雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

发布时间：2023-05-12 09:19
作者：Ameya360
来源：网络
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　　二极管种类区别

雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

　　按操作特性进行比较：

　　雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

　　器件结构说明对比：

　　肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF)的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。

　　齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态(泽纳效应和阿瓦兰奇效应)。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。

　　TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。

　　ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。

雷卯二极管半导体器件的应用和参数对比

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　　智能手机越来越追求快充，功率越来越高，不仅对充电适配器要求高，对type-c接口也是挑战，所以快充手机的充电浪涌测试越来越严格。　　一、SMD12CA SMD15CA SMD24CA三颗防静电　　二极管性能优势　　这三颗料是作为USB接口Vbus电源接口静电浪涌保护常用料。推荐这三款的原因是如下：　　功率高，能抗大浪涌，这样频繁的热插拔也能保护内部电路。上海雷卯这几款做到5500W-6000W(8/20us),相对Nexperia semtech litttefuse 品牌的DFN2020系列参数一致，单成本只有一半。　　Flat-Clamp 技术，提供平坦和与温度无关的箝位电压，将受保护系统的残余电压降至最低，这样能更好的保护后级电路，VC超低。　　抗静电能力强：接触和空气都在30KV　　下表列出了主要参数：　　依靠以上优势性能目前手机充电口印度非洲都非常适合这几款大功率TVS。　　SMD12CA/15CA/24CA V/I 特性图如下：　　二、为什么手机USB接口要放TVS　　二极管　　首先一点 ，手机USB接口我们插拔的次数比较多，第二，日常使用中因摩擦、触碰容易接触到，所以这一接口在出厂之前必定要做ESD测试认证，即 IEC 61000-4-2 测试。　　我们知道静电和浪涌可能会对手机 USB 口及内部电路造成严重损害。静电产生时瞬间的高电压可能会击穿 USB 口的电路元件。我们插拔USB接口容易产生EOS这都会对内部元件造成浪涌，强大的电流冲击可能损坏手机的芯片和其他电子元件。 所以我们需要对手机USB接口做静电保护，延长手机使用寿命，确保数据安全，稳定性能。　　三、常见的保护措施　　1. 内置保护电路：许多手机在设计时已经内置了一定程度的静电浪涌保护电路，例如使用瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件来吸收过高的电压和电流。　　2. 使用保护配件：如带有静电浪涌保护功能的数据线、充电器等，可以在外部提供额外的保护。　　四、上海雷卯针对手机USB接口静电浪涌保护方案　　手机USB接口静电浪涌保护示意图如下：　　USB接口静电保护元件参数列表：
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