芯片制造工艺流程 芯片制造的6个关键步骤

Release time:2022-08-08
author:Ameya360
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    在智能手机等众多数码产品的更新迭代中,科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被制造出来的,其中又有哪些关键步骤呢?

芯片制造工艺流程 芯片制造的6个关键步骤

    智能手机、个人电脑、游戏机这类现代数码产品的强大性能已无需赘言,而这些强大的性能大多源自于那些非常小却又足够复杂的科技产物——芯片。世界已被芯片所包围:2020年,全世界共生产了超过一万亿芯片,这相当于地球上每人拥有并使用130颗芯片。然而即使如此,近期的芯片短缺依然表现出,这个数字还未达到上限。

    尽管芯片已经可以被如此大规模地生产出来,生产芯片却并非易事。制造芯片的过程十分复杂,今天我们将会介绍六个最为关键的步骤:沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。

    一、沉积

    沉积步骤从晶圆开始,晶圆是从99.99%的纯硅圆柱体(也叫“硅锭”)上切下来的,并被打磨得极为光滑,然后再根据结构需求将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到晶圆上,以便能在上面印制第一层。这一重要步骤通常被称为 "沉积"。

    随着芯片变得越来越小,在晶圆上印制图案变得更加复杂。沉积、刻蚀和光刻技术的进步是让芯片不断变小,从而推动摩尔定律不断延续的关键。这包括使用新的材料让沉积过程变得更为精准的创新技术。

    二、光刻胶涂覆

    晶圆随后会被涂覆光敏材料“光刻胶”(也叫“光阻”)。光刻胶也分为两种——“正性光刻胶”和“负性光刻胶”。

    正性和负性光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶,暴露在紫外线下的区域会改变结构,变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反,受光照射的区域会聚合,这会使其变得更难溶解。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多,因其可以达到更高的分辨率,从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。

    三、光刻

    光刻在芯片制造过程中至关重要,因为它决定了芯片上的晶体管可以做到多小。在这个阶段,晶圆会被放入光刻机中,被暴露在深紫外光(DUV)下。很多时候他们的精细程度比沙粒还要小几千倍。

    光线会通过“掩模版”投射到晶圆上,光刻机的光学系统(DUV系统的透镜)将掩模版上设计好的电路图案缩小并聚焦到晶圆上的光刻胶。如之前介绍的那样,当光线照射到光刻胶上时,会产生化学变化,将掩模版上的图案印制到光刻胶涂层上。

    使曝光的图案完全正确是一项棘手的任务,粒子干扰、折射和其他物理或化学缺陷都有可能在这一过程中发生。这就是为什么有时候我们需要通过特地修正掩模版上的图案来优化最终的曝光图案,让印制出来的图案成为我们所需要的样子。我们的系统通过“计算光刻”将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合,从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计,但这正是我们想要达到的,因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。

    四、刻蚀

    下一步是去除退化的光刻胶,以显示出预期的图案。在"刻蚀"过程中,晶圆被烘烤和显影,一些光刻胶被洗掉,从而显示出一个开放通道的3D图案。刻蚀工艺必须在不影响芯片结构的整体完整性和稳定性的情况下,精准且一致地形成导电特征。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。

    和光刻胶一样,刻蚀也分为“干式”和“湿式”两种。干式刻蚀使用气体来确定晶圆上的暴露图案。湿式刻蚀通过化学方法来清洗晶圆。

    一个芯片有几十层,因此必须仔细控制刻蚀,以免损坏多层芯片结构的底层。如果蚀刻的目的是在结构中创建一个空腔,那就需要确保空腔的深度完全正确。一些高达175层的芯片设计,如3D NAND,刻蚀步骤就显得格外重要和困难。

    五、离子注入

    一旦图案被刻蚀在晶圆上,晶圆会受到正离子或负离子的轰击,以调整部分图案的导电特性。作为晶圆的材料,原料硅不是完美的绝缘体,也不是完美的导体。硅的导电性能介于两者之间。

    将带电离子引导到硅晶体中,让电的流动可以被控制,从而创造出芯片基本构件的电子开关——晶体管,这就是 "离子化",也被称为 "离子注入"。在该层被离子化后,剩余的用于保护不被刻蚀区域的光刻胶将被移除。

