美参议员横插一杠，台积电赴美设厂或生变数？

Release time：2020-05-26
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source：国际电子商情
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美国参议院少数党领袖Chuck Schumer与两位民主党参议员日前发表指名给美国商务部长Wilbur Ross与国防部长Mark Esper的公开信，呼吁美国政府停止规划中的台积电(TSMC)亚利桑那州5nm晶圆厂计划；此最新发展如先前所预期，为这家晶圆代工产业龙头难甩政治阴霾的现况提供了进一步例证。

在公开信中，参议员们要求两位特朗普政府内阁成员，中止关于此案的任何协商或讨论，需要对国会进行简报，并取得相关委员会的授权与拨款，才能进行资金补助、赋税优惠或是其他激励措施。而根据了解联系的多方消息来源指出，台积电的美国新晶圆厂专案背后有多重政治因素推动，包括选址亚利桑那，也是作为特朗普力挺自家共和党同志的执政州的举措之一。

台积电前法务长Dick Thurston在接受专访时也表示，“亚利桑那是共和党执政州中少数仅存的‘摇钱树’，”但他也表示，选择亚利桑那州“并不一定符合台积电的最佳利益。”美国现任总统特朗普正在寻求连任，若能为美国带来更多从海外回流的工作机会，当然有助于他争取连任之路。半导体产业发源自美国，却在过去数十年来转移重心往亚洲如韩国、日本与中国台湾地区的发展；而特朗普试图减缓中国大陆在5G通讯设备生产上的进步，也是着眼于保护美国本土产业与制造生产线工作机会的举措之一。

上述几位美国参议员在公开信中，还对于美国商务部与国防部与台积电针对建厂事宜进行的协商表示疑虑，指出此案可能涉及对美国联邦政府提供的补贴；此外信中也指出，“我们对于此案如何考量到国家安全需求，以及如何与建立多元化美国半导体制造供应链的更广泛策略保持一致，提出严正质疑。”

参议员在信中表示，虽然根据报导，美国国防部与Intel已经在针对强化美国本土半导体制造能力进行单独讨论，但一个完整的计划应该还包括与其他美国业者包括Micron、GlobalFoundries、Cree等公司的合作。参议员认为，美国国防部与商务部为提升美国本土半导体制造能力所付出的努力，应该要集中在一个经过协调的计划里，并与更广泛的芯片产业界合作，包括那些已经在美国市场建立业务并通过严苛安全检查程序的公司。

此外参议员并强调，美国纳税人的投资应该运用在符合美国安全需求的公司上，特别是有关于“他国积极窃取的敏感技术。而若缺少保障措施，就无法实现在美国本土建立安全制造能力的目标。”半导体供应链的安全性对美国国家安全至关重要，而确保美国政府所采购的芯片没有安全风险更是巨大挑战；参议员在信中表示，半导体市场的中断或是对美国军事、情报等政府机关使用的设备安全性丧失信心，会带来毁灭性的影响。

参议员们也在信中表示，像是台积电新厂这类一次性的投资，并不足以重建对美国国家安全与经济安全至关重要的半导体制造能力。但令人遗憾的是，没有明显证据显示特朗普政府已经拥有了全面性、完整的计划以实现上述目标。他们呼吁特朗普政府在采取进一步行动之前，需要澄清与台积电之间的协商究竟采用了何种安全标准考量。


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台积电南京厂，获美国年度许可！
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台积电南京厂，获美国年度许可！

　　据新加坡《联合早报》网站1月1日报道，台积电表示宣布，该公司已获得美国政府发放年度许可证，在2026年向位于中国大陆的南京工厂输出芯片制造设备。　　台积电在发给路透社的一份声明中表示，此项许可“确保晶圆运营业务和产品交付不受干扰”。　　韩国三星电子与SK 海力士两家企业，也已经获得同类进口许可。　　报道称，三星电子、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策，即“经验证最终用户(VEU)”制度。被列入“VEU”清单的企业，可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术)，无须再单独申请出口许可证。　　不过，上述政策有效期截至去年12月31日，意味着从今年起向中国输出美产芯片制造设备仍需申请出口许可证。　　台积电在声明中进一步指出：“美国商务部已向南京厂区核发年度出口许可，获准输往该厂区的美国出口管制物项，无需供应商单独申请许可。”　　声明同时重申，该许可将“保障厂区生产运营与产品交付不受中断”。　　据悉，台积电南京工厂专注于16纳米及其他成熟制程芯片的生产，并非该公司的尖端半导体产品。除南京外，台积电在上海亦设有一座晶圆制造工厂。据其 2024年度报告披露，南京厂区贡献的营收约占公司总营收的 2.4%。
2026-01-04 16:12 reading：377
台积电官宣：2nm量产！
行业新闻

台积电官宣：2nm量产！

　　据台积电官网，台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。　　台积电表示，N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略，进一步扩大台积公司的技术领先优势。　　从性能提升维度来看，相较于前代N3E工艺，N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片，实现了三大核心突破：同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片，其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。　　*注：台积电公布的芯片密度数据，基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。　　**注：性能提升为同等运行速度下的对比数据。　　***注：功耗降低为同等性能输出下的对比数据。　　值得关注的是，N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中，栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道，不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率，还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积，最终实现晶体管密度的大幅提升。　　此外，N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上，同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%，有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。
2025-12-30 16:43 reading：447
突发！美国撤销台积电南京厂授权！
行业新闻

