衰减器是一种电子元器件,电子专业的朋友对衰减器应该都有所耳闻。为增进大家对衰减器的认识,接下来Ameya360电子元器件采购网将对衰减器的分类,以及衰减器的相关参数予以介绍。
一、衰减器分类
1.位移型光衰减器
当两段光纤进行连接时,必须达到相当高的对中精度,才能使光信号以较小的损耗传输过去。反过来,如果将光纤的对中精度做适当的调整,就可以控制其衰减量。位移型光衰减器就是根据这个原理,有意让光纤在对接时,发生一定的错位。使光能量损失一些,从而达到控制衰减量的目的,位移型光衰减器又分为两种:横向位移型光衰减器、轴向位移型光衰减器。
横向位移型光衰减器是一种比较传统的方法,由于横向位移参数的数量级均在微米级,所以一般不用来制作可变衰减器,仅用于固定衰减器的制作中,并采用熔接或粘接法,到目前仍有较大的市场,其优点在于回波损耗高,一般都大于60dB。轴向位移型光衰减器在工艺设计上只要用机械的方法将两根光纤拉开一定距离进行对中,就可实现衰减的目的。这种原理主要用于固定光衰减器和一些小型可变光衰减器的制作。
2.薄膜型光衰减器
这种衰减器利用光在金属薄膜表面的反射光强与薄膜厚度有关的原理制成。如果玻璃衬底上蒸镀的金属薄膜的厚度固定,就制成固定光衰减器。如果在光纤中斜向插入蒸镀有不同厚度的一系列圆盘型金属薄腊的玻璃衬底,使光路中插入不同厚度的金属薄膜,就能改变反射光的强度,即可得到不同的衰减量,制成可变衰减器。
3.衰减片型光衰减器
衰减片型光衰减器直接将具有吸收特性的衰减片固定在光纤的端面上或光路中,达到衰减光信号的目的,这种方法不仅可以用来制作固定光衰减器,也可用来制作可变光衰减器。
二、衰减器相关参数
1)衰减: 用于描述传输过程中从一端到另一端的信号减少的量值。可用倍数或分贝数来表达。
2)VSWR: 等于特性阻抗与连接在传输线输出端的负载阻抗的比值。
3)最大平均功率: 在衰减器输出端接特性阻抗时,在指定的最高工作温度上可长期加到衰减器输入端的最大功率。当工作温度降至20?C,输入功率降到10mW时,衰减器的其它指标不应该发生变化。
4)插入损耗的功率系数: 当输入功率从10mW到额定功率时,插入损耗的变化值(dB)。
5)最大峰值功率: 在衰减器输出端接特性阻抗时,在指定的最高工作温度上,在指定的时间内,加到衰减器输入端的5ms脉冲宽度最大峰值功率。当工作温度降至20?C,输入功率降到10mW时,衰减器的其它指标不应该发生变化。
6)温度系数: 在最大工作温度范围内插入损耗的最大变化,用dB/?C表示。
7)冲击和振动: 衰减器必须承受三个方向的冲击和振动试验。
8)插入损耗的频率响应: 在20?C时,整个频率范围内损耗值的变化量(dB)。
9)工作温度上限: 衰减器工作在最大输入功率时的最高温度(?C)。
10)标称插入损耗的偏差:在20?C,输入功率10mW时测得的插入损耗和标称值的偏差。
11)接头寿命: 正常连接/断开的次数;在规定的寿命内所有的电气和机械指标应该满足指标要求。
12)互调失真:互调失真由杂散信号组成,它是由于器件中的非线性因素而产生的。尤其需要关注的是三阶互调失真,因为三阶互调产物最大而且不可被滤除。三阶互调电平的测试方法是将二个等幅的纯净信号(f1和f2)注入到被测器件中,三阶互调将出现在输出频谱的2f1-f2和2f2-f1处。三阶互调产物由相对于f1或f2的大小来定义,由-dBc来表示。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注