单结晶体管的原理和特性

Release time：2022-08-10
author：Ameya360
source：网络
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　　单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，是一种常用的半导体器件。它虽有三个管脚，很像半导体三极管，但它只有一个pN结，即一个发射极和两个基极，所以又称它为双基极二极管;它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。下面跟随Ameya360电子元器件采购网来看看单结晶体管的原理和特性吧！

单结晶体管的原理和特性

　　一、结构

　　单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路以及引脚排列，如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引脚b1、b2分别为第一基极和第二基极(双基极)，e为发射极。e极和N型硅片间构成一个PN结。PN结A点至两基极间的等效电阻分别用rb1和rb2表示。两基极间的电阻用rBB表示，rBB=rb1+rb2。

　　二、工作原理和特性

　　单结管共分三个区——截止区、负阻区、饱和区。

　　在电路中让基极2(b2)比基极l(b1)电位较正，图中电源电压VBB的正极接b2、负极接b1;发射极接触发电压VE。

　　即使单结晶体管处于截止区，从B1到B2仍有少量电流。沿着N型硅片存在着一个电压梯度VA。发射极电压VE等于启动或峰值电压VP(VP =VA+VD，VD为eb1之间的正向压降，一般约为0.6~0.7V。)，PN结是正偏置，单结晶体管导通。启动时，b1和E之间的电阻很快的降低，从b1到b2的电流增加，同时从E也有一个相当大的电流流出，使rb1为低阻态，管子也进入负阻区。VE低于低谷电压(VV)后，管子进入饱和区，使单结晶体管截止。发射极启动电压VP是由分压比η= rb1/rBB确定的。

　　单结晶体管具有负阻特性，利用这一特性可以组成自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时电路等脉冲单元电路，被广泛应用于脉冲及数宇电路中。

　　三、主要参数

　　(1)基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2—10千欧，其数值随温度上升而增大。

　　(2)分压比η由管子内部结构决定的常数，一般为0.3—0.85。

　　(3)eb1间反向电压Vcb1b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

　　(4)反向电流Ieob1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

　　(5)发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

　　(6)峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流

　　以上就是单结晶体管的原理和特性介绍了。单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。


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什么是晶体管？一文快速了解晶体管基础知识
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什么是晶体管？一文快速了解晶体管基础知识

