中国“芯”绞痛难行，持久战才刚刚开启

Release time：2019-10-12
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source：与非网
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按照“黑暗森林”法则，芯片很可能只是开端，中国科技要做好“持久战”准备。

 

在1978年的全国科学大会上，邓小平的一席话掷地有声：“知识分子是工人阶级的一部分”。万物复苏，百废待兴，思想的问题解决了，知识分子的地位问题也解决了，接下来必然要抓紧时间追赶与国外的差距了。

 

1965年，中国研制出第一块芯片，比美国晚了7年。但因受到各种技术封锁、国外企业的有力竞争、生态支持不足，导致中美在芯片产业上的差距极大。中国是全球最大的集成电路市场，市场需求约占全球的62.8%，但中国仅在中低端芯片部分实现国产化。

 

中国“芯”绞痛难行，持久战才刚刚开启

 

去年中兴事件之前，鲜有人关心芯片，曾经滞后了20多年，现在在强国领先的基础上，再重新奋起直追确实是很难，到底是造船买船还是租船？

 

中兴表象上看是供应链出现风险。不过比起原材料断供，信息安全风险才是重中之重。只有一毛硬币大小的芯片中，包含着电子科技的万千世界，它承担着设备与信息的安全使命。例如关系到国计民生的国防类、军事类设备，只有使用自己研发的芯片才值得信任，才是自主可控的。

 

芯片设计需要一种关键的集成电路辅助软件，基本被美国Synophsys、Cadence这两家“小公司”垄断。还有我国高端电子材料产率明显不足，国外企业在硅晶圆、光罩、光刻胶、陶瓷板、焊线等多种重要材料上占据大多数市场份额，假如很小一家“隐形冠军”企业断供，就能让我国很长一段时间停工。

 

总结来说，我国芯片的事业面临着三大致命的障碍：钱少、人少、用不起来。

 

在超算领域我国可算是完成了一场华丽的逆袭，但在通用微处理器的这条道路上，我们还在挣扎着前行。在方舟项目失败的同时，另一个863支持的项目开始起步，这就是中科院主导研发的龙芯CPU。得益于技术路线的正确与年轻的科研人员的拼搏，仅一年时间龙芯一号即告成功，我国在此领域可以说是实现了从无到有的突破。

 

大国重器需要掌握在自己手里，在别人的地基上砌房子，再漂亮也经不起风雨。


 
一路跋山涉水，风雨兼程。我们一直努力，我们从未放弃。


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工信部：加快突破训练芯片、异构算力等关键技术！
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工信部：加快突破训练芯片、异构算力等关键技术！

　　1月21日上午10时，国务院新闻办公室举行新闻发布会，请工业和信息化部副部长张云明介绍2025年工业和信息化发展成效以及下一步部署。　　他表示，国内企业发布多款人工智能芯片产品，智能算力规模达1590EFLOPS，行业高质量数据集加速涌现，国内大模型引领全球开源生态。据有关机构测算，2025年我国人工智能企业数量超过6000家，核心产业规模预计突破1.2万亿元。目前，人工智能已渗透领航工厂70%以上的业务场景，沉淀了超6000个垂直领域模型，带动1700多项关键智能制造装备与工业软件规模化应用，形成一批具备感知、决策和执行能力的工业智能体，推动智能制造从“自动化”向“自主化”演进。　　近期，工信部联合7部门出台《“人工智能+制造”专项行动实施意见》，并配套制定了行业转型指引和企业应用指南。下一步，我们将以落实《实施意见》为抓手，加快推动人工智能产业高质量发展。抓好技术创新，加快突破训练芯片、异构算力等关键技术。抓好融合应用，聚焦软件编程、新材料研发、医药研发、信息通信等行业领域，体系化推动大小模型、智能体实现突破。抓好企业培育，激发涌现更多赋能应用服务商。抓好生态建设，加快制定行业急需标准，健全人工智能开源机制。抓好安全治理，强化算法安全防护、训练数据保护等攻关应用，提升企业伦理风险防范能力。
2026-01-26 17:52 reading：318
复旦大学研发出“纤维芯片”，攻克柔性电子核心瓶颈！
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复旦大学研发出“纤维芯片”，攻克柔性电子核心瓶颈！

