纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602

发布时间：2022-08-11 18:01
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：4494

　　纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。

       NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。

纳芯微推出高压隔离半桥驱动芯片NSi6602

　　NSi6602性能特点：

　　隔离式双通道栅极驱动器

　　5kV RMS隔离耐压

　　输入侧供电电压：2.7V至5.5V

　　驱动端供电电压：最高可达25V

　　4A驱动电流和6A吸收电流

　　最高150KV/us抗共模瞬态干扰度

　　19ns典型传播延迟

　　5ns最大传输延迟匹配

　　6ns最大脉冲宽度失真

　　可编程死区时间

　　AEC-Q100认证

　　过流、过温保护机制

　　工作温度范围：-40℃~125℃

　　顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮，NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域，同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景，为新基建的多种应用提供强大的安全保障。


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