远超三星，台积电5nm 工艺良率已经达到 50%
随着高通骁龙 865 使用台积电 N7+工艺量产，台积电的 7nm 工艺又多了一个大客户，尽管三星也抢走了一部分 7nm EUV 订单，不过整体来看台积电在 7nm 节点上依然是抢占了最多的客户订单，远超三星。
接下来就是 5nm 工艺了，根据官方数据，相较于 7nm(第一代 DUV)，基于 Cortex A72 核心的全新 5nm 芯片能够提供 1.8 倍的逻辑密度、速度增快 15%，或者功耗降低 30%，同样制程的 SRAM 也十分优异且面积缩减。
最新消息称台积电的 5nm 工艺良率已经达到了 50%，比当初 7nm 工艺试产之前还要好，最快明年第一季度就能投入大规模量产，初期月产能 5 万片，随后将逐步增加到 7-8 万片。
不过初期 5nm 产能会被苹果、华为包下，苹果吃下了大约 70%的第一期 5nm 产能，AMD 的 Zen4 处理器要等到明年底或者 2021 年初的中科 Fab 18B 工厂量产之后才能拿到 5nm 产能了。
再往后，台积电就要进入深水区了，迎来晶体管结构大改的 3nm 工艺，三星会启用 GAE 环绕栅极晶体管取代目前的 FinFET 晶体管，台积电预计也会有类似的技术，不过官方并没有透露详细的技术细节。
对于 3nm 工艺，台积电官方表示其进展“令人欣慰”，言下之意对 3nm 工艺的发展情况很满意。
在 3nm 工艺之后，台积电也在积极进军 2nm 节点，这个工艺目前来说还是在技术规划阶段，还是在开发阶段，台积电只表示 2nm 工艺每天都有新点子问世，不过这也意味着 2nm 工艺离完成研发还早，现在还是纸上谈兵阶段。
不过台积电的目标是 2024 年量产 2nm 工艺，也就是最多还有 4 年左右的时间。
再往后，台积电就要进入深水区了，迎来晶体管结构大改的 3nm 工艺，三星会启用 GAE 环绕栅极晶体管取代目前的 FinFET 晶体管，台积电预计也会有类似的技术，不过官方并没有透露详细的技术细节。
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