萨瑞再添新荣誉：国家级专精特新“小巨人”企业

Release time：2023-02-13
author：Ameya360
source：网络
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　　凭借在研发、市场、经营效益、发展潜力方面的优势，江西萨瑞微电子技术有限公司荣誉升级，被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。

萨瑞再添新荣誉：国家级专精特新“小巨人”企业

　　江西萨瑞微电子技术有限公司是一家专业从事半导体芯片设计，集成电路设计及半导体分立器件研发、制造与销售的国家级高新技术企业。公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。


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为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
行业新闻

为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理

　　在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。　　一、产品核心特点　　1、先进沟槽单元设计　　采用高效Trench结构，实现低导通电阻与高开关速度的平衡。　　2、低热阻设计　　结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W，散热性能优异，支持高功率持续输出。　　3、低栅极电荷与快速开关　　栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道)，配合 ns 级开关时间，提升系统响应效率。　　4、全面可靠性保障　　100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试，确保每颗器件都符合严苛标准。　　5、环保工艺　　符合无卤、无铅环保要求，适用于绿色电子产品设计。　　二、关键性能参数　　作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET，SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”：　　N沟道 MOSFET　　VDSS：30V　　RDS(on)：6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A　　连续漏极电流：82A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：1.0V ~ 2.5V　　P沟道 MOSFET　　VDSS：-30V　　RDS(on)：7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A　　连续漏极电流：-75A @ TC=25℃　　栅极阈值电压：-1.2V ~ -2.5V　　三、在健身器材中的核心应用　　跑步机　　高连续电流与峰值电流能力，满足电机驱动的动力需求，应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗，配合宽温范围适配不同使用环境;　　筋膜枪　　N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动，快速开关响应支持精准 PWM 调速，实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性，助力产品小型化与长续航;　　动感单车　　稳定的功率控制性能适配电动磁控系统，实现 32 档以上精准调阻，让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命，适配智能阻力自动调节场景;　　椭圆机　　高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统，将运动产生的可变电压稳定转换，实现绿色能源再利用;　　健身功率计　　低栅极电荷与快速开关特性，提升功率检测的响应速度与精度，为运动数据监测提供可靠支持。
2026-01-20 11:49 reading：319
解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
行业新闻

解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
2026-01-15 10:07 reading：344
专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航
行业新闻

专为安防网通设计：萨瑞微电子P0080TB-MC TSS保护器件，大通流低残压，为设备安全保驾护航

　　在安防监控、网络通信等设备中，各类接口(如RJ45网口、BNC视频端口等)常因静电放电(ESD)、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏，严重影响系统稳定性和使用寿命。　　针对这一痛点，江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC，以其大通流、低残压的卓越特性，成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。　　› 01 产品核心优势：大通流、低残压　　大通流能力　　800A 峰值脉冲电流(10/700μs波形)，可抵御强浪涌冲击，满足国内外安规要求。　　多次浪涌冲击后性能不衰减，可靠性高，适用于恶劣电磁环境。　　低容低残压　　残压(Vs)仅为4V(@10mA)，有效钳位过电压，避免后级电路受损。　　导通电压低，响应速度快，能为敏感电路提供更平顺的保护。　　低电容(≤30pF)，不影响高速信号完整性。　　短路失效模式，过载后仍可提供一定保护，避免开路风险。　　符合无铅环保标准(E3级)，适合出口与绿色制造。　　› 02 关键电气参数速览　　该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系，其核心电气参数如下表所示：　　工作温度范围：-40℃ ~ +125℃，适用于户外及工业环境。　　› 03 实测性能解析　　根据萨瑞微实验室的测试报告，P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异：　　测试结果：　　可通过 4.2KV 浪涌测试(对应峰值电流约 112A)　　极限测试在 4.8KV 时产品击穿，仍表现出较高的浪涌耐受能力　　残压表现：在 4.2KV 浪涌下，钳位电压仅约 25–26V，展现优异的低残压特性。　　结论：该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求，具备高可靠性。　　› 04 典型应用方案推荐　　RJ45网口静电浪涌防护方案　　用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。　　P0080TB-MC并联在信号线与地之间，可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰，保护PHY芯片不受损。　　BNC视频端口静电浪涌防护方案　　适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。　　在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS，可抑制浪涌及静电脉冲，提升视频信号稳定性与设备寿命。　　选择萨瑞微，选择可靠　　在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天，端口防护已成为设计中的关键一环。　　萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件，凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能，为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”，是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
2025-12-12 16:00 reading：465
江西萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向
行业新闻

