2018年NAND Flash价格将下跌10%~20%

发布时间：2017-12-11 00:00
作者：
来源：TrendForce
阅读量：1561

全球市场研究机构集邦咨询（TrendForce）昨日在台北举办集邦拓墣2018关键零部件趋势论坛，针对包括行动式内存、服务器、NAND Flash、大小尺寸面板、Micro LED等作出预测，其中NAND Flash部分，TrendForce预估2018年NAND Flash ASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。

TrendForce表示，NAND Flash产业从2016年下半年起面临供不应求的市况，直到今年第四季才趋于缓和。

展望2018年，上半年受到淡季效应的影响，需求走弱，市场届时将面临小幅供过于求的情况，NAND Flash价格有机会走跌。2018年下半年在需求回升、与NAND Flash原厂稳健扩充产能下，可能再次呈现供不应求的局面，价格跌势也将停止。

预估2018年NAND Flash ASP将较2017年衰退10%-20%。需求端方面，UFS接口明年下半年有机会开始导入中低端智能手机市场，渗透率将挑战20%水平。

另一方面，随着服务器/数据中心与PC市场近年来加速导入SSD产品，SSD已成为NAND Flash市场下一波成长动能所在，2018年占NAND Flash产能的消耗比重将超过40%，其中，PCIe接口将会是2018-2019年的主流界面。此外，2018年NB SSD渗透率在NAND Flash价格走弱下，有望首度突破50%大关。

至于行动式内存方面，TrendForce指出，应用于智能手机的内存价格从2016年第三季开始即不断攀升，主流规格至今年第四季价格平均上升达40%。

展望2018年，智能手机内存在DRAM产能扩增效益有限，以及价格趋势与供给状况仍持续看涨、看紧的影响下，驱使各品牌厂必须审慎评估低价机种的量产计划，以及新兴市场以贩卖低价机种为主的营销策略。

在单机平均搭载内存容量上，预估也将受到内存价格持续看涨的压抑，成长空间有限，苹果新机的容量提升将是成长主力。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：韩国DRAM双雄称霸全球,两厂Q3市占率合计72.4%

下一篇：三星难再独食,传LG明年6月开始为苹果生产OLED屏

在线留言询价

相关阅读
美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT
行业新闻

美光支付英特尔15亿美元分手费,独自收购IMFT

之前，存储器大厂美光（Micron）跟处理器龙头英特尔（Intel）合资成立了 Intel-Micron Flash Technologies（IMFT）公司，联合研发 NAND Flash 及革命性的 3D XPoint 存储器。但是，双方合作十多年之后已经渐行渐远，2018 年宣布分手，而合资公司 IMFT 将被美光收购。于是，1 月 15 日美光正式宣布，进行收购 IMFT 的计划。其中，英特尔将获得 15 亿美元的分手费，之后英特尔本身也将建立自己的 NAND Flash 及 3D XPoint 存储器的生产能力。说起英特尔和美光的合作开发 NAND Flash 的历史非常久远，早在 2005 年，两家公司就联合成立一家 Intel-Micron Flash Technologies（IMFT）公司，以专门制造 NAND Flash 快闪存储器为主。直到 2015 年，这家合资的 IMFT 公司研发出全新的 3D XPoint 技术快闪存储器。根据资料显示，3D XPoint 技术快闪存储器将是目前快闪存储器速度及耐用性的1,000 倍，容量密度则是 NAND Flash 快闪存储器的 10 倍。目前，美光及英特尔合作的 3D XPoint 快闪存储器主要是在美国犹他州的工厂生产，双方未来将继续通力合作完成第二代 3D XPoint 技术开发，并且将会在 2019 年上半年完成上市之后，两家就会正式分道扬镳，各自开发以 3D XPoint 技术为主的第三代产品。据了解，双方分手之后要各自组建独立的研发团队。其中，英特尔在 2018 年 9 月份就已经宣布，将在美国新墨西哥州的工厂新增 100 多个职缺，主要就是 3D XPoint 快闪存储器技术研发。在此之前，英特尔已经在中国大连投资 55 亿美元，并且兴建了 3D NAND Flash 的生产线，2018 年 9 月份也正式开始量产。另外，对于 NAND Flash 快闪存储器及 3D XPoint 生产，双方之前就已经谈妥，在英特尔自己的 3D XPoint 工厂建成之前，IMFT 还会继续给英特尔提供存储器。所以，分手之后双方各自的储存业务都不会受到影响。而就在美光公司 15 日宣布行使收购 IMFT 的权力之后，美光将支付给英特尔 15 亿美元的现金，同时承担 IMFT 公司大约 10 亿美元的债务。而整体交易的完成时间将要看英特尔的决定，最快在未来 6 个月到 12 个月内完成。
2019-01-16 00:00 阅读量：1547
供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%
行业新闻

供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

集邦咨询：供需失衡态势难止，NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。受到供应商扩产计划调整的影响，尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%的位元产出，而64/72层的产出占比则超过50%。供应商制程推进的放缓将导致2019年NAND Flash位元成长仅约38%，相比2018年逾45%的水平明显下降。观察各供应商产能调整，DRAMeXchange指出，三星持续减产2D NAND产能，加上92层制程会消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约35%。由于三星全球市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大。SK海力士、东芝/西数分别有M15以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率或低于预期。SK海力士和东芝/西数原先位元产出成长率预估值分别约为50%与40%水平，DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂2020年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划。美光与英特尔阵营2019年整体位元产出成长接近40%水平，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。从2019年NAND Flash价格走势来看，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。
2019-01-11 00:00 阅读量：1575
内存,闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应
行业新闻

内存,闪存降价太狠,美光削减12.5亿美元支出以减少供应

美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。
2018-12-21 00:00 阅读量：1349
2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%
行业新闻

2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%

TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析，2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始抑制扩产，但由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显著，预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。DRAMeXchange指出，在eMMC/UFS方面，年底前中国智能型手机厂商着重去化库存，调整生产规模，因而加深第四季合约价跌幅，而库存去化将持续至2019年第一季，导致eMMC/UFS合约价在第一季恐呈现近10%跌幅。观察SSD的价格走势，2019年第一季笔记本电脑出货量预期将较今年第四季下跌逾15%，尽管PC SSD搭载率与容量持续上升，但仍难遏止总位需求与价格双双走弱，Client SSD合约价料将续跌近10%。 从2019年各项产品的需求评估来看，由于服务器需求成长维持不坠，导致Enterprise SSD市场成为各供货商兵家必争之地，使得价格竞争更加激烈，加上第一季服务器需求同样受淡季影响，预期第一季的跌幅将高于10%。进一步观察通路需求表现，尽管今年模块厂货料供给充足，但因价格不断走低，为避免跌价损失，模块厂有必须出清当月进货的压力，甚至是透过销售次级产品以维持获利，此举反而进一步打乱市场价格行情，相比龙头厂商的获利水平，模块厂今年的获利表现明显下滑，呈现上肥下瘦的情形，预期2019年上半年难以期待有所好转。
2018-12-19 00:00 阅读量：1459
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。