电力晶体管(英文:Giant Transistor,简称GTR)是是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;具有自关断能力,并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。下面Ameya360电子元器件采购网将介绍其的结构外形、原理以及特点:
1.结构
电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT(Bipolar Junction Transistor),GTR和BJT这两个名称是等效的,结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。电力晶体管由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样,有PNP和NPN两种类型,电力晶体管通常多用NPN结构。
2.工作原理
在电力电子技术中,电力晶体管主要工作在开关状态。通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给电力晶体管的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。
在应用中,电力晶体管一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib的比值为:
β=ic/ib (1)
式中,β称为电力晶体管的电流放大系数,它反映出基极电流对集电极电流的控制能力。
考虑漏电流Iceo时,Ic和Ib的关系为:
ic=βib+Iceo (2)
单管电力晶体管的β值比小功率的晶体管小得多,通常为10左右。采用达林顿接法可有效增大电流增益。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注