　　晶体管是一种半导体器件，常用于电子设备中作为开关、放大器或其他逻辑功能的关键组成部分。晶体管的发明备受推崇，被誉为现代信息时代的基石之一。　　1.晶体管的发展历史　　晶体管是电子技术领域中一项重要的发明，其历史可以追溯至20世纪中叶。以下将对晶体管的历史进行简要介绍：　　1. 发明之初(1947年)：1947年12月23日：贝尔实验室的科学家约翰·巴丁、沃尔特·布拉坦和威廉·肖克利成功发明了第一枚晶体管。这项里程碑性的发明被视为现代信息时代的开端。　　2. 商业化与应用拓展(1950年代)：晶体管开始商业化生产，取代了当时广泛使用的真空管技术。晶体管显示出更小巧、节能、寿命长等优势，被广泛应用于无线通讯、广播电视、计算机等设备中。　　3. 集成电路的出现(1960年代)：集成电路的问世推动了晶体管技术的进步。集成电路将多个晶体管集成在同一片芯片上，实现了更高的功能密度和性能，成为当时电子技术的主流。　　4. 微缩化与纳米技术(21世纪)：随着科技的不断发展，晶体管尺寸进一步微缩化，进入纳米级领域。纳米技术的应用使得晶体管技术更加高效、节能，并推动了移动设备、计算机等领域的快速发展。　　晶体管作为电子技术的基础元件，经历了近一个世纪的发展历程，为现代社会带来了巨大的改变和便利。其持续的创新和进步将继续引领着科技领域的发展，为人类的未来带来更多可能性。　　2.晶体管的工作原理　　晶体管通常包括三个区域：发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。下面将详细解释晶体管的工作原理：　　1. P-N 结形成的基础　　P型半导体：在P型半导体中，掺入了III族元素(如硼)，形成了空穴载流子。　　N型半导体：在N型半导体中，掺入了V族元素(如磷)，形成了自由电子载流子。　　P-N 结：当P型半导体和N型半导体相接触时形成P-N结，产生内建电场。　　2. 工作过程　　发射极：发射极处于N型半导体区域，通过少量注入高速电子，这些电子会跨越P-N结进入基极区域。　　基极：基极是一个窄带隙的P型半导体区域，主要作用是控制电子从发射极到集电极的流动。　　集电极：集电极处于N型半导体区域，负责收集从基极传来的电子，并输出电流。　　3. 工作原理　　放大作用：当在基极施加一个小电压时，控制大量电子从发射极向集电极流动，实现信号的放大。　　开关功能：在基极施加适当电压时，可以控制电子的流动，实现晶体管的开关功能。　　放大和开关的切换：晶体管能够在微小输入信号控制下改变大电流输出，可应用于放大器和数字电路中。　　晶体管的工作原理源自半导体物理学的复杂性和精密设计，通过控制半导体材料中的载流子流动，实现了电子设备中重要的信号处理、放大和控制功能。　　3.晶体管的结构　　1. 发射极(Emitter)　　位置：发射极位于晶体管结构的一端，通常为N型半导体区。　　功能：发射极主要负责注入电子，作为输入信号的来源。　　2. 基极(Base)　　位置：基极位于发射极和集电极之间，通常为P型半导体区。　　功能：基极决定了从发射极到集电极之间载流子的传输和控制，起着调节器件工作的关键作用。　　3. 集电极(Collector)　　位置：集电极位于晶体管结构的另一端，通常为N型半导体区。　　功能：集电极负责收集基极传来的电子，并输出电流信号。　　4. 结构补充部分　　栅极(Gate)：在场效应晶体管中存在，用于控制电流流动。常见于MOSFET等晶体管类型。　　漏极(Drain)和源极(Source)：在场效应晶体管(如MOSFET)中使用，用于控制电流流向。　　5. 外壳和引脚　　封装：晶体管通常被封装在外壳中，以保护内部元件。　　引脚：引脚用于连接晶体管与外部电路，传递信号或电源。　　晶体管的结构设计旨在实现对载流子(电子或空穴)的有效控制，从而实现信号放大、开关等功能。不同类型的晶体管具有不同的结构设计和工作原理，但晶体管的核心目标始终是在半导体材料中控制电流的流动。　　4.晶体管的优缺点　　优点：　　小型化：晶体管体积小、重量轻，适合用于集成电路中，使得设备更加紧凑。　　高速度：晶体管响应速度快，能够实现高频率操作，适用于计算机等需要快速数据处理的场合。　　低功耗：晶体管在开关状态时功耗较低，有助于节能和延长电池寿命。　　可靠性强：晶体管寿命长，稳定性高，操作可靠，容易维护。　　精确控制：晶体管可以精确控制电流，实现信号放大和开关功能，广泛应用于各种电子设备中。　　环保：晶体管无污染、无噪音，是一种相对环保的电子器件。　　缺点：　　热散失：晶体管在工作时会产生一定的热量，存在热能损耗问题。　　失真：在放大过程中可能出现信号失真或畸变，影响输出质量。　　价格较高：高性能的晶体管价格昂贵，增加了电子产品成本。　　灵敏度：对静电、电压浪涌等外部因素灵敏，需要注意防护措施。　　尺寸限制：尽管晶体管小型化，但仍受到物理尺寸的限制，难以满足极小空间的需求。　　有限耐压：晶体管对电压波动敏感，耐压限制了其在高压领域的应用。　　虽然具有诸多优点，但也存在一些局限性和缺点，需要在设计和应用中进行综合考虑。　　5.晶体管的应用领域　　1. 通信领域　　手机和通讯设备：晶体管被用于无线电、手机基站、卫星通讯等设备中的功率放大器。　　射频识别(RFID)技术：晶体管在RFID标签和读取器中发挥作用。　　2. 计算机和信息技术　　处理器和集成电路：晶体管是现代集成电路的基础，用于构建CPU、存储器、逻辑门等功能。　　存储器件：动态随机存取存储器(DRAM)和闪存存储器等中都包含晶体管元件。　　3. 消费类电子产品　　电视和显示器：液晶显示屏背光控制、图像处理等均离不开晶体管技术。　　音频设备：功放器件、音频输出等都用到晶体管。　　4. 能源和环境　　太阳能电池：光伏电池利用晶体管将太阳能转换为电能。　　节能照明：LED照明中的驱动电路中使用了晶体管。　　5. 其他领域　　汽车和交通：晶体管用于汽车引擎控制、车载电子设备等。　　航空航天：飞机和卫星的导航系统、通讯系统中均使用了晶体管。　　晶体管的应用覆盖了几乎所有现代科技领域，其高效的电子控制性能和可靠性使其成为当今世界上最重要的电子器件之一。　　6.晶体管和二极管的区别　　晶体管(Transistor)和二极管(Diode)是常见的半导体器件，它们在结构和功能上有一些明显的区别。以下是晶体管和二极管之间的主要区别：　　1. 结构　　二极管：二极管由两个半导体材料组成，通常为P-N结构，只包含两个电极(阳极和阴极)。　　晶体管：晶体管由三个或更多个半导体材料层叠而成，通常包括发射极、基极和集电极，用于放大或控制电流。　　2. 功能　　二极管：二极管主要充当电流流向的开关，可将电流限制在一个方向，用于整流等应用。　　晶体管：晶体管不仅可以像二极管一样起到开关作用，还可以放大信号，实现信号放大、放大器、逻辑门等功能。　　3. 控制　　二极管：二极管无法控制电流的大小。它只能让电流在一个方向上流动，无法调节电流。　　晶体管：晶体管具有增益特性，可以通过基极控制电流的流动，实现对电流的放大、开关等操作。　　4. 应用范围　　二极管：二极管常用于整流电源、保护回路、光电转换等领域。　　晶体管：晶体管广泛用于放大器、微处理器、数字逻辑电路、RF功率放大器等各种电子设备中。　　5. 功能复杂性　　二极管：二极管的功能相对简单，通常只涉及电流的单向传输。　　晶体管：晶体管的功能更为复杂，可以通过控制电压或电流实现放大、开关、逻辑运算等多种功能。　　二极管主要用于控制电流的方向和整流，而晶体管除了这些功能外，还可以对电流进行放大和控制，因此在应用范围和功能复杂性上有所差异。
2024-07-03 09:27 reading：447
电子管和晶体管区别
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电子管和晶体管区别

