陶瓷电容器(ceramic capacitor;ceramic condenser )又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义,瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同,可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类,又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。
陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。
Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠ ceramic capacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-freqency ceramic capacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。
Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency cermic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。
Ⅰ类陶瓷电容器
按美国电工协会(EIA)标准为C0G(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为COG)或NP0(是数字0,不是字母O,有些文献笔误为NPO)以及我国标准的CC系列等型号的陶瓷介质(温度系数为0±30PPM/℃),这种介质极其稳定,温度系数极低,而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到400,介电强度相对高。
这种介质非常适用于高频(特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器)、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境,这种介质电容器唯一的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常1206 表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01μF。
Ⅱ类陶瓷电容器
Ⅱ类的稳定级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的X7R、X5R以及我国标准的CT系列等型号的陶瓷介质(温度系数为±15.0%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1200),因而电容量可以做得比较大,适用于对工作环境温度要求较高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206的SMD封装的电容量可以达到10μF或在再高一些;
II类的可用级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的Z5U、Y5V以及我国标准的CT系列的低档产品型号等陶瓷介质(温度系数为Z5U的+22%,-56%和Y5V的+22%,-82%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到1000~12000),因而电容量可以做得比更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和滤波。通常1206表面贴装Z5U、Y5V介质电容器量甚至可以达到100μF,在某种意义上是取代钽电解电容器的有力竞争对手。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注