Diodes的新型单通道高侧电源开关具有三种不同的可选转换率,因此可以处理更宽的电容负载,同时保持较低的浪涌电流。
Diodes Inc. 推出了一款新型多功能单通道高侧电源开关,具有三种不同的可选转换率,因此可以处理更宽的电容负载,同时保持较低的浪涌电流,确保系统稳定性。DIODES AP22980电源开关面向便携式电子设备、计算机硬件和基于边缘的数据中心部署中使用的固态数据存储系统。
N沟道MOSFET在AP22980内部带有内置电荷泵,具有5.1mΩ的极低 Rds (ON),可使负载达到6A,同时最大限度地减少高电流负载应用中的压降和功率损耗。通过使用单独的VBIAS引脚,它能够支持的最小输入电压显着降低,从而可以覆盖更宽的输入电压范围——从0.285V到5.5V——从而实现更大的应用灵活性。
AP22980具有 60A(典型值)静态电源电流,针对优先考虑降低待机功耗的情况进行了高度优化。该器件的工作温度范围为-40°C至105°C。如果结温超过150°C,则会触发过热保护机制。
AP22980三电平可选转换率电源开关采用紧凑型W-QFN1520封装,占用很少的电路板空间并易于集成。
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