突发！美国撤销台积电南京厂授权！

　　当地时间9月2日，据彭博社报道，美国商务部工业与安全局(BIS)已撤销台积电南京厂的“经验证最终用户”(VEU)授权，意味着该厂未来将无法再“自由运送”受美方出口管制覆盖的关键设备与物资。　　台积电在声明中表示：“我们已收到美国政府通知，台积电南京厂的VEU授权将自2025年12月31日起正式撤销。我们正在评估情况并采取适当措施，包括与美国政府沟通，但我们仍将全力确保南京厂的持续运作不受影响。”。　　VEU授权被撤后，台积电向南京厂供货的上游供应商需就受控货品逐单申请美国许可证，原先的一揽子许可被改为个案审批，带来审批周期与排队不确定性。彭博社称美国主管部门正寻求降低行政负担，但既有许可积压较多，短期难以消除“时间成本”与运营波动。美国商务部工业与安全局(BIS)对此未立即置评。　　从经营权重看，台积电在中国大陆的制造占比相对有限;南京厂2018年投产，去年仅贡献台积电总营收的一小部分，最先进量产制程为16nm(属较早商用世代)。即便如此，该厂维持正常运行仍需持续进口设备、备件与化学品，任何许可延宕都会传导至维护、良率与产能保障。　　当地时间8月29日，美国商务部工业与安全局(BIS)发布最终规则，宣布撤销三家在华半导体企业的VEU授权。这三家公司分别是英特尔半导体(大连)有限公司、三星中国半导体有限公司，以及SK海力士半导体(中国)有限公司。根据规则，相关变更将在公告发布120天后生效。BIS估计每年新增约1000份许可审批工作量。　　与此不同的是，台积电的VEU授权从未在《联邦公报》上公开发布，因此BIS无需像对待其他公司那样进行修订。但总体效果是相同的：一旦VEU撤销生效，向台积电、三星及SK海力士在华工厂供货的厂商都必须主动向美方申请出口许可证，涉及范围涵盖先进制造设备、备件乃至生产过程中消耗的化学品。　　撤销VEU授权，本质上就是把原本“一次性放行”的模式，改成了“逐单审批”。过去台积电南京厂能较为顺畅地进口设备和耗材，如今则需要一项一项申请许可证。这意味着备件更换、设备维修或化学品补给的过程都可能被拖慢，厂区运营面临新的不确定性，哪怕生产节点并非最新最先进。　　从政策角度看，美国意在通过更严的流程来收紧供应，而不是立刻切断供给。这样一来，美方可以保持对供应链的“节奏控制”：需要时放行，必要时收紧。对台积电南京厂而言，挑战在于如何减少这些不确定性对生产的冲击——比如提前备货、增加替代物料、优化申请节奏、与供应商和美方保持紧密沟通。换句话说，这不是“能不能生产”的问题，而是“生产过程还能不能像以前一样稳定高效”的问题。
2025-09-03 13:48 reading：1043
台积电1.4nm提前启动！
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台积电1.4nm提前启动！

　　8月29日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电中科1.4nm先进制程晶圆厂已经准备建设。　　中科管理局27日表示，二期园区扩建水保相关公共工程将赶在9月底前完成，供应链传出，台积电中科新厂预计10月动工，初估总投资金额将达新台币1.2万亿至1.5万亿元(约392亿至490亿美元)　　目前已知，包括营造、水泥、厂务工程等相关厂商都已陆续接获通知，台积电中科先进制程建厂工程将在近日招标，随后发包动工，相关作业正如火如荼展开。　　环境部昨日召开环评大会，审查通过新竹科学园区宝山二期环境影响差异分析报告，此案攸关台积电2nm厂，主因再生水建设不如预期，台积电须调整使用再生水期程。　　竹科与台积电承诺会加强购买海水淡化厂生产的水、不影响新竹地区民生用水，同时竹科也会跨部会协商推动其他再生水，且每两年滚动检讨除生活用水，仍会达到100%使用再生水的终极目标，最终顺利通过环评大会。　　台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时，1.4纳米制程主要生产据点，即为原兴农球场的台中F25厂，拟规划设立四座厂房，首座厂预计赶在2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5,000亿元(1169亿人民币)。　　供应链进一步指出，中科厂2028年量产的应该是第一期二座1.4纳米制程厂房，后续第二期二座厂，不排除将推进至A10(1纳米)制程。另一方面，台积电在1.4纳米制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4纳米所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　另一方面，台积电在1.4nm制程推进获得重大突破，稍早已通知供应商备妥1.4nm所需设备，预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。　　据了解，台积电原订采用2nm制程的宝山晶圆20厂，其中二厂将改为1.4nm制程与研发线，三厂为1nm制程与研发线、四厂不排除为0.7nm制程与研发线。而中科初步规划四座厂房，第一期两座厂为1.4nm制程，第二期二座厂不排除为1nm制程。　　此外，南科管理局目前正筹备开发台南沙仑园区，预计2027年第3季交地给厂商建厂，届时将争取台积电进驻园区投资建厂。据了解，台积电已规划在此投资兴建1nm先进制程基地，以目前土地面积达500公顷来看，初估可兴建10座晶圆厂。　　英特尔稍早透露，可能下一代A14(1.4nm)制程将与客户合作，专为代工研发，若届时仍无客户，将可能会放弃继续开发尖端制程代工工艺。三星则将1.4nm制程量产时间，从2027年延后至2029年，专注在提高2nm良率。业界分析，此举将促成台积电加速1.4nm制程布局，以确保市场独占性。
2025-08-29 13:43 reading：680
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