三星DRAM将扩产,终结内存涨价缺货潮?

根据TrendForce 旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下，可能扩大DRAM产能，SK海力士和美光有望跟进扩产，此举恐将改变DRAM供给紧俏格局。

由于DRAM 厂近两年来产能扩张幅度有限，加上制程转换的难度，DRAM 供给成长明显较往年放缓，配合下半年终端市场消费旺季，DRAM 合约价自去年中开启涨价序幕。近期DRAM价格持续大涨已让许多厂商吃不消，陆续调涨产品价格，消费者也抱怨连连。

但根据TrendForce 旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下，可能扩大DRAM产能，SK海力士和美光有望跟进扩产，此举恐将改变DRAM供给紧俏格局。

三星将在平泽厂增设DRAM产线

传三星电子(Samsung Electronics)正在考虑于平泽半导体厂二楼，移入DRAM生产设备。

韩媒朝鲜日报引述业界消息指出，三星新完工的平泽半导体厂一楼，目前已开始生产3D NAND Flash，至于工厂二楼，传三星正考虑移入DRAM生产设备，展开DRAM扩产，如以晶圆投片量为基准，平均月产能可能高达10万~12万片左右。

稍早2017年5月，三星决定在华城17产线，进行高达3兆韩元(约合27亿美元)的DRAM产线增设投资，这项计划目前正在进行中。三星计划利用华城17产线剩余空间，移入DRAM生产设备进行扩产，平均月产能约3万片左右。

DRAMeXchange也指出，三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线，部分转往生产DRAM，并全数采用18nm制程，加上原有Line17还有部分空间可以扩产。预计三星此举最多将2018年DRAM产出量提升80-100K，也代表三星的DRAM产能可能由2017年底的390K一口气逼近至500K的水平，亦将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%。

明年DRAM供需缺口或被弥平

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，以主流标准型记忆体模组(DDR4 4GB) 合约价为例，从去年中开始起涨，由当时的DDR4 4GB 13 美元均价拉升至今年第4 季合约价30.5 美元，报价连续6 个季度向上，合计涨幅超过130%，带动相关DRAM 大厂获利能力大幅提升。

截至目前为止，三星第2 季度DRAM 事业营业利益率来到59%，SK 海力士也有54% 的表现，美光达44%。展望第4 季，DRAM 合约价持续上涨，各家厂商的获利能力可望继续攀升。

正因DRAM产业已进入寡占格局，理论上厂商对于高获利的运作模式是乐观其成，过去一段时间以来，三星对扩产DRAM这件事，态度其实相当保守。

然而，在连续数季内存价格上升的带动下，SK海力士、美光皆累积许多在手现金。

有了丰沛的资源，SK海力士将在年底进行18nm制程转进，无锡二厂也将在明年兴建，预计2019年产出；美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资，代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备，此举无疑激起三星的警戒心，使得三星开始思索DRAM扩产计划。

三星可能采取的扩产动作，除了是应对供给吃紧状况，最重要的是借助提高DRAM产出量，压抑内存价格上涨幅度。

虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM市场的领先地位，以及与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距。

此外，明年堪称中国内存发展的元年，三星透过压低DRAM或是NAND的价格，将能提升中国竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

韩国业界人士进一步指出，如果未来三星真的于平泽厂大举扩产DRAM，那么SK海力士、美光等竞争对手，最后也只能跟著三星脚步投入扩产。

DRAMeXchange表示，从整体DRAM供给来看，2018年供给年成长率将来到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口将可能被弥平，预期SK海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高，为DRAM市场增添新的变量。

然而，DRAMeXchange认为，三星此举将可能改变DRAM市场供给紧俏格局，只是修正目前竞争对手的超额利润，降为较合理获利结构；再者，随着大厂将部分投资重心由NAND Flash转往DRAM，将可望降低明年NAND Flash供过于求的情形，并进而减缓整体NAND Flash平均售价(average selling price)下滑的速度。

三星扩厂或许对2018年DRAM市场将带来部分冲击，但就整体内存产业的长期发展来看未必是负面消息。