因DRAM、NAND等内存报价上涨、需求强劲,调研机构3月14日发布最新研究报告,将2018年全球IC市场成长预估值拉高近一倍,从原本的8%一口气上修至15%。
IC Insights3月14日发表研究报告指出,由于DRAM、NAND内存需求不减、产品报价强劲,故出手上修全球IC市场成长率至15%,若扣除掉DRAM市场,今年全球IC市场成长率则仅只有10%。
IC insights指出,今年DRAM均价远优于预期,估计将较去年跳增36%,延续去年大涨81%的上升走势,而去年均价跳涨45%的NAND,今年报价也有望续增10%。相较之下,DRAM、NAND今年的位出货量成长率则只将达到1%、6%。
基于上述预测,IC Insights认为,今年DRAM的全球市场规模有望成长37%,远优于先前估计的13%,而NAND则将成长17%、也高于先前估计的10%。
3月6日,IC Insights绘制图表显示,DRAM的价格一直在急剧上升,每Gb DRAM芯片的价格在2018年1月份达到0.97美元,同比增长47%,这一增幅甚至比30年前的45%峰值还要夸张。
报告称,2018年DRAM市场的整体规模预料会达到996亿美元,比NAND的621亿美元大幅超出375亿美元,成为IC业界规模最大的产品类别。从该机构制作的图表可以看出,过去五年来,DRAM已成为左右全球IC成长的关键因素。
CNBC、路透社等外电报道,Nomura Instinet分析师Romit Shah 3月12日发表研究报告指出,年初以来,内存报价仅下滑3%,跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%),预估未来六个月报价有望上扬10%。
研究显示,供货商应该会在Q2、Q3开始涨价,跟市场原本预测的“未来四季报价每季会跌5-6%”大相径庭。
下一篇:提速!5G进入商用冲刺倒计时
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BP3621 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注