中国半导体产业砥砺前行,2019年半导体产值成长率为16.2%

发布时间：2019-01-24 00:00
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来源：集邦咨询
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全球市场研究机构集邦咨询在其最新「中国半导体产业深度分析报告」中指出，受到全球消费市场需求不佳及全球贸易形势所引发的市场不确定性等外在环境影响，2018年中国半导体产业产值虽突破6,000亿元人民币，但下半年产业已显疲态。

中国半导体产业砥砺前行,2019年半导体产值成长率为16.2%

而2019年由于全球市场仍垄罩在经济环境不确定的阴霾中，预估中国半导体产业产值虽将突破7,000亿达7,298亿元人民币，但年成长率则将下滑至16.20%，为近五年来最低。

集邦咨询旗下中国半导体分析师张瑞华指出，受到全球经济表现不佳、消费市场的疲软、智能手机市场出现负成长以及中美贸易摩擦持续等因素冲击，对2019年中国半导体产业的发展局势可以说是道行险阻。

不过，由于中国政府推动以国产进口替代，提升国产化芯片比重的方向并未改变，而在AI、5G、车联网、智能汽车、新能源汽车、CIS、生物识别、物联网、边缘运算等新科技发展的带动下，新应用将推升对半导体的需求。

值得注意的是，随着中国本土IC设计业的崛起，IC设计产业已成为引领中国半导体产业发展的重要环节，产业结构也持续优化。以2019年中国半导体产业产值分布来看，IC设计业占比将达40.6%、IC制造占比约28.7%、IC封测占比约30.7%。

另一方面，从各领域产值成长率来看，由于2019年中国将有超过10座新的12英寸晶圆厂开始投产，加上部分8英寸厂及功率半导体产线将进行扩产，预计2019年中国IC制造产值将较2018年成长18.58%，优于IC设计的17.86%与IC封测产业的12%。

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近年来，国家和各地方政府陆续推出相关政策推动第三代半导体相关产业发展：2017年，工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为集成电路产业的发展重点；而科技部也已将第三代半导体列入国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项；与此同时，在地方政策方面，北京、深圳、江苏、成都、厦门、泉州、芜湖等均已发布或正在研究推动第三代半导体产业发展的扶持政策。毋庸置疑，随着国家对第三代半导体产业的高度重视，以及在新能源汽车、AI、IoT和5G等新兴产业的推动下，国内第三代半导体产业正迎来飞速发展。近期国内众多资金过亿的第三代半导体项目更是“捷报频传”，但是这些企业是否能在残酷的竞争中存活下来还是一个未知数。何为第三代半导体？第三代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表；第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也已经广泛应用；而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化铝（AIN）、金刚石等宽禁带为代表的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显著。如果你依然对第三代半导体材料感到陌生，可以抬头看看家中无处不在的LED(发光二极管)灯。氮化镓基蓝光LED的发明使高效白光LED照明得以实现，引起了人类照明光源的又一次革命。当然，氮化镓基蓝光LED仅仅只是一个开端，第三代半导体实际上拥有着更大、更广阔的市场发展空间。由于第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此在短波发光、激光、探测等光电子器件和高温、高压、高频大功率的电子电力器件领域拥有广阔应用前景。第三代半导体具体的应用场景不胜枚举，其中在节能电力电子领域，有半导体照明、智能电网、高速列车等；在信息工程领域，有可见光通讯、海量光存储、高速计算等；在国防建设领域，有紫外探测器、微波器件等；在民用商业应用领域，有无线基础设施（基站）、卫星通信、有线电视和功率电子等；此外还包括新能源汽车、消费类电子等领域。