DRAM、NAND芯片出货旺，SK海力士上季获利创新高

发布时间：2018-07-27 00:00
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来源：中时电子报
阅读量：1710

因DRAM存储器、NAND快闪存储器芯片出货强劲，SK海力士（SK hynix）第二季获利再创历史新高。

DRAM、NAND芯片出货旺，SK海力士上季获利创新高

SK海力士公布，第二季营收年增55%，为10.4兆韩元，优于市场预估的10.2兆韩元。营业利益较去年同期大幅增长83%，为5.6兆韩元，优于市场预期的5.4兆韩元，并创下历史新高。净利亦暴增75.4%，达到4.3兆韩元，再创历史新高。

该公司第二季营收和营业利益，为历来首次分别突破10兆韩元和5兆韩元大关，该公司归功于该季DRAM存储器、NAND快闪存储器芯片出货大幅成长。

SK海力士表示，因来自个人计算机（PC）和服务器的需求强劲，第二季DRAM芯片出货季增16%，且受惠于市场供不应求，平均出货价格较上季涨4%。

在来自于中国强劲的需求驱动下，第二季NAND快闪存储器芯片出货季增19%，但由于市场供应增加，SK海力士的NAND芯片平均出货价格下跌9%。

展望下半年，SK海力士表示，因美国和中国的数据中心公司扩大投资，服务器相关芯片产品需求估将进一步成长，而手机的季节性需求，包括新款智慧手机上市，亦将提振相关产品业务。

该公司表示，全球DRAM芯片供应短缺的现象目前将持续下去。因供应持续增加，下半年NAND芯片价格料将走跌。

SK海力士表示，将持续扩大10纳米制程在服务器和手机DRAM芯片销售中的比重，此类芯片需求估将强劲增长。公司亦计划扩大尖端的72层3D NAND芯片产能。

此外，海力士表示，下半年资本支出约为8兆韩元，2019年资本支出仍将维持高档，但将低于2018年。

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