兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

发布时间：2022-12-01 15:22
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2382

　　中国北京（2022年11月11日）— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，在由电子行业资深媒体ASPENCORE举办的“全球双峰会暨全球电子成就奖”颁奖典礼上，旗下GD5F1GM7系列1Gb SPI NAND Flash荣获“年度存储器产品”奖；GD32F470系列MCU荣获“年度微控制器/接口”奖。

　　“全球电子成就奖”旨在聚焦领先科技，推动全球范围内的电子产业技术革新。此番一举斩获两项产品类大奖，既是业内对兆易创新卓越研发能力的充分表彰，更是行业对公司产品技术在创新性、实用性方面的双重认可。

　　GD5F1GM7 1Gb SPI NAND Flash作为兆易创新的重磅产品之一，它采用24nm工艺制程，可以达到5万次擦写和10年的数据保持时间，并且内置了8bit ECC算法用于监测和纠正数据错误，进一步提高了产品的可靠性。该系列包含3.3V和1.8V两种电压器件，支持高速133MHz/104MHz时钟频率，支持DTR，并提供更小尺寸的WSON8 6x5mm封装，为物联网、网通、安防、穿戴类设备及其他消费类产品提供大容量且兼具成本优势的解决方案。

兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

　　GD32F470系列MCU是GD32产品家族的旗舰系列，其基于Arm Cortex-M4内核，主频高达240MHz，可支持算法复杂度更高的嵌入式应用，并具备更快速的实时处理能力。在设计方面，GD32F470配备了512KB到3072KB片上Flash，256KB到768KB的SRAM，具备业界领先的大容量存储优势。在制造工艺方面，此MCU采用40nm工艺制程，可以降低动态和静态功耗，从而有效延长电池供电系统的使用时间。另外，GD32F470系列继承了GD32F4系列丰富的通信接口和增强型安全功能，与现有GD32F4系列产品完全兼容，支持开发者在现有设计上实现无缝切换，能够轻松推动高端应用转换和研发升级。面向用户差异化的开发需求，GD32F470系列可广泛应用于云服务器、工业控制、电机变频、图形显示、安防监控、传感器网络、无人机、机器人、物联网等创新领域。

兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

　　创新是企业的立足之本，更是推动公司向前发展的第一动力。兆易创新已连续多年荣登“全球电子成就奖”榜单，产品的新颖性、卓越性与和突破性有目共睹。未来，公司还将延续这一理念，持续不断的为客户提供高质量的产品和服务。


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