中国商务部约谈美光,DRAM价格涨势恐将遭压抑
全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈，最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高.
全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)查证指出，美光被约谈最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高，加上限制设备商供货给福建晋华俨然是妨碍公平竞争行为。2018年第一季三星、SK海力士与美光在DRAM产业囊括约96%的市占率，与其他终端产品所采用的半导体组件相比，似乎已明显构成垄断的条件，未来反垄断调查的事件可能将持续发生，并且可能将压抑内存涨幅。
DRAMeXchange指出，2018年第一季存儲器三大厂商三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率分别为44.9%、27.9%、22.6%，显示出DRAM明显已是寡占格局。而据了解，中国反垄断法最终目的在维护市场的公平竞争，任何具有市场支配地位的经营者，不得滥用该市场优势来操弄价格。另一方面，由于DRAM生产周期长达八周以上，从投入资本支出后，到新增产能、颗粒产出更长达至少一年，DRAM厂商最容易在反垄断条文中「限制商品中销售数量」被调查。
中国为最大存储器需求国，紧盯内存价格涨势
此外，中国市场对于全球DRAM和NAND的消化量已经高达20%与25%，存为儲器最大需求国。尽管中国各地正积极进行半导体扶植计划，但要达到「技术自主研发」与「稳定量产规模」两项目标仍需要至少数个季度以上的时间，对解决成本压力的燃眉之急是远水救不了近火。除了此次美光被约谈之外，今年年初存儲器龙头厂商三星半导体也被中国的国家发展和改革委员会约谈，虽然目前没有证据显示这二者事件有关联性，但足以显示中国官方对于DRAM价格高涨的重视。
DRAMeXchange分析，由于中国占全球的存儲器的消耗量非常可观，且厂商对于中国市场普遍采取高度尊重的态度，因此相关事件无疑将造成后续内存价格上涨受到压抑。以DRAMeXchange最新资料指出，三大DRAM厂商今年首季营业利益率(OP Margin)已达50-70%的水位，不仅是历史最高，该产品的获利能力甚至超过技术层级更高的中央处理器(Application Processor)，此现象史上未见。而DRAM厂为改善供货吃紧状况，近两年持续增加资本支出，然在制程持续微缩困难的状态下，各厂唯有透过扩产才能有效增加供给，预估DRAM新产能开出态势将于2019年更为明显。
在线留言询价
传美光将买下两座工厂？
美光工厂火灾！
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
