根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,时序进入9月下旬,正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机,但受到位元产出持续增加,以及旺季需求并未明显增温的影响,价格走弱的态势更为明显,DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1~3%,扩大至约5%。
DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出,DRAM价格在过去九个季度期间大幅上扬,但从今年第三季起价格已经开始走弱,其中PC DRAM与服务器内存价格涨幅缩小至1~2%,而行动式内存价格在旺季仅持平开出,绘图用内存更率先出现跌价。观察现货市场状况,价格从年初一路下滑,并在今年6月底开始正式低于合约价,而目前的现货价格已经低于合约价格约10%,显示后续合约价格仍将继续下跌。
服务器内存跌幅扩大,DRAM整体市况转弱
从服务器内存市场来观察,受惠于平台转换与数据中心建设带动,服务器需求比往年来的热络,但今年上半年因DRAM供给仍吃紧,导致终端纷纷以超额订单(double booking)的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升服务器产品的产出比重,供给达标率已转趋饱和。展望第四季,除了服务器需求出现杂音外,目前由于渠道价格持续开低,韩系原厂已率先降低第四季价格目标,预估季跌幅将达5%左右,高于原先预期的2%。
与服务器内存产品属性较为相近的PC DRAM同样呈现供过于求,再加上Intel新平台供货不足影响笔电出货状况,导致PC DRAM第四季价格跌幅也上看5%。利基型内存则受到中美贸易摩擦带来的不确定性因素影响,需求已出现下修,价格也从九月开始下跌,第四季的跌幅更可能超过PC DRAM与服务器内存。
占整体供货比重最大的行动式内存价格同样呈现下滑趋势。展望第四季,虽然在新款iPhone出货的拉升下,需求逐渐增温,但由于新款机种的定价高于市场预期,销售预估转为保守,因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式(discrete)行动式内存第四季价格跌幅约在3%,eMCP解决方案则因NAND Flash价格下滑更为快速,整体跌幅可能扩大至8%。
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