正是凭借着性能的优势和广阔的应用场景，第三代半导体也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。产业发展热火朝天目前全球各国均在加大马力布局第三代半导体领域。据第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）不完全统计，2017年，美国、德国、英国、欧盟等国家和组织启动了至少12个研发计划和项目，“官产学研”多方联合研发是重要组织方式之一。与发达国家相比，中国发展第三代半导体产业的起步较慢，但是随着政策引导效应逐步显现，中国第三代半导体产业正迎来高速发展。值得一提的是，2017年中国第三代半导体产业取得了实质性的发展，据CASA初步统计，2017年中国第三代半导体整体产值约为6578亿(包括照明)，较2016年同比增长25.83%。虽然第三代半导体材料众多，但是从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟、且最具有发展前景的主要是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体材料这两种材料。从目前来看，国内在半导体照明领域的发展具有明显优势。例如全球LED芯片龙头三安光电是凭借在LED芯片领域技术和设备的积累，正式进军化合物半导体芯片，其中第三代半导体材料的研发如氮化镓正是其豪掷330亿左右投资的七大核心项目之一。除三安光电外，国内的扬杰科技、国民技术、海特高新等多家上市公司均开始布局第三代半导体业务。与此同时，国内部署的多条第三代半导体相关产线相继启用或投产。在SiC领域，中车时代电气6英寸碳化硅(SiC)产业化基地技术调试圆满完成；全球能源互联网研究院6英寸SiC中试线进入安装调试阶段；世纪金光SiC和GaN生产线开始安装；中电科55所6寸SiC中试线投入运行。在GaN领域，江苏能华和英诺赛科的8英寸Si基GaN生产线相继开始启用；三安集成、海威华芯、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体等均在有序推进中。产业发展任重而道远虽然近两年国内第三代半导体产业发展热火朝天，但是中国科学院微电子所副所长刘新宇曾在公开场合表示，“在国家政策和资金的推动下，目前国内企业的投入热情高涨，但是后面这些企业能不能在残酷的竞争中存活下来有待进一步讨论和观察。”值得一提的是，去年8月国民技术全资子公司国民投资与成都邛崃市政府签署投资协议书，拟以不少于80亿元投建“国民天成化合物半导体生态产业园”，以化合物半导体外延片材料为重点突破方向国民技术在当时备受肯定。然而好景不长的是，国民技术却接连面临产业基金合伙人失联、项目投资人撤资的“窘境”，这也使得国民天成化合物半导体生态产业园项目的未来成为一个未知数。中国电子信息产业发展研究院、集成电路所超摩尔研究室主任朱邵歆博士认为，目前国内第三代半导体产业发展主要面临着以下三大困难和挑战：一是国际技术封锁。2018年8月1日，美国商务部公布新增的44家中国出口管制企业名单，限制美国的技术向其出口和转移。其中名单中的中电科13所和55所是国内技术领先的化合物半导体研究机构；二是市场推进困难。在国际政治环境允许的情况下，国内的整机应用企业会优先采购全球领先的化合物半导体供应商的产品，以保持整机产品在全球市场的竞争力。国内的化合物半导体企业面临着在行业市场和消费市场两面碰壁的困难；三是项目投资盲目。起步晚、实力弱的城市在集成电路产业缺乏专业认识和发展经验，招商引资时信息严重不对称，对化合物半导体的市场定位和发展前景的判断不够准确。尤其是近年来，境外的所谓“科技人才”打着化合物半导体“全面替代硅”的旗号，组建“临时拼凑”的技术团队，怀揣“空手套白狼”的侥幸心理，“游走”国内多个城市，“忽悠”地方政府。而对于未来产业的发展方向，朱邵歆博士也提出了几点自己的思考。首先在市场定位方面，从我国产业目前的发展阶段来看，化合物半导体在基站和汽车等行业市场取得市场突破的机会更大。一方面是因为这些市场均为新兴应用市场，市场格局尚未固化，是中国企业的发展机会。另一方面是国内的研究机构在这一市场所用的GaN和SiC器件领域有一定的技术积累，与龙头企业的技术差距相对较小。此外，在产业模式方面，朱邵歆博士建议努力培育具有市场竞争力的IDM企业。面向5G通信基站、新能源汽车和工业电源等行业市场，建议培育GaN和SiC领域的IDM龙头企业。在智能手机等消费市场，建议推动国内的设计企业和制造企业深度合作，探索虚拟IDM发展模式。
