苹果包下三大厂产能 DRAM本季涨10%,下季再涨5%
由于苹果包下了三星、SK海力士、美光等三大厂第四季行动式DRAM产能，在产能排挤效应发酵下，标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货，第四季合约价顺利再涨6～10%，业界对明年第一季淡季续涨5%已有高度共识，法人点名南亚科、华邦电、威刚将受惠最大。
南亚科受惠于DRAM合约价顺利调涨，加上20纳米制程新产能全面开出，6日公告10月合并营收月增9.2%达新台币50.72亿元，创下单月营收历史新高，与去年同期相较亦大增32.7%。华邦电及威刚尚未公告10月营收，但法人乐观预估华邦电营收将介于新台币43～45亿元间维持高档，改写近17年来的单月营收新高，威刚10月合并营收应可冲上新台币30亿元大关，并改写4年来新高纪录。
由于苹果第四季进入新款iPhone出货旺季，其中iPhone X全球大卖且超乎预期，苹果已通知供应商将扩大采购存储器，三大DRAM厂的行动式DRAM产能已被包下，无多余产能可供应给其它手机厂，导致行动式DRAM第四季合约价大涨10～15%幅度。
在产能排挤效应发酵下，标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货，现货价已连涨6周，创下今年以来现货价最长涨势，缺货最严重的4Gb DDR4颗粒现货价更已一举涨破5美元大关再创历史新天价。
在现货价持续上涨下，第四季合约价顺利调涨6～10%，由于现货价及合约价之间溢价差高达3成，业界因此认为明年第一季就算是存储器淡季，价格仍可望续涨5%。
虽然近期市场传出三星可能扩大DRAM产能消息，但三星日前法说会中已明确表达并无此事。三星表示，2018年资本支出虽大举提升至46.2万亿韩元（约折合411.5亿美元），半导体资本支出仅占64%，平泽厂（Pyeongtaek）新扩产能主要是因应强劲的3D NAND需求，以及聚焦在10纳米晶圆代工产能，明年DRAM位元成长率将与市场平均位元成长率相当。由此来看，三星仍没有大扩DRAM产能计划，也让其它DRAM厂大大松了一口气。
事实上，存储器业界对2018年DRAM市场仍维持吃紧市况看法，龙头大厂三星已在10月底通知渠道商，第一季将再度调涨DRAM价格，行动式DRAM因需求强劲，价格涨幅将超过5%。业界认为，三星在传统淡季敢调涨价格，显示对2018年DRAM市场维持乐观看法，也说明三星在扩产态度上十分节制，不会放弃拉升DRAM获利以推升集团获利表现的策略，这有助于破除近期市场担心三星可能会扩产打乱DRAM产业秩序的疑虑。
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