江西萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向

　　在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管，以其创新的低负压钳位技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。　　› 01 系列产品概览：双型号覆盖主流应用　　萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求：　　M4SMF24A-LC核心参数：　　M4SMF28A-LC核心参数：　　两款产品均采用SMF/SOD-123FL封装，在仅3.0×1.9mm的微小空间内实现了卓越的保护性能。　　› 02 核心技术突破：低负压钳位的革命性意义　　什么是不对称钳位?　　传统TVS二极管通常提供对称的双向保护，但实际电路中，正向和负向的瞬态威胁往往不同。萨瑞微电子的M4SMFxxA-LC系列采用创新的不对称钳位设计：　　实测钳位性能对比：　　M4SMF24A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：8V　　M4SMF28A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：9V　　› 03 实测性能验证：实验室数据说话　　M4SMF24A-LC测试结果(5样品)：　　VBR@1mA：26.64-26.96V(均在25.2-28.5V规范内)　　IR@24V：0.003-0.052μA(远低于≤1μA标准)　　一致性表现优秀，全部PASS　　负向钳位效果显著：　　200V冲击：钳位电压8.6-9V，电流90.4A　　400V冲击：钳位电压17.2-17.6V，电流184-186A　　全部样品在各级别测试中均通过　　M4SMF28A-LC测试结果(10样品)：　　VBR@1mA：32.42-33.33V(符合31.1-34.4V规范)　　IR@28V：0.014-0.083μA(优于≤1μA标准)　　良率100%，全部PASS　　正接时(负向保护)表现出极高的负向浪涌承受能力和超低钳位电压：　　100V冲击：钳位电压仅4.16-4.24V　　200V冲击：钳位电压6.8-7V，电流92A　　400V冲击：钳位电压12-12.4V，电流184-188A　　600V冲击：钳位电压18-19.2V，电流272-276A　　在650V极高冲击下才出现保护性短路　　关键发现： M4SMF28A-LC在正接测试中，即使面对200V的高浪涌冲击，负向钳位电压仍能保持在7V左右，充分验证了其卓越的低负压钳位能力。　　低负压的技术价值　　低负压的技术价值：充电保护的关键突破　　这种负向极低钳位电压的特性，在各类充电接口应用中具有重要价值：　　Type-C接口保护　　现代Type-C接口集成了高速数据、音频视频和充电功能，其中CC逻辑控制芯片对负向电压极其敏感。M4SMF28A-LC的9V负向钳位电压为这些精密芯片提供了精准保护。　　快充协议保护　　在QC、PD等快充协议中，协议识别芯片工作电压低，对负向浪涌耐受度差。低负压TVS确保协议握手过程不因电压扰动而中断。　　充电端口热插拔保护　　用户热插拔充电器时产生的负向电压振铃，可能损坏充电管理IC。传统TVS钳位电压较高，保护效果有限，而M4SMF系列的低负压特性能够及时钳制这些瞬态威胁。　　无线充电系统　　无线充电线圈中的反向感应电动势会产生负向电压尖峰，低负压TVS为功率接收端的精密整流电路提供可靠保护。　　› 04 应用场景深度解析　　电源端口保护　　保护优势：　　低负压钳位(8-9V)有效保护电源管理IC　　6400W高浪涌防护应对电源线引入的雷击浪涌　　防止热插拔和感性负载产生的负向电压尖峰　　低速通信端口保护　　快速响应(<1.0ps)有效抑制ESD静电　　低电容设计不影响信号完整性　　30kV ESD防护等级满足严苛环境要求　　选择萨瑞微，选择可靠　　在电路保护技术日益重要的今天，萨瑞微电子通过M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列产品，展现了在TVS技术领域的创新实力。其独特的低负压钳位特性不仅解决了实际应用中的痛点，更为电子设备提供了更加精准、可靠的保护方案。　　随着5G、物联网、汽车电子等领域的快速发展，对电路保护器件提出了更高要求。萨瑞微电子此系列产品的推出，正当时且具有重要的技术意义。
2025-11-27 13:24 reading：464
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