NSi6611A/NSi6651A是单通道智能隔离式栅极驱动器,设计用于2121V直流工作电压以下应用中的SiC MOSFET,IGBT的驱动。NSi6611/NSi6651具有强大的驱动能力,可以提供最大10A的拉灌电流能力,支持轨到轨输出和分离输出。它可以提供完善的保护功能,如快速过流和短路保护、故障软关断功能,弥勒钳位功能、欠压保护,且短路故障或欠压发生时,通过单独的引脚报告反馈。NSi6611支持ASC特色的功能,可用于在紧急情况下强制输出为高。
NSi6611/NSi6651输入端与输出端采用双电容增强隔离技术,且采用纳芯微Adaptive OOK编码技术, 支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),提高系统鲁棒性。
应用场景
- 新能源汽车主驱、发动机、升压DCDC
- 工业变频器
- 空调压缩机
- 光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等
产品特性
1. 超强驱动能力,可以提供最大10A的拉灌电流能力,支持轨到轨输出和分离输出
2. 完善的保护功能:DESAT短路保护、故障软关断、弥勒钳位、欠压保护;短路故障或欠压发生时,还能通过单独的引脚报告进行反馈
3. 输入与输出端均采用双电容增强隔离技术,外加纳芯微Adaptive OOK编码技术,最小共模瞬变抗扰度(CMTI)高达150kV/μs,提高了系统的鲁棒性
4. 驱动器侧电源电压VCC2最大为32V,输入侧VCC1为3V至5.5V电源电压供电;VCC1和VCC2都具有欠压保护(UVLO)
5. 极低的传输延时,低至80ns
6. NSi6611支持ASC特色的功能,可在紧急情况下强制输出为高
7. 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃
8. 符合 RoHS 标准的封装类型:SOW16
NSi66x1A 超强驱动能力,有效节约外围电路
在大功率的应用中,客户一般会选择大功率的管子,IGBT或者SiC。越大功率的管子,功率管的Qg也会越大,则对驱动电路的驱动电流能力的要求就会越高。客户的传统方案会使用驱动电流小的隔离驱动,加上额外的Buffer电路来实现驱动电流增大,如下图所示。由于Buffer电路价格高,且占用PCB体积较大,同时还需要额外的电路做电路匹配,给设计带来了难度,如果设计不当,会导致在驱动电路产生额外的寄生电感和寄生电容,降低了系统的稳定性。
由于NSi66x1A可以提供最大10A的拉灌电流能力,它可以在不需要额外的Buffer 电路,直接驱动大功率的管子。同时它内部集成弥勒钳位,且支持分离输出,使用简单,外围器件少,性价比高。
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