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人事变动始终牵动着半导体产界人士的心。2018年是不平凡的一年，众多半导体巨头进行了高管调整，或宣布调整信息。包括台积电、英特尔、德州仪器、长电科技、高通、意法半导体、紫光集团等。有的是正常人事变动，有的是因为行业不当导致下台。 下面一起回顾，2018年半导体产业都经历了哪些重大人事变动。 Imagination想象技术2018年12月13日，Imagination科技有限公司宣布，Dr. Ron Black成为公司新任首席执行官，接替离任的李力游博士（Dr. Leo Li）。 Black博士拥有超过25年的经验，此前曾担任过Rambus，UPEK和Wavecom的首席执行官。在其职业生涯早期，他曾在杰尔系统，Gemplus，IBM和摩托罗拉担任领导职务。 而李力游出任Imagination公司首席执行官也不过8个月的时间。 2018年4月3日，Imagination科技有限公司宣布，李力游博士（Dr. Leo Li）正式接任Andrew Heath，成公司的首席执行官。 李力游（Leo Li）获中国科学技术大学学士、获中国科学院电子学研究所硕士、美国马里兰大学电子工程博士、拉荷亚国立大学工商管理硕士。。 李力游曾担任Rockwell Semiconductors和Ericsson的高级工程师及项目经理等多个职位； 1998年至2002年期间曾任GSM基带创业公司Moblink Telecom手机产品部的总经理和公司副总裁； 2002年至2005年期间曾任Broadcom的高级商务拓展总监，负责GSM/GPRS/EDGE/WCDMA基带业务； 2005年至2007年期间曾任手机研发公司Magicomm Technology Inc的首席执行官； 2008年5月加入展讯通信任公司总裁； 2009年2月13日开始担任展讯通信总裁兼CEO； 2010年8月12日担任公司董事长。 2017年11月份至2018年3月，担任紫光集团联系总裁兼展锐董事长。 Lam Research泛林集团2018年12月5日，在调查涉嫌工作场所不当行为的情况下，半导体设备供应商Lam Research首席执行官Martin Anstice辞去其职务。Lam Research董事会接受其辞职，并任命总裁兼首席运营官Timothy M. Archer为总裁兼首席执行官。 Timothy M. Archer拥有加州理工学院应用物理学士学位，在哈佛大学商学院完成管理开发课程。 他的职业生涯开始于1989年，在Tektronix负责高速双极集成电路的制程开发。 1994年进入Novellus Systems，于1999年至2001年出任Novellus Systems日本分公司资深技术总监；以及2001年4月至2002年4月为Electrofill事业处资深技术总监；2008年11月至2009年9月为PECVD和Electrofill事业处执行副总裁；2009年9月至2011年1月为全球业务、营销与客户服务执行副总裁；2011年1月至2012年6月为首席营运官。 2012年6月加入Lam Research；担任执行副总裁暨首席营运官一职；2018年1月被任命为总裁兼首席运营官。 长电科技2018年9月25日，长电科技发布公告，公司董事会同意董事长兼首席执行长（CEO）王新潮先生辞去首席执行长（CEO）职务并任命李春兴(Choon Heung Lee)博士为公司首席执行长（CEO）。 李春兴(Choon Heung Lee)博士简介1959年出生，拥有韩国大学物理学学士学位，并于1986 年至1993年Case Western Reserve University获得半导体物理学硕士学位和博士学位。 1996年加入Amkor，担任模拟和高级产品开发小组的团队经理。 2004年晋升研发主管。 2010年晋升企业技术主管。 2013年出任执行副总裁兼首席技术官； 2015年1月出任全球制造业务执行副总裁、首席技术官； 2015年3月出任Amkor韩国总裁、全球制造业务执行副总裁、首席技术官。 2016年3月出任Lam Research公司Advanced Packaging VP。 2018年9月出任长电科技CEO。 李春兴博士拥有专利59件，并在国际上发表了19篇学术论文。 2018年9月25日，长电科技发布公告，同意公司总裁赖志明先生辞去总裁职务。 Lattice莱迪斯自2018年9月4日起，Lattice公司正式任命Jim Anderson为该公司的新任CEO，成为公司董事会成员。