稳压二极管可用作稳压器,以从电压可能在特定范围内变化的电源提供恒定电压。由于稳压二极管具有稳压作用,因此在很多电路当中均有应用,如稳压电源、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等等。以下是Ameya360电子元器件采购网整理的稳压二极管型号及主要参数相关内容,希望能给您带来参考与帮助。
稳压二极管参数有:稳定电压;Iz: 额定电流;Rz: 动态电阻;Pz:额定功耗;α:温度系数;IR:反向漏电流。
1.Uz:稳定电压
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。
2.Iz:额定电流
指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽然也能稳压,但稳压效果会变差;高于此值时,只要不超过额定功率损耗,也是允许的,而且稳压性能会好一些,但要多消耗电能。
3.Rz:动态电阻
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般是工作电流愈大,动态电阻则愈小。例如,2CW7C稳压管的工作电流为5mA时,Rz为18Ω;工作电流为10mA时,Rz为8Ω;为20mA时,Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。
4.Pz:额定功耗
由芯片允许温升决定,其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V,Izm为20mA,则该管的Pz为60mw。
5. α:温度系数
如果稳压管的温度变化,它的稳定电压也会发生微小变化,温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数(单位:%/℃)。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿,温度系数是负的;高于6V的属雪崩击穿,温度系数是正的。温度升高时,耗尽层减小,耗尽层中,原子的价电子上升到较高的能量,较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿,因此它的温度系数是负的。
雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时,温度增加使晶格原子振动幅度加大,阻碍了载流子的运动。这种情况下,只有增加反向电压,才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的,而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C,即温度每升高1°C,其稳压值将升高0.07%。
对电源要求比较高的场合,可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿,温度系数大大减小,可使温度系数达到0.0005%/℃。
6.IR:反向漏电流
指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时,IR=O.1uA;在VR=6V时,IR=10uA。
稳压二极管看型号:
1、2CWX.X 或 2CWXX 型(符号“X”表示稳压值中的阿拉伯码)稳压管中,2CW 后面的数字值就表示稳压值,单位为伏特(V)。例如:2CW0.7,表示稳压值为 0.7V;2CW2.7,表示稳压值为 2.7V;2CWl5,表示稳压值为 15V 等等。
2、MAXXXX 型稳压管中,四位阿拉伯数字的后三位表示稳压值为 XX.XV。例如:MAl043 的稳压值为 4.3V;MAl360 的稳压值为 36V;MA2130 的稳压值为 13V;MA4150 的稳压值为 15V 等等。
3、BZX55C 型稳压管中,55C 后面的字母和数字表示稳压值。例如:BZX55C6V8 的稳压值为 6.8V;BZX55C27 的稳压值为 27V;BZX55C110 的稳压值为 110V 等等。BZX79A、BZX79C、BZX85C 型管的稳压值标注规律与 BZX55C 系列相同。
4、3Al,3A2,3A3,3Cl,3C2,3C3 等型稳压管的稳压值为 3V,字母 A 或 C 后面的阿拉伯数字表示稳压值误差。
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model | brand | Quote |
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TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
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