什么是变容二极管 变容二极管的工作原理及应用分析

发布时间：2022-09-22 09:51
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2539

    什么是变容二极管?变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。下面Ameya360电子元器件采购网主要来介绍变容二极管的特性、原理及作用。

什么是变容二极管 变容二极管的工作原理及应用分析

    变容二极管的工作原理

    变容二极管(VaractorDiodes)为特殊二极管的一种。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN(正负极)结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应;当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。

    变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。

    其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V(变容二极管是反向来用的)，则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化。如此一来，反向电压V增大，则耗尽层d变宽，二极管的电容量C就减少(根据C=kS/d)，而反向电压减小，则耗尽层宽d变窄，二极管的电容量变大。反向电压V的改变引起耗尽层的变化，从而改变了压控变容器的结容量C。达到了目的。

    变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。

    变容二极管有玻璃外壳封装(玻封)、塑料封装(塑封)、金属外壳封装(金封)和无引线表面封装等多种封装形式。通常，中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装，而功率较大的变容二极管多采用金封。

    变容二极管的应用分析

    主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。

    1、常见用途

    材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容二极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。

    用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

    2、用于调谐电路

    改变不同的R2，二极管(D)的反向电压被改变，这会引起二极管的电容量改变。因此改变谐振频率其中的变容二极管就可调出并联谐振带通滤波器中所需电容量的全部变化范围。

    因为变容二极管的结电容能随外加的反向偏压而变化，所以它被用作调频、扫频及相位控制。目前，变容二极管的应用已相当广泛。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：安森美：数字化工业4.0下的新挑战，该如何突破

下一篇：如何选用变容二极管 变容二极管的主要参数和作用特点

在线留言询价

相关阅读
锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别
行业新闻

锗二极管型号及参数 硅管和锗管有什么区别

　　锗二极管是一种常用于电子电路中的半导体器件。在选择合适的锗二极管时，了解其型号和参数非常重要。此外，还需要清楚硅管和锗管之间的区别。　　1.锗二极管型号及参数　　锗二极管的型号通常由制造商根据该器件的特性指定。常见的锗二极管型号包括但不限于：1N34、1N60、OA81等。这些型号具有各自独特的电性能和应用场景。　　在选择锗二极管时，关注以下参数至关重要：　　最大反向电压(VRM)：即锗二极管可承受的最大反向电压值。　　最大正向电流(IFM)：锗二极管可通过的最大正向电流。　　正向压降(VF)：锗二极管正向导通时的电压降。　　尺寸：锗二极管的物理尺寸对于某些应用也是一个重要考量因素。　　2.硅管和锗管的区别　　尽管硅管和锗管都是半导体材料，但它们在一些方面存在显著区别：　　材料特性：硅管比锗管更普遍，在许多应用中使用。硅管具有较低的功耗和较高的工作温度范围。　　电学特性：锗管的导电性能优于硅管，因此在一些特定应用中，如高频应用，锗管可能更适合。　　价格和稳定性：通常情况下，硅管比锗管便宜，且具有更好的稳定性和一致性。　　反向饱和电压：锗管的反向饱和电压较硅管低，这在一些电路设计中具有优势。　　锗二极管作为一种重要的半导体器件，其型号和参数决定了其在电路中的具体应用。在实际选型时需要结合具体需求进行选择。同时，与硅管相比，锗管在电学特性等方面有着明显的差异，合理选择器件能够有效提高电路性能和稳定性。
2024-11-21 11:53 阅读量：159
二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别
行业新闻

二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别

　　二极管是一种常见的半导体器件，具有独特的电学性质。二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中的特性的重要参数。本文将深入探讨二极管的直流电阻和交流电阻的联系和区别。　　1.二极管的基本原理　　二极管是由正负两种材料组成的半导体器件，具有正向导通和反向截止的特性。在正向偏置下，二极管会导通并具有很小的电阻;而在反向偏置下，二极管则处于高电阻状态。　　直流电阻　　二极管的直流电阻是指在稳定的直流工作条件下，通过二极管的电流与电压之比。直流电阻通常通过斜率差值法或微分法计算，在直流电路中对二极管的导通特性和功耗起着关键作用。　　交流电阻　　二极管的交流电阻是指在交流信号下，通过二极管的交流电流与电压之比。由于二极管的非线性特性，其交流电阻取决于交流信号的频率和幅值，对于高频应用尤为重要。　　2.联系和区别　　联系　　共同点：二极管的直流电阻和交流电阻都反映了二极管在电路中的阻抗特性，对于电路设计和分析至关重要。　　受温度影响：直流电阻和交流电阻都会受到温度变化的影响，二极管的电阻值随温度升高而减小。　　区别　　工作原理不同：直流电阻描述了二极管在直流电路中的电阻特性，主要考虑静态工作状态下的电阻值;而交流电阻则更多地考虑了动态工作状态下的电阻变化。　　频率响应不同：交流电阻随着交流信号频率的变化而变化，呈现出非线性特性;而直流电阻相对稳定，不受频率影响。　　应用环境：直流电阻通常用于静态电路分析和设计，交流电阻则更多地涉及到动态信号处理和高频电路设计。　　3.应用举例　　在整流电路中，直流二极管的低直流电阻能够有效地保证整流效果;　　在调制解调器中，交流二极管的快速响应和低交流电阻有助于信号调制和解调。　　二极管的直流电阻和交流电阻是描述其在直流和交流电路中特性的重要参数。通过深入理解二极管在不同工作条件下的电阻特性，可以更好地设计和优化电子电路，提高系统性能和稳定性。
2024-11-04 15:17 阅读量：284
LED发光二极管工作原理及检测方法
行业新闻