他将会带给Lattice广泛的技术以及领先的业务转型经验去推动公司持续盈利。 Jim Anderson从AMD加入Lattice公司之前，担任计算机和图形业务集团的总经理和高级副总裁。从2015年6月开始领导AMD的计算和图形业务集团，在AMD期间，Jim推动了战略和运营转型，为市场带来了颠覆性的新产品，并为AMD带来了市场领先的收入增长和显着的盈利扩张，这有助于推动AMD市值的十倍增长。 2005年1月至2014年5月就职于LSI，历任多个职位，2012年7月晋升网络解决方案集团总经理兼高级副总裁；2014年5月-11月，就职Avago，担任网络解决方案集团总经理兼高级副总裁；2014年11月-2015年5月就职英特尔，担任Axxia商务总经理 在加入AMD之前，他曾在英特尔，Broadcom Limited（前身为Avago Technologies）和LSI Corporation等公司担任过广泛的领导职位。 Jim拥有麻省理工学院电子工程和计算机科学硕士学位和理学硕士学位，普渡大学电子工程理学硕士学位和明尼苏达大学电子工程理学学士学位。 Jim已获得四项计算机架构创新专利。 Texas Instruments德州仪器2018年7月18日（美国时间7月17日），德州仪器CEO布莱恩·克拉切（Brian Crutcher）突然宣布离职，这距离他6月1日上任不到两个月。德州仪器在随后发布的一份声明中表示，克拉切离职的原因是他违反该公司的行为准则。声明表示，此次违规是因为个人行为与我们的道德和核心价值观不符，与公司战略、运营或财务报告无关。但公司声明中并未披露详细信息。 克拉切的前任里奇·谭普顿（RichTempleton）将会重新接任这一职位。谭普顿之前曾经领导德州仪器13年。他在任期内将该公司从领先的模拟芯片提供商打造成为整个行业盈利能力最强的企业之一。 谭普顿于1980年从纽约联合学院获得电气工程理学士学位后加入TI公司。他的职业生涯始于公司的半导体业务，从销售开始，最终成为整个业务的总裁。  1996年6月至2004年4月担任公司的执行副总裁兼半导体业务总裁。2000年4月到2004年4月晋升首席运营官；2004年5月晋升总裁兼首席执行官。  2003年7月起，他一直担任公司董事会成员，2008年4月担任董事会主席。  布莱恩·克拉切（Brian Crutcher）拥有中佛罗里达大学的电子工程理学学士学位和加州大学欧文分校的工商管理硕士学位。 于1996年加入TI，担任过销售组织的各种领导职务。2010年晋升为高级副总裁，2014年担任执行副总裁，2017年1月24日晋升COO。2017年7月进入董事会。 长鑫存储和睿力7月16日的长鑫存储存储器项目首次投片总结大会上，合肥长鑫董事长、原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明。 朱一明，1972年出生，1997年获得清华大学物理学硕士学位，2000年获纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士学位。 1997年7月至1998年7月任职北京安美消防技术服务公司；1998年8月至2000年5月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；2000年6月至2001年5月iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月至2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任项目主管；2005年4月至2018年7月北京兆易创新科技股份有限公司任董事长兼总经理。 兆易创新2018年7月16日晚间发布公告，称董事会收到公司总经理朱一明的书面辞职信。朱一明因工作需要辞去公司总经理职务，仍继续担任公司董事长及董事会相关专业委员会职务。其辞职信自送达公司董事会之日起生效。何卫接任代理总经理。 朱一明辞去兆易创新CEO后，接任合肥长鑫存储及睿力CEO一职，引领合肥长鑫存储在DRAM领域继续突破。在7月16日的长鑫存储存储器项目首次投片总结大会上，合肥长鑫董事长、原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明。 何卫，男，1967 年生，中国国籍，无境外永久居住权，清华大学硕士。曾先后任北京微电子技术研究所集成电路部副主任，中芯国际北京销售部副处长，2009 年加入兆易创新，2015年12月担任公司副总经理。 