    六、封装

    在一块晶圆上制造出芯片需要经过上千道工序,从设计到生产需要三个多月的时间。为了把芯片从晶圆上取出来,要用金刚石锯将其切成单个芯片。这些被称为“裸晶”的芯片是从12英寸的晶圆上分割出来的,12英寸晶圆是半导体制造中最常用的尺寸,由于芯片的尺寸各不相同,有的晶圆可以包含数千个芯片,而有的只包含几十个。

    这些裸晶随后会被放置在“基板”上——这种基板使用金属箔将裸晶的输入和输出信号引导到系统的其他部分。然后我们会为它盖上具有“均热片”的盖子,均热片是一种小的扁平状金属保护容器,里面装有冷却液,确保芯片可以在运行中保持冷却。

    现在,芯片已经成为你的智能手机、电视、平板电脑以及其他电子产品的一部分了。它可能只有拇指大小,但一个芯片可以包含数十亿个晶体管。例如,苹果的A15仿生芯片包含了150亿个晶体管,每秒可执行15.8万亿次操作。

    当然,半导体制造涉及到的步骤远不止这些,芯片还要经过量测检验、电镀、测试等更多环节,每块芯片在成为电子设备的一部分之前都要经过数百次这样的过程。

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全面掌握芯片散热设计基本概念
  一般用符号θ来表示热阻。热阻的单位为℃/W。除非另有说明,热阻指热量在从热IC结点传导至环境空气时遇到的阻力。也可更具体地表示为θJA,即结至环境热阻。θJC和θCA是θ的两种其他形式,详见下文。  一般地,热阻θ等于100℃/W的器件在1W功耗下将表现出100℃的温差,该值在两个参照点之间测得。请注意,这是一种线性关系,因此,在该器件中,1 W的功耗将产生100℃的温差。再者对于热阻θ=95℃/W,因此,1.3 W的功耗将产生大约124℃结至环境温差。当然,预测内部温度时使用的正是这种温度的上升,其目的是判断设计的热可靠性。当环境温度为25°C时,允许约150℃的内部结温。实际上,多数环境温度都在25℃以上,因此,可以处理的功耗会稍低。  对于任意功耗P(单位:W),都可以用以下等式来计算有效温差(ΔT)(单位:℃):  ΔT = P ×θ  其中,θ为总适用热阻。下图总结了一些基本的热关系。       请注意,串行热阻(如右侧的两个热阻)模拟的是一个器件可能遇到的总热阻路径。因此,在计算时,总θ为两个热阻之和,即θJA = θJC + θCA。给定环境温度TA、P和θ,即可算出TJ。根据图中所示关系,要维持一个低的TJ,必须使θ或功耗(或者二者同时)较低。低ΔT是延长半导体寿命的关键,因为,低ΔT可以降低最大结温。  在IC中,一个温度参照点始终是器件的一个节点,即工作于给定封装中的芯片内部最热的点。其他相关参照点为TC(器件)或TA(周围空气)。结果又引出了前面提到的各个热阻,即θJC和θJA。  先来看看最简单的情况,θJA为在给定器件的结与环境空气之间测得的热阻。该热阻通常适用于小型、功耗相对较低的IC(如运算放大器),其功耗往往为1W或以下。一般而言,对于8引脚DIP塑封或者更优秀的SOIC封装,运算放大器以及其他小型器件的典型θJA值处于90-100°C/W水平。  需要明确的是,这些热阻在很大程度上取决于封装,因为不同的材料拥有不同水平的导热性。一般而言,导体的热阻类似于电阻,铜最好,其次是铝、钢等。因此,铜引脚架构封装具有最高的性能,即最低的θ。
2025-04-18 17:26 reading:260
芯片回暖信号,这类芯片需求逐渐复苏!
  中国微控制器单元 (MCU) 公司已经注意到需求复苏,并对 2024 年全年销售业绩表示乐观。几家中国大陆 MCU 公司报告称,2024 年第三季度销售额有所增长,这得益于市场补贴刺激了消费市场的替代需求。兆易创新表示,2024 年出货量创纪录的潜力巨大。  多家MCU供应商,销售额增长超30%  经过长时间的库存调整,兆易创新报告称其MCU 业务在 2023 年底达到最低点,此后每个季度的出货量都在稳步上升。尽管许多其他 MCU 供应商在第三季度之前对中国市场在 2024 年的复苏仍持谨慎态度,但最近的市场补贴已成功刺激需求,许多中国大陆 MCU 供应商报告第三季度销售额同比增长超过 30%。  兆易创新2024年第三季度销售额达20.4亿元人民币,同比增长42.83%。