LED发光二极管工作原理及检测方法

　　LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)是一种常见的半导体器件，被广泛用于指示灯、显示屏、照明和通信等领域。　　1.LED的工作原理　　LED是一种电子器件，其工作基于半导体材料在注入载流子时产生光电子效应。以下是LED的工作原理简要概述：　　PN结：LED是由N型半导体和P型半导体构成的PN结构。当在PN结上加正向电压时，电子从N区向P区扩散，而空穴从P区向N区扩散。　　载流子复合：当电子与空穴相遇时，它们发生复合并释放出能量，这些能量被转化为光子。这个过程称为辐射复合。　　发光：光子在晶体中传播，并在PN结附近释放出可见光。根据半导体材料的不同，LED可以发出不同颜色的光。　　选择材料：选择不同的半导体材料可以实现不同波长的发光，例如氮化镓(GaN)可实现蓝光LED。　　2.LED的检测方法　　LED的性能评估和质量控制需要准确且可靠的检测方法。以下是几种常见的LED检测方法：　　1. 外观检测：是最简单和直观的LED检测方法。通过肉眼观察LED的表面是否平整、颜色是否均匀等来判断LED的品质。　　2. 光电参数测试：使用光电参数测试仪器，例如光强计和色温计，来测量LED的亮度、色温、色坐标等参数，以确保LED的光学性能符合要求。　　3. 电性能测试：使用万用表或特定的LED测试仪器，检测LED的电流、电压、功率等电性能参数，以确保LED在正常工作范围内。　　4. 热耦合测试：LED的发光效率会受到温度的影响，因此进行热耦合测试，即在不同温度下测试LED的光电参数，有助于评估LED在不同环境下的性能稳定性。　　5. 寿命测试：对LED进行寿命测试，模拟LED在长期使用中可能遇到的工作条件，以确定LED的使用寿命和稳定性。　　6. 波长测试：使用光谱分析仪或波长测试仪器，测量LED发出的光的波长，以确保LED的色彩准确性和一致性。　　LED作为一种高效、环保的照明和显示技术，在各种领域得到广泛应用。了解LED的工作原理和有效的检测方法，有助于确保LED产品的质量和性能，在工程设计和制造过程中发挥重要作用。
2024-07-04 10:03 阅读量：432
肖特基二极管和整流二极管的区别
行业新闻

肖特基二极管和整流二极管的区别

　　二极管是一种最简单的半导体器件，用于控制电流的流动方向。肖特基二极管和整流二极管是两种常见的二极管类型，它们在结构、工作原理和应用方面有着明显的区别。　　1. 肖特基二极管　　1.1 结构：金属-半导体结构：肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其中金属为阴极部分，半导体为阳极部分。　　1.2 工作原理：低势垒：肖特基二极管具有较低的势垒高度，因此在导通时会产生较少的热量。　　1.3 特点　　快速开关速度：响应时间短，适合高频应用。　　低电压降：较低的正向电压降使其功耗更低。　　1.4 应用　　频率调制器：通信设备中用于频率调制。　　功率电子器件：高效能源转换器中常用。　　2. 整流二极管(Rectifier Diode)　　2.1 结构：P-N结构：整流二极管由P型半导体和N型半导体组成。　　2.2 工作原理：正向/反向特性：整流二极管在正向偏置时导通，反向偏置时截止。　　2.3 特点　　较大的耐压能力：相比肖特基二极管，整流二极管通常具有更高的反向击穿电压。　　较慢的反应速度：与肖特基二极管相比，整流二极管的开关速度较慢。　　2.4 应用　　整流器：在电路中用于将交流信号转换为直流信号。　　电源供应：电源转换器中广泛应用。　　3. 区别对比　　3.1 功能差异　　肖特基二极管适用于高频应用，具有快速开关速度和低电压降的特点。　　整流二极管主要用于电路整流，具有较慢的反应速度但较大的耐压能力。　　3.2 结构差异　　肖特基二极管采用金属-半导体结构，势垒低。　　整流二极管采用P-N结构，用于整流和电源转换。　　3.3 应用范围　　肖特基二极管常用于频率调制器和功率电子器件中。　　整流二极管广泛应用于整流电路和电源供应中。
2024-05-22 10:24 阅读量：636
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
矽二极管 二极管封装 反向二极管 阻尼二极管 瞬态电压抑制二极管 快速恢复整流二极管 二极管激光器 高速开关二极管 混频二极管 信号二极管 微波二极管 电子二极管 齐纳二极管 ESD保护二极管 晶体二极管 TVS二极管 紫外发光二极管 4位数码管 雪崩二极管 开关二极管 变容二极管 激光二极管 瞬态抑制二极管 整流二极管 稳压二极管 肖特基二极管 发光二极管 PIN二极管 光电二极管 功率二极管 二极管 光电二极管
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。