　　电子管(Vacuum Tube)和晶体管(Transistor)是电子器件领域里两种重要的元件。它们都扮演着电流放大、信号调制、开关控制等关键角色，但在结构、原理、性能和应用方面存在着显著的差异。　　1. 电子管的定义和原理　　电子管是一种使用真空封装的电子设备，由阴极、网格和阳极组成。它基于热电子发射和真空中的电子流动来实现电流放大和电子控制。　　电子管的工作原理基于热电子发射效应。当加热阴极时，它会发射出热电子。这些热电子被加速，并通过正向偏置的阳极吸引，形成一个电子流。通过在电子流的路径上引入网格，可以控制电子流的强度，从而实现对电流的放大。　　2. 电子管的特点和应用　　电子管具有以下一些特点：　　高电压和功率：电子管可以承受较高的电压和功率，适用于大电流和高功率应用。　　宽频带：电子管具有宽广的频带特性，可用于放大高频信号。　　线性放大：电子管在放大过程中具有较好的线性特性，能够保持输入和输出信号的相对准确性。　　耐久性：电子管相对坚固耐用，可以在恶劣环境下工作，并具有较长寿命。　　电子管广泛应用于通信、音响、无线电等领域。例如，在无线电接收机和放大器中使用电子管实现信号放大和调制解调。　　3. 晶体管的定义和原理　　晶体管是一种半导体元件，由不同类型的半导体材料(通常是硅或锗)构成，具有三个区域：发射区、基区和集电区。它利用PN结的电场控制来实现电流放大和开关控制。　　晶体管的工作原理基于PN结的特性。当在基区中施加适当的电压时，PN结会形成一个导电通道，控制从发射区到集电区的电流。通过调节基区电压，可以控制电流的放大和开关状态。　　4. 晶体管的特点和应用　　晶体管具有以下一些特点：　　小型化和便携性：相对于电子管而言，晶体管体积小，重量轻，适合于小型和便携式设备的应用。　　低功耗：晶体管能够以较低的功率运行，因此在电源要求严格的应用中更受欢迎。　　高频特性：晶体管具有较好的高频特性，可用于高频信号放大和调制。　　耐用性和寿命：晶体管相对于电子管来说更耐用，并且具有较长的使用寿命。它们不容易受到震动、冲击或温度变化的影响，因此更适合在恶劣环境下工作。　　高集成度：晶体管可以进行高度集成，将数百甚至数千个晶体管集成在一个芯片上。这种高集成度使得晶体管在现代电子设备中得到广泛应用，例如计算机、手机、电视等。　　快速开关速度：晶体管具有快速的开关速度，能够迅速切换开关状态。这使得晶体管在数字电路和逻辑门电路中得到广泛应用。　　晶体管广泛应用于各个领域，包括通信、计算机、电子游戏、医疗设备等。它们被用于放大信号、开关控制、逻辑运算、存储和处理信息等方面。　　5. 电子管和晶体管的区别　　电子管和晶体管在结构、原理、特点和应用方面存在着显著的区别：　　结构：电子管是真空封装的设备，包含阴极、网格和阳极。而晶体管是由半导体材料构成，具有三个区域：发射极、基极和集电极。　　原理：电子管的工作原理基于热电子发射和电子束的操控，通过调节阴极上的加热电流和网格上的控制电压来控制电流的流动。晶体管则是利用半导体材料中的PN结构，通过控制基极-发射极间的电压来控制电流的流动。　　特点：电子管具有较高的功率承受能力、较大的电压放大系数和较低的内部噪声。但它们较大且脆弱，需要预热时间，并且耗能较高。晶体管则具有小巧、耐用、功耗低和可靠性高的特点。它们可以快速响应、无需预热，并且可实现集成。　　应用：由于电子管的特点，它们通常用于高功率放大器、射频通信和音频放大器等领域。而晶体管则广泛应用于计算机、电视、手机、无线通信和各种电子设备中，因其小型、高效和可靠性好的特点。
2024-01-25 09:56 reading：1528
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