新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化,新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡,能够大幅度提高系统效率。同时,该系列产品具备良好的短路能力,出色的低电磁干扰特性,可靠的开关速度控制力,为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列(如B系列、W系列等)广泛应用于各个领域。
N沟道1200-1350V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
应用
1. 变频器
2. 电焊机
3. UPS应用
4. 光伏逆变器
5. 电磁炉
6. 抽油烟机
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注