纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

发布时间：2022-06-23 13:36
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3094

    NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

    可广泛应用于

    光伏、储能等新能源领域

    空调压缩机、工业电机驱动

    高效高密度工业、通信、服务器电源

    半桥、全桥、LLC电源拓扑

    如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

    NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装形式。

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

NSD1624功能框图

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

NSD1624简化应用电路

    解决高压、高频系统中

    SW pin负压和高dv/dt的痛点

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

图一：半桥驱动IC典型应用电路图示

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

图二：Q1、Q2管子开关过程中，SW产生震荡和负压

    上图一所示是半桥驱动IC非常典型的应用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动IC SW pin 耐负压能力比较低，就会导致IC损坏。

    SW pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。

    SW 的电压 Usw=-Lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在SW上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即Lss 值越大，则SW产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动IC。

    此外，开关频率越大，SW产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动IC dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动IC内部逻辑错误，可能会使得驱动IC的HO 和 LO同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。

    纳芯微创新地将隔离技术方案应用于NSD1624 高压半桥IC中，很好解决了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得NSD1624 SW pin 电压能够承受高达±1200V，可以承受非常高的负压；同时dV/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 NSD1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。

纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：Nidec尼得科D1225C12B4AZ-00直流轴流风扇

下一篇：浅析PCB射频电路四大基础特性

在线留言询价

相关阅读
纳芯微参与车身域控制器测试方法团体标准审定，助力汽车电子行业技术创新
行业新闻

纳芯微参与车身域控制器测试方法团体标准审定，助力汽车电子行业技术创新

　　近期，根据《团体标准管理规定》的相关要求，深圳自动化学会组织召开了《车身域控制器场效应管负载能力试验方法(送审稿)》、《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程(送审稿)》两项团体标准审定会。比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)等12家起草单位共23位代表参加审定会议，审查组一致同意两项团体标准通过审定。　　在现代汽车制造领域，随着智能化和电气化技术的不断进步，汽车内部的功能系统变得越来越复杂，因此引入了域控制(Domain)架构，将汽车功能划分为动力域、底盘域、车身域、座舱域和自动驾驶域，各由专门的域控制器(Domain Controller)管理。然而，这种划分导致车身布线复杂，随着汽车电子部件数量增加，往往由于缺乏统一标准而导致兼容性问题，对系统可靠性带来了不少挑战。　　为解决这些问题，推动国产汽车行业发展，制定相关控制系统标准尤为重要。11月5日，纳芯微作为起草单位之一，参与了由深圳自动化学会组织的《车身域控制器场效应管负载能力试验方法(送审稿)》和《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程(送审稿)》两项团体标准的审定会议。此次会议严格遵循《团体标准管理规定》的相关要求，旨在推动汽车行业的技术标准化与创新发展。　　本次团体标准审定会汇聚了来自学术界与产业界的权威专家，包括深圳市鹏城技师学院先进制造学院原院长、高级工程师李云峰，哈尔滨工业大学(深圳)机电工程与自动化学院执行院长楼云江教授，澳门科技大学工程科学系主任、澳门系统工程研究所伍乃骐教授(IEEE Fellow)等多位知名学者与行业领袖。会议由李云峰担任专家审查组组长，深圳自动化学会秘书长贺艳萍主持。　　纳芯微参与了此次线上与线下结合的审定会议。《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》旨在通过科学有效的测试方法，确保车身域控制器中的场效应管能够稳定承受实际工作负载，提升汽车控制系统的可靠性。《车身域控制器通用功率驱动装置测试规程》则致力于规范功率驱动装置的设计与性能评估，推动产品质量提升及技术创新。　　专家组认为：经过对两项团体标准的逐条讨论与细致审查，起草单位提交的标准文档资料齐全，编制过程规范，技术定位准确，框架合理，内容完整且具有可操作性。审查组一致同意两项团体标准通过审定，并建议起草单位根据审定意见进行进一步修改完善，以尽快形成标准报批稿上报并发布实施。　　作为汽车芯片标准体系建设研究工作单位之一，纳芯微也积极参与《汽车芯片环境及可靠性通用规范》、《电动汽车用功率驱动芯片技术要求及试验方法》、《汽车LIN收发器芯片技术要求及试验方法》等多项国家标准、行业标准的起草和修订，与行业伙伴共同推动汽车电子等行业的质量提升和技术创新。纳芯微致力于成为汽车产业首选的供应链合作伙伴，以系统级理解、整体解决方案、多年车规芯片量产经验和稳定的质量表现，助力汽车客户提升差异化竞争力，共赢市场机遇，共赴绿色可持续的电动化未来。
2024-11-21 13:44 阅读量：184
纳芯微联合芯弦推出NS800RT系列实时控制MCU
行业新闻