朱一明，1972年出生，1997年获得清华大学物理学硕士学位，2000年获纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士学位。 1997年7月至1998年7月任职北京安美消防技术服务公司；1998年8月至2000年5月纽约州立大学石溪分校电子工程系硕士；2000年6月至2001年5月iPolicy Networks Inc.任资深工程师；2001年6月至2004年11月 Monolithic System Technologies Inc.任项目主管；2005年4月至2018年7月北京兆易创新科技股份有限公司任董事长兼总经理。 Rambus2018年16月29日，Rambus宣布终止Ron Black博士的CEO职务，即时生效，原因是他的某些行为没达到公司标准。高级副总裁兼内存部分总经理Luc Seraphin担任临时CEO，Rambus董事会开始搜索并确定新任CEO。 2012年Ron Black加入Rambus公司CEO，2017年底续签了CEO协议，正常应该在2022年才会卸任。在担任Rambus总裁兼首席执行官的六年任期内，成绩斐然，它使公司成为技术知识产权许可的领先者，为公司建立了牢固的合作伙伴关系，并显着增加了收入和利润。 Black博士加入Rambus前，曾任UPEK和Wavecom的首席执行官。在其职业生涯早期，他曾在杰尔系统，Gemplus，IBM和摩托罗拉担任领导职务。 Intel英特尔2018年6月22日英特尔历史上的第六任 CEO 布莱恩·科在奇（Brian Krzanich）结束了他在这一职位上为期五年的工作，也结束了他在英特尔三十年的职业生涯。英特尔的公告直白地指出了他的离职原因——与员工有染。英特尔首席财务官Bob Swan兼任临时首席执行官，不过他对于永久担任CEO一职不感兴趣。 布莱恩·科在奇简介1960年5月9日出生； 1999年荣获英特尔成就奖；拥有一项半导体制程方面的专利 1982年获得了圣何塞州立大学化学学士学位； 1982年加入英特尔新墨西哥州工厂； 1994年至1996年担任亚利桑那州Fab 12工厂生产制造经理； 1996年至1997年担任亚利桑那州Fab 6工厂经理； 1997年至2001年担任Fab 17工厂经理，负责将原DEC公司的半导体制造业务整合到英特尔的制造网络中，包括设施更新升级、启动和推广0.18微米与0.13微米制程技术的应用； 2001年至2003年负责在英特尔全球工厂实施0.13微米逻辑制程技术； 2003年至2007年负责英特尔封装测试业务； 2005年12月至2010年1月任公司副总裁，负责工厂和全球运营； 2010年1月至2012年1月20日任公司高级副总裁及制造和供应链总经理，同时任全球制造总管； 2012 年 1 月20日至2012年11月担任COO； 2012年11月至2013年5月16日任COO兼执行副总裁； 2013年5月16日就任CEO（5月2日宣布）； 2017年8月14日宣布担任American Manufacturing Council成员； 2018年6月21日因与员工有染离职。 8月2日，英特尔将高通两位高管纳入公司空缺首席执行官一职的候选人名单。知情人士透露，高通现任总裁Cristiano Amon以及前英特尔和高通高管Anand Chandrasekher成为了接任英特尔前任首席执行官Brian Krzanich的候选人。 英特尔、高通以及Chandrasekher并没有立即针对此消息作出回应。 除了Amon以及五月从高通离职的Chandrasekher之外，其他候选人还包括现任英特尔高管的Navin Shenoy以及Venkata Murthy Renduchintala、前英特尔高管Diane Bryant、Renee James以及Stacy Smith。前英特尔高管、现任VMware首席执行官的Pat Gelsinger也在候选人名单中，但他已经明确表示不会考虑这件事。
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2019半导体产业展望:凛冬将至

