全球第2大NAND型快闪存储器(Flash Memory)厂商东芝存储器(TMC、Toshiba Memory Corporation)19日宣布,于四日市工厂厂区内兴建的“第6厂房(Fab 6)”及存储器研发中心已于当日举行了竣工仪式。“第6厂房”为3D NAND Flash的专用厂房。
TMC表示,已携手合作伙伴西数(Western Digital,“WD”)于9月开始量产堆叠96层的3D NAND Flash产品。TMC指出,就长期来看,3D NAND Flash市场预估将扩大,因此今后将视市场动向进行追加投资、扩充生产体制。
TMC竞争对手三星已于2018年7月领先全球同业、抢先量产堆叠90层以上的NAND Flash产品。
时事通信社19日报导,就长期来看,存储器(NAND Flash)需求虽预估将扩大,不过受存储器当前价格走跌影响,就短期来看,TMC将考虑是否减产。TMC社长成毛康雄于19日举行的记者会上表示,就长期来看,存储器需求将扩大,因此考虑增强生产设备、技术人员,不过受存储器价格走跌影响,“(就短期来看)有各种调整的空间”。
日经新闻报导,NAND Flash价格进一步走跌、今年来跌幅已超过3成。8月份TLC(Triple Level Cell)128Gb批发价月减3%至每个3.3美元左右、连7个月下滑,256Gb产品也月减3%至每个5.6美元左右。
东芝6月1日宣布,“东芝存储器(TMC)”已如预期在1日完成出售手续,以约2.3万亿日元的价格将TMC 100%股权卖给贝恩资本主导的企业联盟所设立的收购目的公司“Pangea”。东芝将对“Pangea”进行再出资、取得40.2%股权(等同持有TMC 40.2%股权),日厂Hoya也将取得9.9%股权,即日本阵营仍将取得“Pangea”过半股权。
TMC 5月22日发布新闻稿宣布,因3D架构的NAND Flash Memory“BiCS FLASH”中长期需求料将呈现扩大,因此为了扩增3D NAND Flash产能,决定在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂,该座北上新厂厂房预计将在2019年完工。
日刊工业新闻3月20日报导,TMC计划在截至2022年度为止的5年内追加兴建2座3D NAND Flash新厂房(不含上述北上新厂)、总计将有4座厂房在未来5年内启用,期望藉由积极投资、追击市占龙头厂三星电子。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注