存储器能否成为中国半导体的突破口？
内存和闪存这两大半导体产品一直以来都是韩国掌握话语权，国内内存厂商等近期也奋起直追，试图打破这一行业的格局。
存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占半导体总体市场的三分之一。
据统计，中国市场消耗了全球 DRAM 产值的 48%，消耗了全球 NAND Flash 产值的 35%，年进口总额高达 880 亿美元，对外依赖度超过 90%。 对中国厂商来说，中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在 120 亿至 200 亿美元，其中低容量 NAND 有 60 亿至 100 亿美元，NOR 约 30 亿美元，低容量 DRAM 约 70 亿美元。
随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始，再向高容量存储芯片迈进。 DRAM 及 3D NAND 闪存是中国市场需求量最大类芯片，因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片技术。
存储器业的特点是，它的设计并不难，如 NAND 闪存基本上有两种结构类型，一种是 Floating Gate 浮栅式结构，美光、英特尔采用，另一种是 Charge Trap 电荷捕获型结构，在 3D NAND 闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix 在内的闪存厂商普遍选择了 Charge Trap 结构。 在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。
DRAM 量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持，困难在于产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能否坚持下去。 在今年第二季度，在 DRAM 方面，三星市占 45%份额，Hynix（海力士）市占 29%份额，及在 NAND 闪存中，三星的市占 35%及 Hynix 的 18%，可见韩国仍然垄断全球存储器业。
而随着我国长关行业厂商宣布量产 DRAM 之后，这种格局有望被打破。
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