虚拟货币产生“蝴蝶效应”，叠加贸易因素和市场需求不振，全球产业进入低景气周期徘徊不前。2016年全球PC和手机市场已经陷入需求不振的态势，但2017年虚拟货币的横空出世和疯狂暴涨，一定程度上给全球半导体行业“续了命”。 进入到2018年，以比特币为代表的虚拟货币市场从二季度开始启动“跌跌不休”模式，尽管虚拟货币本身对半导体产业贡献的产值不大，但其蝴蝶效应还是很明显，虚拟货币产业链覆盖到的GPU、MLCC、封装、PCB、存储、先进工艺等领域都受到不小影响。叠加愈演愈烈的中美贸易纷争，手机市场需求严重放缓等一系列不利因素，可以看到今年全年整体半导体产业上演的是“冰火两重天”的局面。上半年度，全球半导体产业销售额为2393.5亿美元，同比增长20.4%，再创历史新高。而进入下半年后，芯片厂商的库存逼近十年的最高水平，半导体设备市场需求也大幅趋缓，厂商开始缩减半导体投资开支，IC Insights预测Q4的增速已经下降到6%，预计2019年全年半导体产业进入低景气周期，维持徘徊不前的发展态势，全年增速可能维持在4%-6%之间，同比预计下跌接近10个百分点。国内半导体市场的红利同样进入下半场，ToB市场是未来国内半导体企业主要发力的关键。2018年中国互联网进入下半场的概念在业界被许多人推崇，人口和流量红利消失被认为是中国互联网上下半场分割点，“从消费互联网进入到产业互联网”，“从ToC到ToB”，被频频提及。 同样的，ToB战役不仅仅只存在于互联网产业，半导体一样发生了下游市场需求从ToC到ToB的转移，在从消费互联网为主的「平原市场」，转向产业互联网的「棋盘市场」（引自【甲子光年】）。 「平原市场」的特点是现象级市场（手机和PC市场都占据全球应用市场的各30%以上），垄断程度高，产品集中度高，通用性很强，芯片企业一招走天下赢者通吃，只要巨量投资维持技术进步，就可以保持领先。 而ToB的「棋盘市场」，则呈现出碎片化特点（细分市场占比不超过10%），集中度低，专业程度高，通用性不强，这样大企业和小企业都有机会，还有新进玩家不断进入，包括在细分行业领域做系统方案的企业，也会有兴趣向上游延伸开始做芯片，从阿里、百度这样的互联网巨头在转战产业互联网的同时还要积极投入芯片产业就可以看出，半导体成为互联网巨头和行业系统厂商抢滩产业互联网的重要武器。 所以这种市场需求从ToC到ToB的转变，会使得未来系统厂商将成为芯片设计领域的主力贡献者，会不断侵蚀现有Fabless厂商和IDM厂商的市场份额，倒逼两者为系统厂商提供定制化design service业务，或出让自己的产能和定制化解决方案服务，这种趋势在2019年以及以后，会越来越明显。 摩尔定律放缓已经达成共识，未来在体系结构、EDA工具和推动开源、敏捷设计方面会出现重大变革。随着摩尔定律和登纳德缩放比例定律的放缓甚至停滞，单处理器核心的性能每年的提升已降为3%左右，此外设计先进的SoC所需的成本和时间急剧增加，我们关注到业界开始在设计、材料、架构、集成、先进封装等各个领域加大投资，寻找创新路径和方案。 美国DARPA正在积极推动的 “电子产业振兴计划”(ERI)计划，就是用来应对微电子技术领域面临的工程技术和经济成本方面的挑战，可以多关注IDEA、POSH、SDH还有DSSoC这几个项目。 未来在AI需要高性能计算的领域，专用体系结构和专用编程语言的开发对于提升特定领域性能、功耗和开发效率尤其重要，此外随着更多系统和互联网厂商进入IC领域，用开源和敏捷开发方式可以反复迭代地在短时间内廉价地开发产品原型，实现超复杂SoC的低成本设计也会成为实际需求。 因此未来在软硬件协同设计、高层专用语言、开源体系结构设计、创新的敏捷芯片开发方面都会相继出现不小的变革，相信在2019年围绕在这个方向的创新会越来越多。 半导体并购交易规模达到天花板上限，深耕细作成为并购方向，日韩在复杂外部环境中有望通过并购谋求复兴。2018年年初最引起关注的两起巨量并购由于复杂的国际外部政治环境因素以及对垄断和国家安全的担忧戛然而止，博通收购高通被美国总统特朗普一纸禁令否决，高通收购NXP最终没能等来中国监管机构的一纸批文。 总结一下2018年全年截止目前发生的国际并购投资，发生在半导体企业之间的收购交易金额未超过百亿。可以看出，在半导体产业的投资和并购上，国际政府监管审查行动越来越严格，使得半导体并购交易规模达到天花板上限，2019年这个趋势会继续保持。 另外可以预见的是尽管中美贸易战有缓和的迹象，但美国对中国大陆在投资限制、技术封锁和人才交流中断等方面正在趋于常态化，限制了中国资本出海的空间和意愿（美国是中资第一大海外并购目的地，2018年迄今中资对美高科技类并购降至7亿美元），也直接影响到全球半导体行业并购的规模。 从未来行业并购的驱动因素来看，总营收和经济规模领先的巨头公司，会更关注在半导体市场的特定细分行业拥有较高市场份额和盈利优势的公司，通过收购加码细分领域的竞争力，而网络和数据中心、汽车、AI和软件业务都会成为比较受青睐的细分领域。 