归母净利润达3.15亿元人民币,同比增长222.5%。该公司将此增长归因于工业和计算存储市场的有效库存调整。  据业内人士透露,2024年下半年中国市场对MCU的需求有所增强。尽管整体工业市场正在回调,但兆易创新推出的GD32G5系列MCU瞄准了DSMPS、充电桩、储能逆变器、服务器、光通信等工业应用的供应链。GD32G5系列计划于2024年12月开始量产。  MCU市场显著改善,库存天数有所缩短  复旦微电子公布2024年第三季度销售额为8.9亿元人民币,同比下降5.55%。归母净利润达到7900万元人民币,同比下降60.6%。该公司的产品组合包括安全和识别芯片、非易失性存储器、智能电表MCU芯片和FPGA。  复旦微承认其四条产品线的竞争十分激烈。由于消费电子市场复苏缓慢,该公司已调整了部分安全、识别芯片和内存产品的价格。复旦微的 MCU 主要服务于智能电表应用,但该公司已将通用 MCU 的销售额在 2024 年提高到 30%,并积极拓展家用电器和汽车市场。该公司指出,通用 MCU 的毛利率因应用而异,但已接近与智能电表 MCU 相当的水平。  乐鑫科技专注于物联网 (IoT) 应用的 Wi-Fi MCU,2024 年第三季度销售额达 5.4亿元人民币,同比增长 49.96%。归母净利润达 9900 万元人民币,同比增长 340.17%。乐鑫科技的主要收入来源是智能家用电器和消费电子产品,在新客户的额外订单的支持下,乐鑫预计 2024 年全年销售额将增长 30%~35%。  尽管中国各大 MCU 供应商在 2024 年第三季度的销售业绩各不相同,但大家一致认为,2024 年下半年的 MCU 市场与上半年相比有显著改善,尽管各个细分市场的复苏率有所不同。大多数供应商报告称库存天数较上一季度有所缩短。业内消息人士表示,中国大陆MCU 制造商对市场透明度的乐观程度普遍高于中国台湾同行。  中国台湾MCU企业对 4Q24 前景持谨慎态度  据业内人士称,中国台湾 MCU 公司普遍对 2024 年第四季度的销售前景持谨慎态度,但 MCU 制造商仍预计新兴应用(例如边缘 AI 和新能源汽车)将带来销售增长势头。  消息人士援引 MCU 供应商的话说,第四季度传统上是淡季,订单可见度较低。许多客户倾向于在第四季度需求增加时下紧急订单,而需求因应用而异。在生产成本方面,中国大陆的自给自足运动和本土企业对成熟芯片制造工艺的需求不断增长,削弱了中国大陆代工厂对中国台湾 MCU 客户的支持,中国台湾 MCU 客户现在必须寻找替代的制造合作伙伴。  中国台湾和中国大陆供应商均表示,随着行业恢复健康,整体 MCU 价格已回落至几年前的水平。然而,通用 MCU 市场仍然竞争激烈,价格和需求尚未恢复到以前的水平。  消息人士称,尽管 MCU 供应商对第四季度前景普遍持保守态度,但他们仍在继续努力开发新兴应用产品。在新兴市场领域中,汽车和工业应用仍为 MCU 市场注入增长动力。由于中国拥有巨大的新能源汽车市场,因此MCU制造商的布局优先考虑中国汽车市场。不少中国 MCU 厂商已在车用应用领域取得不俗成绩,除了推出更高阶的车用 MCU 外,中国厂商也瞄准边缘 AI 应用市场,与英飞凌、NXP 等厂商竞争。
2024-11-15 13:14 reading:855
全球芯片短缺,或将再次出现
  继中国决定限制关键材料供应后,人们越来越担心再次出现严重的芯片短缺。  科技行业刚刚从上一次全球芯片短缺中恢复过来,此次短缺始于 2020 年新冠疫情期间,一直持续到 2023 年。此次短缺影响了多种商品,包括计算机处理器、显卡、游戏机和汽车。  如今,由于用于制造半导体的镓和锗等材料供应紧张,人们担心短缺现象即将再次出现。  《金融时报》报道称,自北京决定限制这两种矿物的供应后,欧洲的这两种矿物的价格在过去一年里上涨了一倍。  中国控制着这两种矿物的供应。据《金融时报》报道,中国生产了全球 98% 的镓和 60% 的锗。  该报援引一位大型半导体材料消费者的匿名消息人士的话称,情况“危急”。  受镓和锗供应受限影响的不仅仅是消费电子产品。这两种矿物还用于生产夜视镜等军事装备。  现在的问题是美国和包括荷兰在内的其他西方国家是否会放松对中国的出口管制,以避免再次出现芯片短缺。  上一次芯片短缺给多个行业带来了毁灭性的影响。