纳芯微联合芯弦推出NS800RT系列实时控制MCU

　　纳芯微今日宣布联合芯弦半导体(ChipSine)，推出NS800RT系列实时控制MCU。该系列MCU凭借更加高效、功能更强大的实时控制能力和丰富的外设，使工程师能够在光伏/储能逆变器、不间断电源、工业自动化、协作机器人、新能源汽车大/小三电、空调压缩机等系统中，实现皮秒(万亿分之一秒)级别的PWM控制，从而显著提升系统运行精度和效率。　　NS800RT系列实时控制MCU的首发型号包括NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025，分别采用单颗主频为260MHz和200MHz的Arm Cortex-M7内核，支持分支预测、DSP指令集和FPU。NS800RT系列还配备了256KB SRAM，32KB高速缓存(I-Cache, D-Cache)和最高256KB的超大紧耦合内存(ITCM, DTCM)，通过更快的读写速度，显著提升了内核综合处理性能。该系列器件符合车规AEC-Q100认证标准，支持汽车ISO26262 ASIL B与工业IEC61508 SIL2等级的功能安全，并且内设AES-128/256和TRNG算法，进一步提升了信息安全。　　集成数学加速核，显著提升DSP性能　　除了搭载Arm Cortex-M7内核外，NS800RT系列的一大亮点是额外集成了一个支持浮点运算的硬件数学加速核(eMath)，相比通用Arm Cortex-M7的数学运算能力，在三角函数、开方、指数、对数、傅里叶变换(FFT)、矩阵运算、FIR滤波等数字信号处理运算中有大幅算力提升。　　丰富的外设支持，实现超高精度PWM控制　　NS800RT系列实时控制MCU集成了丰富的外设，包括16对互补/32路独立PWM输出，其中高精度HRPWM有16路;3个12位ADC，采样速率高达5MSPS，INL和DNL低至±1.5LSB，支持高达34个采样通道;2个12位DAC，采样速率1MSPS，INL低至±1.5LSB;7对(14个)高速模拟比较器CMPSS，带DAC与斜波发生器;3路放大倍数可编程的差分输入运放(PGA);8个Sigma-Delta滤波器模块(SDFM)输入通道;以及两个全温度范围内精度可达±1%的高精度时钟。　　在一系列高精度外设的加持下，NS800RT系列可实现100皮秒的高精度PWM控制，从而支持各种对高效率、高细分、高控制精度应用的需求，更加适配基于SiC和GaN功率器件打造的数字电源和电机控制系统。　　完善的技术资源，加速用户上手和开发　　纳芯微和芯弦联合推出了一系列技术资源和开发套件，以帮助用户快速上手并进行系统开发，包括全面的SDK开发套件;支持KEIL，IAR，GCC/Eclipse的IDE工具链;系统评估板等各种软硬件支持。相关技术资料可联系邮箱sales@novosns.com获取。　　NS800RT系列实时控制MCU选型　　NS800RT系列实时控制MCU首发型号NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025分别提供工规和满足AEC-Q100 Grade 1认证的车规版本，具体选型如下。
2024-11-21 11:57 阅读量：285
纳芯微CAN收发器NCA1044-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证
行业新闻

纳芯微CAN收发器NCA1044-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证

　　近日，纳芯微宣布其新推出的汽车级CAN收发器芯片NCA1044-Q1获得欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau出具的EMC认证测试报告。　　NCA1044-Q1成功通过所有测试项，成为国内首颗全面通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC测试的CAN收发器芯片。纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。　　CAN收发器芯片常用于汽车中的CAN总线网络，通常用于控制，诊断等关键功能，如三电、制动、转向、安全气囊等。这种环境中存在多种电磁干扰源，如电动车三电系统、发动机、变频器、无线通信设备等。这些干扰会对数据传输产生不良影响，从而导致信号传输错误或系统故障，甚至有可能影响整个系统的安全性。　　此外，由于汽车系统中CAN总线布线长，CAN收发器的噪声容易以CAN总线作为天线对外产生辐射，从而导致模块或整机对外辐射发射(Radiated Emission)和传导发射(Conducted Emission)性能超出整车要求，因此，具备良好EMC(Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性)性能的CAN收发器芯片是实现系统可靠性的重要保障。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证　　鉴于CAN收发器芯片的EMC性能对汽车行驶安全的关键作用，各地区制定了严格的汽车电子电磁兼容性标准和认证流程，并要求汽车制造商遵循。例如，美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲的IBEE/FTZ-Zwickau认证都对汽车电子的EMC性能提出了明确要求。　　其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC62228-3标准进行，IEC62228-3相较于SAE J2962标准，排除了系统外围电路的影响，更聚焦CAN收发器本身的EMC特性，且要求等级更高，在除欧洲以外的车企中也得到了广泛参考应用。　　IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1044-Q1全部通过。　　业界领先的抗干扰特性　　NCA1044-Q1通过巧妙的电路设计，解决了其输出电路受到异常高压干扰，导致输出信号出现误码的问题，从而提高了EMC性能，可帮助客户显著降低EMC设计难度，简化外围器件并降低成本。　　此外，NCA1044-Q1还具备行业领先的抗干扰特性。根据IEC62228-3标准，当外部不同频段的射频噪声耦合到CAN总线时，可通过的功率越高，说明CAN收发器的抗干扰能力越强，在系统中出现误码的风险也就越低。　　纳芯微NCA1044-Q1即使在总线不需要共模电感滤波的情况下，仍可以通过标准要求的最高功率(如图-1和表-2，应用层面一般不做要求，但纳芯微NCA1044-Q1依旧通过该项测试)，可帮助用户减少系统外围电路，降低成本，提升系统鲁棒性。　　封装和选型　　NCA1044-Q1现已量产，提供SOP8和DFN8两种封装。NCA1044-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，提供过温保护;NCA1044-Q1支持TXD显性超时保护，待机模式下支持远程唤醒。
2024-11-20 11:18 阅读量：183
纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A
行业新闻

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。　　纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。　　图1：纳芯微CSP封装MOSFET产品优势　　便携式锂电设备对于充放电保护的要求：　　高强度，小体积　　智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。　　图2：CSP封装MOSFET典型应用场景　　技术特点　　专有的CSP封装技术　　传统CSP封装结构为了降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，从而降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。　　纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N)，更高的机械强度，可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。　　图3：纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比　　高抗短路和雪崩的能力　　作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品，纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力：短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。　　纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表
2024-09-27 11:24 阅读量：513
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。