此外，从区域来看，贸易摩擦和政府监管对并购的影响似乎并没有阻拦日本企业和资本在半导体行业期望实现复兴的野心，瑞萨、TDK、村田、爱德万近几年一系列收购中小欧美半导体企业的动作，可以看到日本厂商急于趁势重新崛起的迫切，而韩国也在频频加强与中国大陆在资本和产业层面的合作，预计在全球愈加复杂的外部环境中，日韩在半导体行业并购方面将成为可以独善其身的赢家。 中国地方政府投资半导体产业力度相比之前逐渐减弱，政策支持和政府资金投入可持续性面临考验，国内半导体产业迎来大考，进入沉淀期。2014年发布《国家集成电路产业推进纲要》后，国内掀起新一轮集成电路产业投资热潮，地方政府还通过推出非常有吸引力的招商引资和产业扶持政策，以及设立专项的半导体产业基金，吸引半导体重大项目落地建设，目前看中国大陆应该有接近一半的省份都规划部署了大大小小的半导体生产线。 我们也频频看到，许多地方不顾自身条件，盲目跟风上马，不科学规划和测算半导体产业投资的综合成本及效益，大搞“形象工程”和“政绩工程”，不仅无法发挥自身的资源和产业环境之优势去发展合适的产业，也使得全国各城市之间由于“项目雷同”，相互之间也无法实现区域性的分工和相应的协作，产业发展远未形成互补的良性格局。 2019年是很多省市规划建设的重点半导体项目的投产年，也是大考年。不仅仅对项目本身，对于各地方政府，也会明显意识到半导体生产线项目“高风险、长周期、持续烧钱”的特点，加之宏观经济不振和地方债务高企，外部环境复杂性和风险系数都显著提升，国内很多地方政府对投资和发展半导体产业的信心可能会受到不小挑战，政策支持和政府资金投入可持续性面临考验。 由于地方政府对半导体产业的投资是维持国内产业高景气度的最重要驱动因素之一，而随着地方政府的热情有所下降，叠加全行业本身面临的低谷周期，2019年可能进入到全行业的洗牌时刻，很多项目，很多地方政府基金可能就面临着烂尾的局面。2019年的国内半导体行业将在“行业寒冬”中迎来大考，当然，大浪淘沙始见金，2019年也会是国内半导体行业放下浮躁，扎实沉淀的一年，相信即使有中美贸易摩擦等复杂外部变化的影响，只要政府和国内产业界开始真正的加强国际商业规则和知识产权保护的重视，开始积极投入基础研发创新，优化产业发展环境和企业营商环境，继续坚持全球化和扩大开放合作，整个产业就有机会真正从资本堆砌的泡沫、低水平重复建设和低层次竞争中走出。
2018-12-10 00:00 阅读量：1611
2018半导体资本支出破1000亿美元,存储器占53%
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2018半导体资本支出破1000亿美元,存储器占53%

产业研究机构IC Insights预测，2018年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是史上首次资本支出上超过1000亿美元，同时较2017年的933亿美元成长了9%，比2016年成长了38%。其中超过一半的资本支出预计用于存储器—主要是DRAM和Flash，包括对现有晶圆厂产线和全新制造设备的升级。预计今年存储器投资将占到半导体资本支出的53%。储存设备的资本支出在六年内大幅增加，几乎翻了一倍，从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的产业资本支出总额的53%(540亿美元)，相当于2013~2018复合年成长率为30%。在主要产品类别中，预计DRAM/SRAM的支出增幅最大，但预计Flash占今年资本支出的最大比重。预计2018年DRAM/SRAM部门的资本支出将在2017年强劲成长82%后再度出现41%的成长。预计2017年快闪存储器的资本支出将在2017年成长91%后，2018年再成长13%。经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/SanDisk和XMC/长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND Flash容量(以及新的中国存储器新创公司进入市场)，IC Insights认为，未来3D NAND Flash市场供需过剩的风险正不断提升当中。
2018-09-06 00:00 阅读量：1692
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