纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602,作为一款隔离式双通道栅极驱动器,NSi6602具有优异的抗干扰能力,其抗共模瞬态干扰度(CMTI)可达150kV/us,可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。
NSi6602的典型传输延时值为19ns,高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns,最大脉宽失真6ns,有助于减小功率管的死区时间,进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计,NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性,从而带来更高的功率密度,帮助系统更快速、更稳健地运行。
NSi6602性能特点:
隔离式双通道栅极驱动器
5kV RMS隔离耐压
输入侧供电电压:2.7V至5.5V
驱动端供电电压:最高可达25V
4A驱动电流和6A吸收电流
最高150KV/us抗共模瞬态干扰度
19ns典型传播延迟
5ns最大传输延迟匹配
6ns最大脉冲宽度失真
可编程死区时间
AEC-Q100认证
过流、过温保护机制
工作温度范围:-40℃~125℃
顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮,NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域,同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景,为新基建的多种应用提供强大的安全保障。
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