多家汽车制造商被迫停产或减产,以等待芯片到货。通用汽车、福特和丰田等公司都受到了影响,导致新车数量大幅减少,二手车价格飙升。  与此同时,显卡短缺导致 2021 年显卡组件价格飞涨,加密挖矿对显卡芯片的需求更是加剧了这一情况。一些显卡的售价是标价的四倍多,因为所谓的剥头皮机器人一上线就抢购一空。  芯片供应的任何进一步限制都可能对半导体巨头英特尔等公司造成严重损害,这些公司仍在从之前的危机中恢复过来。本月早些时候,英特尔宣布裁员 15,000 人,第二季度亏损 16 亿美元,英特尔股价下跌近 30% 。  分析师下调 2024 年芯片市场增长预测  市场研究公司半导体情报 (Semiconductor Intelligence) 将 2024 年芯片市场增长率预测从 2023 年的 18% 下调了一个百分点至 17%。这可能部分是因为 2024 年第一季度芯片市场表现疲软。然而,从 4 月开始,市场似乎在人工智能热潮的推动下表现强劲,推动了处理器的销售并推高了内存价格。  多位分析师预测,2025 年全球芯片市场增长率在 11% 至 15.6% 之间。  据WSTS统计,2024年第2季度全球半导体市场规模达到1499亿美元,较2024年第1季度增长6.5%,较去年同期增长18.3%。  领先的半导体公司 2024 年第二季度的收入增长普遍强劲,与 2024 年第一季度相比。在排名前十五的公司中,只有两家公司(联发科和意法半导体)在 2024 年第二季度的收入出现下滑。增长最强劲的是内存公司,SK Hynix 和 Kioxia 分别增长超过 30%,三星半导体增长 23%,美光科技增长 17%。2024 年第二季度排名前十五的公司与 2024 年第一季度相比的加权平均增长率为 8%,其中内存公司增长 22%,非内存公司增长 3%。  2024 年第三季度的收入预期为正,但前景广阔。AMD 预计,得益于数据中心和客户端计算的强劲增长,2024 年第三季度的收入将环比增长 15%。美光表示,内存热潮将继续,供应低于需求,并预计增长 12%。  预计 3Q24 收入增长率较低(约 1%)的公司包括:英特尔、联发科和意法半导体。意法半导体和恩智浦半导体预计 3Q24 汽车行业将有所改善,但工业领域仍然存在库存问题。
2024-08-28 15:14 reading:968
首颗2nm芯片下周见
  据中国台湾业界消息,台积电2nm(N2)制程芯片即将于下周在位于中国台湾北部新竹科学园区的宝山工厂试产,有望率先用于苹果iPhone 17 Pro和其它苹果产品。知情人士透露,台积电于2023年12月首次向苹果进行2nm制程相关示范,预计试产时间为2024年10月。业界认为,台积电2nm技术量产进度优于预期,此前市场预计最早将于第四季度量产。  据台积电官方介绍,2nm制程节点相比3nm能效可提升10%~15%,功耗则最多降低30%。当试产良率达到一定标准时,便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA(全环绕栅极)纳米片晶体管结构,这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电(BSPR)技术,进一步提升芯片密度和速度,预计2026年量产。  得益于人工智能(AI)芯片的强劲需求,台积电现有3nm产能供不应求。业界最新消息称,“产能到年底前都排得很满”,此外有传言称台积电将提高3nm代工服务价格。  有消息称苹果已经与台积电秘密达成独家协议,包下台积电2nm首批全部产能,这与此前苹果独占首批3nm产能的做法类似,A17 Pro为首款采用台积电3nm制程的量产芯片,拥有约190亿个晶体管。  为应对AI芯片订单需求,台积电位于高雄的第二座2nm工厂也在加紧建设当中。  根据外资报告,台积电2024年资本支出可能达到上限值320亿美元,2025年有望进一步升至370亿美元,原因是提前部署2nm工艺量产,采购先进设备。随着竞争对手三星同样发力2nm GAA工艺,并获得订单,台积电提前部署产能目的是为保持在晶圆代工领域的领导地位。
2024-07-11 09:39 reading:637
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