2.1V的冷启动瞬变保持降压输出稳定
· 升压频率为降压频率的1倍或0.2倍
· 退出模式（降压），可实现高占空比工作
· 导通时间25ns，适用于低占空比操作
供货信息
ISL78264双同步降压控制器和ISL78263双同步升降压控制器现已量产，采用5mm x 5mm，32引脚可润湿侧翼QFN封装。
在线留言询价
车载视觉系统解决方案
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