　　据科技日报报道，智能设备的“柔性化”始终卡在一个关键瓶颈：作为“大脑”的芯片，长久以来都是硬质的。复旦大学彭慧胜/陈培宁团队成功在弹性高分子纤维内部，构建出大规模集成电路，研发出全新的“纤维芯片”，为解决“柔性化”难题提供了新的有效路径。这项成果于1月22日发表在国际期刊《自然》上。图为成卷的“纤维芯片”。复旦大学供图　　传统芯片的制造，主要是在平整稳定的硅片上构建高密度集成电路。而复旦团队的思路是“重构形态”——他们提出“多层旋叠架构”。“这好比把一张画满精密电路的平面图纸，螺旋式地嵌入一根细线中。”论文第一作者、博士生王臻如此比喻。该设计使纤维内部的空间得到极致利用，实现了一维受限尺寸内的高密度集成。“纤维芯片”虚拟现实应用示意图和实物图。复旦大学供图　　然而，在柔软、易变形的纤维中制造高精度电路，难度无异于在“软泥地”里盖高楼。为此，团队开发了与目前光刻工艺有效兼容的制备路线。他们首先采用等离子体刻蚀技术，将弹性高分子表面“打磨”至低于1纳米的粗糙度，有效满足商业光刻要求。随后，在弹性高分子表面沉积一层致密的聚对二甲苯膜层，为电路披上一层“柔性铠甲”。这层保护膜不仅可以有效抵御光刻中所用极性溶剂对弹性基底的侵蚀，还能缓冲电路层受到的应变，确保纤维芯片在反复弯折、拉伸变形后，电路层结构和性能依然稳定。　　相关制备方法可与目前成熟的芯片制造工艺有效兼容，为其从实验室走向规模化制备和应用奠定了坚实基础。　　该成果有望为纤维电子系统的集成提供新的路径，有望实现从“嵌入”到“织入”的转变，助力脑机接口、电子织物、虚拟现实等新兴领域的变革发展。
2026-01-22 16:38 reading：341
二十年困局被破解！西电团队攻克芯片散热难题
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二十年困局被破解！西电团队攻克芯片散热难题

　　近日，西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，成功解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题。相关成果已发表于国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。　　该研究的核心在于改善半导体材料层间的界面质量，特别是第三代半导体氮化镓与第四代半导体氧化镓之间的高效集成。　　传统方法采用氮化铝作为中间层，但其在生长过程中会自发形成粗糙、不规则的“岛屿”结构，这一自2014年诺贝尔奖相关成果以来始终未能根本解决的难题，严重制约了射频芯片功率的提升。　　研究团队通过创新性地在高能离子注入技术，使晶体成核层表面变得平整光滑，从而将界面的热阻降低至原先的三分之一，有效解决了高功率半导体芯片的共性散热问题。　　基于此项突破，团队研制出的氮化镓微波功率器件，其单位面积功率较当前市面上最先进的同类器件提升了30%至40%。　　据团队成员周弘教授介绍，这项技术意味着未来探测设备的探测距离将显著增加，通信基站则可实现更广的信号覆盖与更低的能耗。　　对于普通用户，该技术也有望逐步带来体验升级。周弘指出：“未来若在手机中应用此类芯片，在偏远地区的信号接收能力会更强，续航时间也可能延长。”团队目前正进一步研究将金刚石等超高热导材料应用于半导体，如能攻克相关技术，半导体器件的功率处理能力有望再提升一个数量级，达到当前水平的十倍甚至更高。　　这项突破不仅打破了长期存在的技术瓶颈，也为未来半导体器件向更高功率、更高效率发展奠定了关键基础。
2026-01-20 13:15 reading：351
我国芯片制造核心装备取得重要突破
行业新闻

我国芯片制造核心装备取得重要突破

　　近日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机(POWER-750H)成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。　　离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。　　长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快发展新质生产力提供强有力技术支撑。
2026-01-20 13:12 reading：322
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